一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法技术

一种砷化镓场效应管温度影响模型的建立方法，该方法有六大步骤：步骤1：建立能够反映GaAs?FET物理结构的等效电路图；步骤2：确定等效电路模型元件与物理结构的关系；步骤3：研究确定模型元件受温度影响的物理机制；步骤4：建立模型元件与温度之间的函数关系；步骤5：GaAs?FET等效电路模型在微波EDA软件中的实现；步骤6：模拟GaAs?FET关键性能参数随温度的变化关系。本发明专利技术能够仿真砷化镓场效应管性能参数与其物理结构之间的关系，能够预测温度对砷化镓场效应管性能参数的影响，方便器件设计人员进行结构设计和工艺参数优化。它在微电子技术领域里具有较好的实用价值和良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种砷化镓场效应管(GaAs FET)温度影响模型的建立方法，它是微波功率器件仿真分析领域的一种等效电路模型实现方法，致力于表征GaAs FET关键性能参数的温度影响，评估其在高温环境下的参数退化程度，以降低应用风险，属于微电子

技术介绍
GaAs FET具有噪声系数低、频带宽、抗辐射能力强和电源附加效率高等优点，广泛应用于构成有源相控阵雷达的T/R组件。GaAs FET的性能受温度影响较大，当温度变化时，其电学特性会相应地发生改变。例如跨导在高温环境下会显著降低，这会对电路的工作性能产生不良影响。器件温度的改变主要源于环境温度(或热沉温度)的变化以及器件的自 升温效应。随着GaAsFET输出功率的不断提高，自升温效应将更加显著，器件的工作环境也将变得更加恶劣。目前，主要通过建立器件经验分析模型的方式来描述GaAsFET的输入输出特性，如Statz模型、TriQuint模型和Angelov模型等。在表征模型参数受温度的影响程度时，这些经验分析模型采用的均是对测量数据进行数值拟合的方法，而没有揭示出温度影响的物理机制，因此在器件被制造和测量之前是不能预测其性能参数以及温度影响的。如果能够在微波EDA软件中建立GaAs FET的物理基等效电路模型，就可以实现GaAs FET性能参数的计算机仿真，进而可以预测温度对其性能参数的影响。这不仅有助于器件设计人员进行结构设计和工艺参数优化，同时也可以为器件的散热设计提供必要的参考。
技术实现思路
I、目的本专利技术的目的是提供，该方法可操作性强，能够预测温度对砷化镓场效应管性能参数的影响。2、技术方案本专利技术，该方法具体步骤如下步骤I :建立能够反映GaAs FET物理结构的等效电路图以GaAs FET的结构组成、材料属性、工艺参数、工作原理等信息为输入，建立能够反映GaAs FET物理结构的等效电路图，等效电路图中包含与偏置有关的本征元件和与偏置无关的寄生元件。步骤2 :确定等效电路模型元件与物理结构的关系将等效电路模型中的本征元件和寄生元件表征为以器件几何尺寸和材料属性为自变量的函数表达式。步骤3 :研究确定模型元件受温度影响的物理机制依据模型元件与GaAs FET物理结构、材料属性等之间的关系，分析模型元件受温度影响的物理机制，确定对温度变化敏感的物理参量。步骤4 :建立模型元件与温度之间的函数关系对于受温度影响明显的物理参量，建立其与温度之间的函数关系，从而将模型元件表征为以器件物理参量和温度值为自变量的函数表达式。步骤5 =GaAs FET等效电路模型在微波EDA软件中的实现依据建立的GaAs FET等效电路模型，在微波EDA软件中搭建等效电路图，并对电路图中的本征元件和寄生元件进行参数定义，确定可调参量，最后对等效电路模型进行封装。步骤6 :模拟GaAs FET关键性能参数随温度的变化关系通过微波EDA软件中的直流仿真控制器和S参数仿真控制器分别进行不同温度值下的直流参数扫描和S参数扫描，以表征GaAs FET关键性能参数随温度的变化关系。 其中，步骤I中所述的建立能够反映GaAs FET物理结构的等效电路图可以通过大量公开发表的文献、报告等获得，在实际应用前需结合待分析对象的特点对其进行适当修正，如对寄生元件的合理取舍。其中，步骤2中所述的函数自变量具体包括栅极长度、栅极宽度、栅源间距、掺杂浓度、沟道深度、耗尽层厚度、GaAs介电常数、载流子迁移率、肖特基自建势、电子饱和速度等。各个本征元件和寄生元件的取值直接影响了模型的准确程度，模型元件与物理结构之间的关系复杂，因此需要首先对GaAs FET的制作工艺进行充分调研，明确其内部的物理结构，以及各部分的材料属性和几何参数，并通过对其物理结构进行必要的合理简化，最终实现对各个模型元件的表征。模型元件与物理结构间的函数关系可以参照相关的经验公式，如Peter H. Ladtoooke模型可以用来描述本征元件和寄生元件与器件物理结构之间的函数关系。其中，步骤3中所述模型元件受温度影响的物理机制具体包括肖特基自建势、夹断电压、载流子迁移率、电子饱和速度等诸多物理参量的温度影响规律。其中，步骤4中所述物理参量与温度之间的函数关系可以通过查阅相关文献获得，也可以通过借助相关的计算机模拟软件(如Silvaco和Medici)实现,最后通过采用数值拟合的手段实现对温度影响机制的准确描述。其中，步骤5中所述的微波EDA软件可以优先选择Agilent Technologies公司推出的Advanced Design System(ADS)。该软件便于进行直流参数和S参数仿真,且建立的器件模型可以直接用于设计微波功率放大器。其中，步骤6中所述的直流参数指静态直流电流-电压(I-V)特性曲线，S参数包括Sn、S12, S21和S22。S参数又称为散射参量，它是微波网络中应用最多的一种参量。S参数是由归一化入射波电压和归一化反射波电压定义的。3、本专利技术提供了，其优点主要有(I)能够仿真砷化镓场效应管性能参数与其物理结构之间的关系，方便器件设计人员进行结构设计和工艺参数优化。(2)能够预测温度对砷化镓场效应管性能参数的影响，可以为器件的散热设计提供必要的参考，以保证散热条件能够更为有效地满足器件的正常工作要求。(3)建立的器件模型具有较好的可移植性，可直接用于微波功率放大器的设计和T/R的行为级仿真。附图说明图I为本专利技术实施方法流程框图图2为温度对GaAs电子饱和速度的影响示意3为在微波EDA软件中建立的GaAs FET等效电路模型示意4为不同温度值下的GaAs FET静态直流特性示意5(a)为不同温度值下的GaAs FET散射参量S11示意5 (b)为不同温度值下的GaAs FET散射参量S12示意5 (C)为不同温度值下的GaAs FET散射参量S21示意5 (d)为不同温度值下的GaAs FET散射参量S22示意中和公式中的符号说明见表I。 表I图中和公式中的符号说明U0GaAs载流子迁移率~ g。 跨导 IT~源极寄生电感 电子饱和速度t 肖特基自建势漏极寄生电阻~有源层掺杂浓度阈值电压 R； 栅极寄生电阻~耗尽层漏端扩展长度 ^夹断电压源极寄生电阻~有源层厚度漏极电流 Rl 输出电阻~耗尽层厚度饱和漏极电流 R； 本征沟道电阻~栅极金属电阻率 L； 栅极长度 Cl漏极-源极本征电容~栅极金属厚度 Fe 栅极宽度栅极-漏极本征电容~GaAs绝对介电常数栅极-漏极间距栅极-源极本征电容~真空磁导率 L； 栅极-源极间距漏极寄生焊盘PAD电容"q电子电荷量 ~ 漏极寄生电感 ~ 栅极寄生焊盘PAD电容~时间延迟 ^ 栅极寄生电感栅极-漏极寄生焊盘PAD电容具体实施例方式下面结合具体的实施案例，对本专利技术所述的砷化镓场效应管温度影响模型建立方法进行详细说明。案例栅长为Iym的离子注入型GaAs FET，栅源间距为I ii m，栅宽为300 ii m，有源层掺杂浓度为I. OX IO17CnT3,有源层厚度为0. 2 ii m,栅极金属厚度为0. 5 y m,栅极金属为Au。见图1，本专利技术，该方法具体步骤如下步骤I :GaAs FET等效电路图目前有很多种，在此选用了较为成熟的Curtice模型，并在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张超，付桂翠，谷瀚天，张栋，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：