一种无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法技术

技术编号：7755889 阅读：194 留言：0更新日期：2012-09-13 00:55

本发明专利技术公开了一种无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法，步骤为：（1）在容器中加入Ti、Si、C和Al单质粉末，加入酒精，控温70℃，加热搅拌1h以上，直至酒精蒸发干净，得剩余粉末；其中，Ti、Si、C和Al的摩尔比为3:1:2:0.1；（2）转剩余粉末至管式炉，在氩气气氛下，1420℃烧结2~2.5h，自然降温，得到Ti3SiC2粉体。本发明专利技术以Ti、Si、C、Al等单质为原料，通过优化混合方式，采用无压烧结方法在1420℃及氩气保护下合成了高纯度（96.7%）Ti3SiC2粉末，具有很好的实用性，有很好的经济前景，能产生很好的社会效益。