一种薄膜晶体管阵列基板制造技术

本实用新型专利技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板。该薄膜晶体管阵列基板至少包括一具有第一表面的基板以及形成于基板的第一表面上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、存储电容、一栅绝缘层，且所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为不同类型的薄膜晶体管，所述基板包括第一区域、第二区域、第三区域，所述第一薄膜晶体管位于所述第一区域内，所述第二薄膜晶体管位于第二区域内，所述存储电容位于所述第三区域内，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及第一沟道区，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极、第二沟道区以及低掺杂的源漏区，所述存储电容包括多晶硅高掺杂区、电极。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT)被广泛应用于平板显示器件，比如目前最为常见的液晶显示器(IXD)，以及有机发光显示器件(AMOLED)。目前实际销售的基于TFT技术的平板显示产品中，使用的TFT器件基本上属于两类非晶硅薄膜晶体管(a-Si TFT)和多晶硅薄膜晶体管。对于后者，根据其制造工艺的不同，又可以分为低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)和高温多晶硅薄膜晶体管(HTPS TFT)，分别适用于中小尺寸显示器件和微小尺寸显示器件(如投影图像源)等。 相对于非晶硅薄膜晶体管来说，低温多晶硅薄膜晶体管具有诸多优点，如其迁移率比非晶硅薄膜晶体管高两个数量级，可以较小尺寸的器件实现较强的驱动能力，提高显示器件开口率，也更适用于需要电流驱动的有源矩阵有机发光二极管显示面板；又如其阈值电压比较稳定，可满足有源矩阵有机发光二极管显示面板的稳定性要求，并成为驱动有源矩阵有机发光二极管显示面板的理想选择；再如，非晶硅薄膜晶体管只能形成N型器件，而低温多晶硅薄膜晶体管却可以形成P型与N型两种互补型薄膜晶体管，这使得利用低温多晶硅薄膜晶体管在玻璃基板上形成电路比较灵活，也成为事实上的做法，从而达到简化外围驱动电路的目的。总而言之，低温多晶硅薄膜晶体管因具有诸多优点，使其在高分辨率、电路集成、显示器件集成方面具有广泛应用。相对于非晶硅薄膜晶体管来说，低温多晶硅薄膜晶体管的制作工艺比较复杂，一般而言，非晶硅薄膜晶体管采用4或5道掩模板光刻工艺，而低温多晶硅薄膜晶体管通常需要采用9道掩模板光刻工艺，其工艺复杂性的增加使得采用低温多晶硅薄膜晶体管驱动的显示器件的制作成本上升，其良品率下降，影响了低温多晶薄膜晶体管硅驱动的显示器件的竞争力。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种制作工艺简单且有利于提升良品率的低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板。—种薄膜晶体管阵列基板至少包括一具有第一表面的基板以及形成于所述基板的第一表面上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、存储电容、一栅绝缘层，且所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为不同类型的薄膜晶体管，所述基板包括第一区域、第二区域、第三区域，所述第一薄膜晶体管位于所述第一区域内，所述第二薄膜晶体管位于第二区域内，所述存储电容位于所述第三区域内，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及第一沟道区，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极、第二沟道区以及低掺杂的源漏区，所述存储电容包括电极，所述第一源极和第一漏极由多晶硅层掺杂第一类型的离子制成，所述第二源极和第二漏极由多晶硅层掺杂第二类型的离子制成，所述第一栅极和第二栅极由同一栅导电层在不同光刻工艺中制成，所述第二栅极与存储电容的电极在同一光刻工艺中一并制成；所述第一栅极与第一源极和第一漏极通过所述栅绝缘层绝缘开，所述第二栅极与第二源极和第二漏极通过所述栅绝缘层绝缘开；所述第一沟道区和第二沟道区均由未掺杂或轻掺杂的多晶硅层构成，所述第一沟道区位于所述第一源极和第一漏极之间、所述第一栅极之下，所述第二沟道区位于所述第二源极和第二漏极之间、所述第二栅极之下；所述低掺杂源漏区位于所述第二源极与所述第二沟道区之间以及所述第二漏极与第二沟道区之间。本技术提供的所述薄膜晶体管阵列基板中，所述薄膜晶体管阵列基板至少还包括第二绝缘层、第一源极布线、第一漏极布线、第二源极布线、第二漏极布线、第三布线，且所述第一源极布线和第二漏极布线分别与所述第一源极和第一漏极电性连接，所述第二源极布线和第二漏极布线分别与所述第二源极和第二漏极电性连接，所述存储电容至少还包括多晶硅高掺杂区，该多晶硅高掺杂区由多晶硅掺杂或部分掺杂第一、第二类型离子中的一种制成，其与所述存储电容的电极通过所述栅绝缘层绝缘开，且所述第三布线与所述多晶硅高掺杂区电性连接，并所述第三布线与所述存储电容的电极通过所述第二绝缘层绝 缘开，所述第一源极布线和第一漏极布线与第一栅极之间通过所述第二绝缘层绝缘开，所述第二源极布线和第二漏极布线与第二栅极之间通过所述第二绝缘层绝缘开。本技术提供的所述薄膜晶体管阵列基板中，所述薄膜晶体管阵列基板至少还包括像素电极、第三绝缘层，所述像素电极与所述第一或第二漏极布线电性连接，且该像素电极通过所述第三绝缘层与所述第三布线绝缘开。本技术提供的薄膜晶体管阵列基板中，采用7道光刻工艺，与现有技术相比，其工艺复杂度低，可提闻生广效率，提闻广品的良品率。另外，所述第一薄I旲晶体管的源极、漏极等高浓度掺杂区域均通过自对准工艺形成，其寄生电容小；低浓度的源漏区202a通过自对准工艺形成，且其尺寸较小，均匀性好。附图说明下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中图Ia至Ij为本技术提供的一较佳实施方式薄膜晶体管阵列基板的制作流程示意图。图2为本技术提供的另一较佳实施方式薄膜晶体管阵列基板的制作流程示意图。图3a、3b为本技术提供的第三较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的制作流程示意图。具体实施方式为说明本技术提供的薄膜晶体管阵列基板，以下结合说明书附图进行详细阐述。请同时参阅图Ia至I j，其为本技术提供的一较佳实施方式的薄膜晶体管阵列基板的制作流程示意图。薄膜晶体管阵列基板通常包括多个薄膜晶体管，本实施方式中仅以制作两种类型的薄膜晶体管为例进行说明，该两种薄膜晶体管中，第一薄膜晶体管为一个P型薄膜晶体管，第二薄膜晶体管为一个N型薄膜晶体管。所述薄膜晶体管阵列基板10如图Ia所不,其包括具有第一表面109的基板100,该基板100还包括第一区域101、第二区域102及第三区域103，所述第一区域101为第一薄膜晶体管区域，所述第二区域102为第二薄膜晶体管区域，所述第三区域103为存储电容区域。该基板100由透明材料制成，其可以是树脂基板，也可以 是玻璃基板。在该基板100的第一表面109依次形成缓冲层110和非晶硅层。所述缓冲层110由硅的氧化物或氮化物制成，所述非晶硅层通过退火工艺转化为多晶硅层200，该退火工艺可以是紫外激光扫描、固体激光扫描、热退火工艺或者其他退火工艺。在所述多晶硅层200上涂布一第一光刻胶层170,并利用一第一掩膜910对该第一光刻胶层170进行光刻、显影，使第二区域102内的第一光刻胶层170被去除，且保留第一区域101和第三区域103内的第一光刻胶层170。然后，对所述第二区域102进行一次低浓度的P型离子注入180，形成沟道掺杂；并在完成所述低浓度的P型离子掺杂后，去除所述第一区域101和第三区域103上的第一光刻胶层170。请参阅图lb，在所述缓冲层110和多晶硅层200上形成栅绝缘层300和栅导电层310。所述栅绝缘层300由硅的氧化物或氮化物制成，所述栅导电层310由金属或金属合金材料(如钥或钥铝合金)或由于多层金属、金属合金、透明导电材料制成。在所述栅导电层310上涂布一第二光刻胶层(图中未示出)，并通过一包括透光区域922、半透光区域923、不透光区域921的第二掩膜920对所述第二光刻胶层进行光刻、显影，所述不透光区域921对应所述第一区域101中所述第一薄膜晶体管的第一栅极及该第一区域101内的栅极布线(图中未本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ー种薄膜晶体管阵列基板，至少包括一具有第一表面的基板以及形成于所述基板的第一表面上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、存储电容、一栅绝缘层，且所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管为不同类型的薄膜晶体管，所述基板包括第一区域、第二区域、第三区域，所述第一薄膜晶体管位于所述第一区域内，所述第二薄膜晶体管位于第二区域内，所述存储电容位于所述第三区域内，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极以及第ー沟道区，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极、第二沟道区以及低掺杂的源漏区，所述存储电容包括电极，所述第一源极和第一漏极由多晶硅层掺杂第一类型的离子制成，所述第二源极和第二漏极由多晶硅层掺杂第二类型的离子制成，所述第一栅极和第二栅极由同一栅导电层在不同光刻エ艺中制成，所述第二栅极与存储电容的电极可在同一光刻エ艺中一井制成；所述第一栅极与第一源极和第一漏极通过所述栅绝缘层绝缘开，所述第二栅极与第二源极和第二漏极通过所述栅绝缘层绝缘开；所述第一沟道区和第二沟道区均由未掺杂或轻掺杂的多晶硅层构成，所述第一沟道区位于所述第一源极和第一漏极之间、所述第一栅极之下，所述第二沟道区位于所述第二源极和...

【专利技术属性】
技术研发人员：王士敏，李俊峰，朱泽力，商陆平，李绍宗，
申请(专利权)人：深圳莱宝高科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：