一种新型的存储装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种新型的存储装置。该装置包括一壳体，壳体的一侧开设有PCI-E电缆接口，PCI-E电缆接口连接有PCI-E固态硬盘控制器，PCI-E固态硬盘控制器连接有一个以上储存器。本实用新型专利技术不仅可以大大提升数据传输速率，而且通过扩展线缆可以实现移动存储，使用和更换都非常方便。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种存储装置，特别是一种基于PCI-E接口外接扩展的存储装置。
技术介绍
SSD (固态硬盘、Solid State Disk或Solid State Drive),也称作电子硬盘或者固态电子盘，是由控制单元和固态存储单元(DRAM或FLASH芯片)组成的硬盘。与传统的机械式硬盘相比，SSD固态硬盘完全的半导体化，不存在数据查找时间、延迟时间和磁盘寻道时间，数据存取速度快，读取数据的能力在230M/S以上，最高的可达500M/S以上，因此SSD固态硬盘已经逐渐取代机械式硬盘。目前外接移动SSD固态硬盘的接ロ主要是基于SATA转USB接ロ，受限于USB的传输速度限制，USB2. O的移动硬盘速度不超过70MB/S，USB 3. O的移动硬盘速度不超过120MB/S,因此现有的移动硬盘接ロ已经大大约束了 SATA转接USB的SSD硬盘的传输速率。为了提高SSD硬盘的传输速率，业界已经出现有具有PCI-E接ロ的SSD固态硬盘，由于PCI-E 2.0X1时性能就可以达到300MB/s，在PCI-E 2. O X 4时性能可达1200MB/s，所以PCI-E接ロ SSD相比SATA转接USB接ロ的传输速率有大幅度的提高。然而，现有的具有PCI-E接ロ的SSD固态硬盘仍存在以下问题⑴具有PCI-E接ロ的SSD固态硬盘中设置有PCI-E转SATA接ロ芯片。主机通过PCI-E转SATA控制器通过SATA接ロ与SSD固态硬盘控制器连接再与flash存储单元相连，目前最高速率的SATA III接ロ传输速率也只能达到6Gbps，跟PCI-E传输性能(PCI-E 2. 0X8提供最高40Gbps)和Nand阵列能提供的性能不匹配，仍然不能满足诸如云计算高呑吐量数据的需求；(2)具有PCI-E接ロ的SSD固态硬盘与计算机或服务器连接的方式普遍是板载插卡方式，使用和更换较不方便，不能作为移动存储装置使用。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供ー种新型的存储装置。该装置使用PCI-E固态硬盘控制器直接控制Nand flash存储，不再需要转接SATA协议后再控制Nand flash，排除了不必要的PCI-E转SATA协议的开销，不仅可以大大提升数据传输速率，而且通过PCI-E扩展线缆作为移动存储装置实现移动存储，使用和更换都非常方便。本技术的另ー个目的在于，本技术用PCI-E交換芯片实现多路SSD固态硬盘控制器的并行数据读写操作，有效地扩展了本技术的存储容量。本技术的技术方案ー种新型的存储装置，该装置包括ー壳体，壳体的ー侧开设有PCI-E电缆接ロ，PCI-E电缆接ロ连接有PCI-E固态硬盘控制器，PCI-E固态硬盘控制器连接有ー个以上储存器。上述的新型的存储装置中，所述的PCI-E电缆接ロ连接有PCI-E固态硬盘控制器，是先连接有PCI-E交换机芯片，PCI-E交换机芯片连接有I个以上PCI-E固态硬盘控制器。前述的新型的存储装置，其特征在于所述的PCI-E固态硬盘控制器还连接有数据缓冲区。前述的新型的存储装置，其特征在于所述的储存器为Nand flash。前述的新型的存储装置，其特征在于所述的PCI-E固态硬盘控制器包括与PCI-E接口相连的PCI-E端点核，PCI-E端点核连接有处理器，处理器连接有Nand flash控制器和存储接口，Na nd flash控制器连接有一个以上Flash通道，存储接口与缓冲区相连。前述的新型的存储装置，其特征在于所述的PCI-E电缆接口向外连接有扩展电缆，所述的扩展电缆为Mini DisplayPort线缆、SFP线缆或QSFP线缆。与现有技术相比，本技术的PCI-E电缆接口经PCI-E固态硬盘控制器直接与储存器相连，无需经过PCI-E接口与SATA接口的转换，因此大大提高了数据的传输速率，连续块传输速率峰值可达I. 5GB/S。同时本技术无需直接插在服务器或者计算机主板的PCI-E插槽上，使用和插拔都非常方便，可以充当一种高速、大容量的、使用方便的移动硬盘。此外，本技术在PCI-E电缆接口后连接有PCI-E交换芯片，PCI-E交换芯片连接有多个PCI-E固态硬盘控制器，每个PCI-E固态硬盘控制器再与多个Nand flash储存器相连，因此本技术可以实现多路SSD固态硬盘的并行数据读写操作，有效地扩展了本技术的存储容量。附图说明图I是本技术的结构示意图；图2是PCI-E固态硬盘控制器的结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步的详细说明，但不作为对本技术的限制。本技术的实施例一种新型的存储装置，构成如图I所示，该装置包括一壳体，壳体的一侧开设有PCI-E电缆接口，PCI-E电缆接口连接有PCI-E交换机芯片(即PCI-ESwitch), PCI-E交换机芯片连接有I个以上PCI-E固态硬盘控制器，PCI-E固态硬盘控制器连接有I个以上Nand flash (即Nand闪存存储器)，PCI-E固态硬盘控制器还连接有数据缓冲区。作为具体应用，但不作为具体限制，如图2所示，PCI-E固态硬盘控制器的可以包括；PCI-E端点核(PCI-E end point core)，一端与PCI-E电缆接口相连，另一端连接有处理器；PCI-E端点核用于经PCI-E电缆接口连接PCI-E系统总线，并实现PCI-E总线的硬盘控制器设备接口，在主机系统PCI-E设备枚举的时候识别到这个设备是硬盘存储控制器和下面挂接硬盘(实际是处理器模拟了所有硬盘的功能和行为)；处理器(Processor),—端与PCI-E端点核相连,另一端连接有Nand flash控制器(即Nand闪存控制器)，处理器运行内部的固件，解释主机通过PCI-E总线传输的控制命令，把数据存储到flash(即闪存存储器)中，同时管理flash的读写、删除等操作；Nand flash 控制器(Nand flash control interface), 一端与处理器相连，另一端连接有I个以上flash通道；Nand flash控制器主要提供给处理器一个本地地址空间内的外设接口，并向下完成对不同通道和物理信号的控制；Flash通道(即闪存通道，Flash lane), 一端与Nand flash控制器相连,另一端与Flash相连；Flash通道是为挂接Flash阵列提供多组Flash控制信号，每组内有多个片选和一组公用的信号，不同通道之间信号数量和信号是相同的；处理器还连接有存储接口(Memory Interface),存储接口与缓冲区相连,处理器提供程序运行空间和高速存储数据的缓冲。作为优选，所述的PCI-E电缆接口向外连接有PCI-E外接扩展电缆=Mini DisplayPort线缆、SFP线缆或QSFP线缆，上述扩展线缆再通过设置于机箱上的PCI-E扩展插口与PCI-E总线相连，使得本技术可以作为移动硬盘使用。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型的存储装置，其特征在于该装置包括一壳体，壳体的一侧开设有PCI-E电缆接口，PCI-E电缆接口连接有PCI-E固态硬盘控制器，PCI-E固态硬盘控制器连接有一个以上储存器。2.根据权利要求I所述的新型的存储装置，其特征在于所述的PCI-E电缆接口连接有PCI-E固态硬盘控制器，是先连接有PCI-E交换机芯片，PCI-E交换机芯片连接有I个以上PCI-E固态硬盘控制器。3.根据权利要求I或2所述的新型的存储装置，其特征在于所述的PCI-E固态硬盘控制器还连接有数据缓冲区。4.根据权利要求3所述的新...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳军胜，
申请(专利权)人：杭州海莱电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：