一种用于CVD工艺中具有新型结构的喷淋头制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于CVD工艺中具有新型结构的喷淋头，所述的喷淋头具有大量以二维六角阵列排列的喷淋孔，由于六角阵列排列比传统的四角阵列排列具有更高的密度，由此喷淋头喷淋的外延片具有更高的均匀性，可以大大的提高所得器件的良率。此实用新型专利技术制作工艺简单，效果良好，适用于工业生产。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种喷淋头，特别是涉及一种用于CVD工艺中具有新型结构的喷淋头。
技术介绍
以GaN为代表的新一代半导体材料以其宽直接带隙(Eg = 3. 4eV)、高热导率、高硬度、高化学稳定性、低介电常数、抗辐射等特点获得了人们的广泛关注，在固态照明、固体激光器、光信息存储、紫外探测器等领域都有巨大的应用潜力。在光信息存储方面，以GaN为基础的固体蓝光激光器可大幅度提高光存储密度。正因为这些优点，GaN及其合金被寄予厚望。 目前商用GaN薄膜及其器件和红黄光LED外延生长基本采用MOCVD系统。目前世界上主流的MOCVD系统分为三种，其一为aixtron公司的行星式系统，其二为aixtron公司的喷淋头系统，其三为美国Veeco公司的TurboDisc系统，其中喷淋头系统目前占主流地位。随着半导体照明市场和技术的发展，对于产品良率的要求越来越高，MOCVD设备也跟着同步发展，设备对于良率的重要性日渐突出。对于采用喷淋头结构的CVD系统来讲，喷淋头上的喷淋孔的分布方式对外延片，尤其是最中心附近位置的良率有巨大的影响。在实际生产中，经常会发现中心附近位置的表面出现异常。要想提高中心附近的均匀性，最好的方法是提高喷淋孔的密度，但是缩小喷淋孔的距离会增加设备加工的难度，增加设备成本。目前的喷淋头I系统的喷淋孔11的为四角阵列排列，如图I所示，喷淋孔间有较大的空隙，这样的空隙在反应室外圈不会导致问题，因为外圈旋转起来有很大的线速度，但是在内圈，线速度比较慢，这样的空隙比例会造成外延片喷淋的不均匀。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种新型结构的喷淋头，以克服现有技术中传统结构喷淋头的喷淋孔间空隙过大导致喷淋均匀性低的缺陷。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种用于CVD工艺中具有新型结构的喷淋头，所述喷淋头具有大量以二维六角阵列排列的喷淋孔。在本技术的喷淋头中，所述的喷淋孔形状为圆孔状。如上所述，本技术的用于CVD工艺中具有新型结构的喷淋头具有大量以二维六角阵列排列的喷淋孔，由于六角阵列排列比传统的四角阵列排列具有更高的密度，由此喷淋头喷淋的外延片具有更高的均匀性，可以大大的提高所得器件的良率。此技术制作工艺简单，效果良好，适用于工业生产。附图说明图I显示为传统技术喷淋头的结构示意图图2显示为本技术喷淋头的结构示意图具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本技术的其他优点与功效。本技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在不背离本技术的精神下进行各种修饰或改变。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本技术的基本构想，遂图式中仅显示与本技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。请参阅图1，如图所示，本技术提供一种用于CVD工艺中具有新型结构的喷淋 头，所述喷淋头2具有大量的喷淋孔21，并且，所述的喷淋孔21以二维六角阵列排列。在本技术的实施例中，所述的喷淋孔21形状为圆孔状。综上所述，本技术的用于CVD工艺中具有新型结构的喷淋头具有大量以二维六角阵列排列的喷淋孔，由于六角阵列排列比传统的四角阵列排列具有更高的密度，由此喷淋头喷淋的外延片具有更高的均匀性，可以大大的提高所得器件的良率。此技术制作工艺简单，效果良好，适用于工业生产。所以，本技术有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。上述实施例仅例示性说明本技术的原理及其功效，而非用于限制本技术。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本技术的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属
中具有通常知识者在未脱离本技术所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本技术的权利要求所涵盖。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于CVDエ艺中具有新型结构的喷淋头，其特征在于所述喷淋头具有大量以ニ维六角阵列排列的喷淋...

【专利技术属性】
技术研发人员：周健华，邢志刚，陈耀，彭昀鹏，潘尧波，郝茂盛，
申请(专利权)人：上海蓝光科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：