触控结构的成形方法技术

本发明专利技术公开一种触控结构的成形方法，其于一基板上形成一导电层；于所述导电层上透过半色调掩膜曝光技术形成一图案化的架桥光阻层，其中架桥光阻层局部覆盖所述导电层，且所述架桥光阻层包含一第一部分及一相对较薄的第二部分；移除所述导电层未被所述架桥光阻层覆盖的部分以图案化所述导电层；移除所述架桥光阻层的第二部分而成一架桥层并使所述图案化的导电层部分裸露而形成一导电线路层。藉此在导电线路与架桥结构的制备过程中可减少一道掩膜工艺，而具有更快速的生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本 专利技术是有关于一种，特别是有关于一种可减少一道掩膜工艺的。
技术介绍
请参考图I所示，图I揭示一种现有的电容式触控结构的侧面示意图，其依堆迭顺序为一玻璃基板80、一金属线路层81、一光阻层82、一透明导电层83、一保护层84。请参考图2、图3a 3f及图4a 4d所示，揭示前述的触控结构的制作流程，其主要先于玻璃基板80上透过溅镀形成一金属层90’(如图3a所示)，再形成一光阻层，其经过曝光显影后形成图案化的光阻层900 (如图3b所示)，再透过蚀刻工艺移除所述金属层90’未被所述光阻层900覆盖的部分(如图3c所示)，移除剩余光阻层900后而形成预定线路图案的金属线路层90 (如图3d所示)。接着再于所述金属线路层90上涂布一架桥光阻层91 (如图3e所示)；跟着涂布一透明导电层92’及一光阻层920 (如图3f及图4a所示)；经过蚀刻及去光阻后即形成预定图案的触控导电层92 (如图4b及图4c所示)，所述图案化后的触控导电层92包含X轴与Y轴的触控单元，其中，X轴触控单元彼此之间是透过所述金属线路层90电性连接，Y轴触控单元则是一体串接并透过所述架桥光阻层91而与所述多个X轴触控单元隔开；最后再涂布一完整的保护层93，即完成前述的电容式触控结构(如图4d所示)。前述触控结构的制造过程需经过多道掩膜工艺来形成图案化光阻，其中用以做为架桥的光阻层91需要经过去掉形成金属线路用的光阻层900，再涂布新的光阻层以构成所述架桥光阻层91，其中包含了两道掩膜工艺。然而，若能透过一道掩膜工艺即可构成架桥用的光阻层，将可大为提升前述触控结构的生产效率。故，有必要提供一种，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种，其较现有触控结构的制造方法，在导电线路与架桥结构的制备过程中减少了一道掩膜工艺，而相对具有更快速的生产效率。为达成本专利技术的前述目的，本专利技术提供一种，其包含下列步骤于一基板上形成一导电层；于所述导电层上形成一图案化的架桥光阻层，其中架桥光阻层局部覆盖所述导电层，且所述架桥光阻层包含一第一部分及一第二部分，所述第二部分的厚度较第一部分的厚度薄；移除所述导电层未被所述架桥光阻层覆盖的部分以图案化所述导电层，其中所述架桥光阻层的侧边与所述导电线路层的边缘几乎切齐；移除所述架桥光阻层的第二部分而成一架桥层并使所述图案化的导电层部分裸露而成一导电线路层；透过烘烤程序使所述架桥层软化；于所述基板上形成一透明导电层以覆盖所述架桥层及所述导电线路层；于所述透明导电层上形成一图案化的光阻层；移除所述透明导电层未被所述光阻层覆盖的部分；移除所述光阻层，使所述透明导电层图案化而成为一触控导电层；以及 于所述基板上形成一保护层以覆盖所述触控导电层及所述架桥层。在本专利技术的一实施例中，所述架桥光阻层是透过一半色调掩膜曝光技术所制成。在本专利技术的一实施例中，所述架桥层与所述导电线路层的表面之间的夹角小于所述架桥层在烘烤程序后的底面与顶面之间的夹角。在本专利技术的一实施例中，在移除所述导电层未被所述架桥光阻层覆盖的部分而形成一导电线路层的步骤中，所述架桥光阻层的侧边与所述导电线路层的边缘之间的间距小于 5 u m0附图说明图I是现有的电容式触控结构的侧面示意图。图2是现有的触控结构的制作流程的概要示意图。图3a 图3f是现有的触控结构的制作流程的详细示意图。图4a 图4d是接续图3f的制作流程的详细示意图。图5是本专利技术一较佳实施例的流程概要示意图。图6a 图6e是本专利技术一较佳实施例的详细流程图。图7a 图7d是接续图6e的成形方法的详细流程图。图8a 图8d是本专利技术一较佳实施例的加入烘烤程序的流程示意图。图9是本专利技术一较佳实施例的架桥层与导电线路层的俯视图。图10是本专利技术一较佳实施例的架桥层与导电线路层之间的夹角示意图。图11是本专利技术一较佳实施例的架桥层在烘烤程序前的底面与顶面夹角的示意图。图12是本专利技术一较佳实施例的架桥层在烘烤程序后的底面与顶面夹角的示意图。具体实施例方式为让本专利技术上述目的、特征及优点更明显易懂，下文特举本专利技术较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。再者，本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」或「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。请参考图5所示，图5揭示本专利技术一较佳实施例的流程概要示意图。本专利技术的触控结构的成形过程主要包含形成导电线路层10、形成架桥层20以及形成触控导电层30。进一步参考图6a 图6e跟图7a 图7d所示，是揭示本专利技术一较佳实施例的详细流程图。本专利技术的包含下列步骤先于一基板40上形成一导电层10’，其成形方式可为金属溅镀(如图6a所示)；于所述导电层10’上形成一图案化的架桥光阻层20’，所述架桥光阻层20’是透过一半色调(Half Tone)掩膜曝光技术所制成，其主要透过一半色调掩膜，经过曝光显影后，形成厚薄不一的架桥光阻层20’。其中，所述架桥光阻层20’包含一第一部分及一第二部分，所述第二部分的厚度较第一部分的厚度薄(如图6b所示)；移除所述导电层10’上未被所述架桥光阻层20’覆盖的部分而图案化所述导电层10’，其主要是利用所述架桥光阻层20’透过金属蚀刻等方式，使所述导电层10’图案化(如图6c所示)，其中所述架桥光阻层20’的侧边与所述图案化的导电层10’的边缘几乎切齐，其中所述架桥光阻层20’的侧边与所述图案化的导电层10’的边缘之间的间距优选是小于5 u m ；接着进行去光阻步骤，将一定厚度的架桥光阻层20’移除，使所述架桥光阻层20’较薄的第二部分被移除掉，而让所述图案化的导电层10’部分裸露出而形成一导电线路层10，且使架桥光阻层20’留存较厚的第一部分而成为一架桥层20 (如图6d所示)；接着于所述基板40上形成一透明导电层30’以覆盖所述架桥层20及所述导电线路层10(如图6e所示)；于所述透明导电层30’上形成一图案化的光阻层300 (如图7a所示)；移除所述透明导电层30 ’未被所述光阻层300覆盖的部分，使所述透明导电层30 ’图案化而成为一触控导电层30 (如图7b所不)；移除所述光阻层300 (如图7c所示)；以及于所述基板40上形成一保护层50以覆盖所述触控导电层30及所述架桥层20，完成本专利技术触控结构的制造流程(如图7d所示)。再者，进一步参考图8a 图8d所示，其中图8a跟图8b为移除前述架桥光阻层20 ’的第二部分之前跟之后的剖面图，由于所述架桥层20的侧边几乎切齐所述导电线路层10的部分边缘，随后形成所述透明导电层30’时，将可能导致所述透明导电层30’受所述架桥层20与所述导电线路层10共同的边缘断差影响而产生断裂或是与所述导电线路层10接触而短路，因而本专利技术于移除前述架桥光阻层20’的第二部分之后(即形成一透明导电层30’之前),进一步包含下列步骤透过一烘烤程序(或称热回流，thermal reflow)使所述架桥层20软化，使其侧边掩盖原先切齐所述导电线路层10的边缘(如图Sc所示)。透过上述烘烤程序后，所述透明导电层30’可较为平顺地成形于所述架桥层20与所述导电线路层10上(如图8d所示)。进一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种触控结构的成形方法，其特征在于所述触控结构的成形方法包含下列步骤 于一基板上形成一导电层； 于所述导电层上形成一图案化的架桥光阻层，其中架桥光阻层局部覆盖所述导电层，且所述架桥光阻层包含一第一部分及一第二部分，所述第二部分的厚度较第一部分的厚度薄； 移除所述导电层未被所述架桥光阻层覆盖的部分以图案化所述导电层，其中所述架桥光阻层的侧边与所述图案化的导电层的边缘几乎切齐； 移除所述架桥光阻层的第二部分而成一架桥层，并使所述图案化的导电层部分裸露而形成一导电线路层； 透过烘烤程序使所述架桥层软化； 于所述基板上形成一透明导电层以覆盖所述架桥层及所述导电线路层； 于所述透明导电层上形成一图案化的光阻层； 移...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴健豪，
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：