本实用新型专利技术提供了一种耐强冲击型的熔断电阻器，包括一绝缘基体，所述绝缘基体的两端各设置有一金属帽，所述绝缘基体为圆柱状结构，所述绝缘基体上设有一层电阻膜，所述电阻膜的两端分别与所述绝缘基体两端的金属帽连接，所述绝缘基体两端的金属帽分别外接一引脚，所述绝缘基体的外层还设置有一层散热层，所述电阻膜包裹于所述散热层内。本实用新型专利技术结构简单、成本低、耐强冲击性能，在36倍于额定电流的情况下，电阻膜熔断时间在1-30秒内；225倍额定电流，电阻膜熔断时间在0.2秒至2秒内；900倍额定电流，电阻膜熔断时间在20毫秒至200毫秒内。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
耐强冲击型熔断电阻器
本技术涉及电阻器
，尤其涉及一种耐强冲击型熔断电阻器。
技术介绍
一般的电阻器在规定的额定功耗倍率过负荷条件下，电阻膜可以在规定的时间内熔断，尤其是电阻器的阻值小于2欧姆时，当施加16倍额定功耗时小于等于60秒，25倍额定功耗时小于等于30秒，当一些特殊的场合要求额定功耗倍率更高时，一般的电阻器不能适用。
技术实现思路
本技术的目的在于应对强电流强冲击性提供的一种耐强冲击型熔断电阻器。本技术是通过以下技术方案来实现的一种耐强冲击型熔断电阻器，包括一绝缘基体，所述绝缘基体的两端各设置有一金属帽，所述绝缘基体为圆柱状结构，所述绝缘基体上设有一层电阻膜，所述电阻膜的两端分别与所述绝缘基体两端的金属帽连接，所述绝缘基体两端的金属帽分别外接一引脚，所述绝缘基体的外层还设置有一层散热层，所述电阻膜包裹于所述散热层内。所述电阻膜上刻有螺纹型的槽。所述电阻膜厚度为0. 03mm。所述电阻膜材质为镍磷合金。在电阻膜上刻有螺纹型的槽，在不增加绝缘基体长度的基础上，能有效增加电阻膜的长度。本技术的有益效果在于结构简单、成本低、耐强冲击性，在36倍的额定功耗电流的情况下，电阻膜熔断时间在1-30秒；225倍额定功耗电流，电阻膜熔断时间在0. 2秒至2秒；900倍额定功耗电流，电阻膜熔断时间在20毫秒至200毫秒。附图说明图I为本技术的结构示意图。附图标记1、绝缘基体；2、金属帽；3、电阻膜；4、引脚；5、散热层。具体实施方式以下结合附图及具体实施方式对本技术做进一步描述参照图I所示，一种耐强冲击型熔断电阻器，包括一绝缘基体1，所述绝缘基体I的两端各设置有一金属帽2，所述绝缘基体I为圆柱状结构，所述绝缘基体I上设有一层电阻 膜3，所述电阻膜3的两端分别与所述绝缘基体I两端的金属帽2连接，所述绝缘基体I两端的金属帽2分别外接一引脚4，所述绝缘基体I的外层还设置有一层散热层5，所述电阻膜3包裹于所述散热层5内。所述电阻膜3上刻有螺纹型的槽。所述电阻膜3厚度为0. 03_。所述电阻膜3材质为镍磷合金。在电阻膜上刻有螺纹型的槽，在不增加绝缘基体长度的基础上，能有效增加电阻膜的长度。根据上述说明书的揭示和教导，本技术所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行适当的变更和修改。因此，本技术并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本技术的一些修改和变更也应当落入本技术的权利要求的保护范围内。 此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本技术构成任何限制。权利要求1.一种耐强冲击型熔断电阻器，其特征在于包括一绝缘基体，所述绝缘基体的两端各设置有一金属帽，所述绝缘基体为圆柱状结构，所述绝缘基体上设有ー层电阻膜，所述电阻膜的两端分别与所述绝缘基体两端的金属帽连接，所述绝缘基体两端的金属帽分别外接一引脚，所述绝缘基体的外层还设置有ー层散热层，所述电阻膜包裹于所述散热层内。2.根据权利要求I所述的耐强冲击型熔断电阻器，其特征在于所述电阻膜上刻有螺纹型的槽。3.根据权利要求I所述的耐强冲击型熔断电阻器，其特征在于所述电阻膜厚度为0. 03mmo4.根据权利要求I所述的耐强冲击型熔断电阻器，其特征在于所述电阻膜材质为镍磷合金。专利摘要本技术提供了一种耐强冲击型的熔断电阻器，包括一绝缘基体，所述绝缘基体的两端各设置有一金属帽，所述绝缘基体为圆柱状结构，所述绝缘基体上设有一层电阻膜，所述电阻膜的两端分别与所述绝缘基体两端的金属帽连接，所述绝缘基体两端的金属帽分别外接一引脚，所述绝缘基体的外层还设置有一层散热层，所述电阻膜包裹于所述散热层内。本技术结构简单、成本低、耐强冲击性能，在36倍于额定电流的情况下，电阻膜熔断时间在1-30秒内；225倍额定电流，电阻膜熔断时间在0.2秒至2秒内；900倍额定电流，电阻膜熔断时间在20毫秒至200毫秒内。文档编号H01C7/13GK202405026SQ20112046144公开日2012年8月29日 申请日期2011年11月17日 优先权日2011年11月17日专利技术者朱丰, 朱奇, 韩秀芬 申请人:深圳市格瑞特电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：韩秀芬，朱丰，朱奇，
申请(专利权)人：深圳市格瑞特电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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