发光二极管制造技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管(“LED”)，其包括：基底；发光单元，位于基底上并且产生光；封装层，覆盖发光单元的整个暴露表面；以及覆层，包括有机材料并且位于封装层上。覆层的折射率大于空气的折射率并且小于封装层的折射率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管(“LED”)。
技术介绍
LED基本上由p型和n型的半导体结制成，并且是使用将与半导体带隙相对应的能量作为光来发射的发光半导体的元件，其中，光是在电压的施加下通过电子和空穴的复合而形成的。与传统灯泡相比，LED具有各种优点，诸如小尺寸和轻重量、更长寿命、更低发热量以及高响应速度，因此被用于各种电气和电子产品。 LED通常包括LED芯片以及保护LED芯片的密封剂。密封剂通常由诸如硅树脂的材料形成，但是其对于耐湿的保护较弱。此外，用在LED的结构中的材料的折射率比空气的折射率大很多，使得反射的产生较严重，结果降低了发光效率。在
技术介绍
部分中披露的以上信息仅用于增进对本专利技术的
技术介绍
的理解，因此，其可以包含不构成在该国对本领域技术人员来说已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施方式提供了ー种包括防止反射造成的光损耗并具有耐湿性的覆层的发光二极管(“LED”)。本专利技术的不例性实施方式提供了ー种LED,包括基底,位于基底上并且产生光的发光单元，覆盖发光単元的封装层，以及包括有机材料并且位于封装层上的覆层。覆层的折射率大于空气的折射率并且小于封装层的折射率。覆层可以包括油酸、棕榈酸、二十碳烯酸、芥酸中的至少ー种。封装层在其内可以包括荧光体。荧光体可以是氧化物基团化合物或氮化物基团化合物。荧光体可以包括在具有P型氮化硅(Si3N4)晶体结构的晶体中包括铕(Eu)的氮化物晶体或氮氧化物晶体。荧光体可以包括绿色波长范围的(Ba,Sr，Ca)2Si04:Eu2+、Ba2MgSi2O7:Eu2+、Ba2ZnSi2O7: Eu2+、BaAl2O4: Eu2+、SrAl2O4 :Eu2+> BaMgAl10O17: Eu2+, Mn2+ 和 BaMg2Al16O27: Eu2+ 中的至少ー种。荧光体可以包括蓝色波长范围的BaMg2Al16O27IEu2+, Sr4Al14O25: Eu2+、BaAl18O13:Eu2+, (Sr, Mg, Ca, Ba) 5 (PO4) 3C1:Eu2+ 和 Sr2Si3O8 2SrCl2:Eu2+ 中的至少ー种。荧光体可以包括红色波长范围的作为氧化物基团的Y203:Eu3+，Bi3+(Sr，Ca, Ba, Mg, Zn)2P207:Eu2+，Mn2+ (Ca, Sr, Ba, Mg, Zn) 10(PO4)6(F, Cl，Br, OH)2:Eu2+,Mn2+ (Gd，Y，Lu，La) 203:Eu3+, Bi3+(Gd，Y，Lu，La) BO3:Eu3+, Bi3+(Gd，Y，Lu，La)(P, V) O4:Eu3+, Bi3+ (Ba, Sr, Ca)MgP2O7:Eu2+, Mn2+ (Y，Lu)2W06:Eu3+，Mo6+和(Sr, Ca,Ba, Mg, Zn)2Si04:Eu2+, Mn2+以及作为氮化物基团的(Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+ (Ba, Sr,Ca)2Si5N8:Eu2+和(Ba，Sr, Ca)2Si04_xNy:Eu2+ 中的至少ー种。封装层可以包括环氧树脂或硅树脂。发光单元所产生的光可顺次穿过封装层和覆层。覆层可以包括下层以及设置在下层上的上层。上层包括具有比下层的材料更低折射率的材料。成型框可位于基底的上表面上，发光单元和封装层可位于成型框的内部。覆层可以从封装层延伸并且覆盖成型框的侧面的一部分。封装层可以包括具有不同折射率的双层。 封装层可以包括覆盖发光単元的下封装层，以及位于下封装层上的上封装层。上封装层的折射率小于下封装层的折射率。在本专利技术的示例性实施方式中，覆层可以包括具有强耐湿性的材料。该覆层降低了 LED的折射率与空气的折射率之间的差，从而可靠性和光效率可以同时提高。附图说明通过參照附图进一步详细描述其示例性实施方式，本专利技术的上述及其他特征将变得显而易见，其中图I为根据本专利技术的发光二极管(“LED”)的示例性实施方式的截面图；图2为根据本专利技术的LED的另ー示例性实施方式的截面图；图3为根据本专利技术的LED的另ー示例性实施方式的截面图。具体实施例方式下文将參照附图(其中示出了本专利技术的示例性实施方式)更充分地描述本专利技术。然而，应理解，本专利技术不限于所公开的实施方式，并且相反地，g在覆盖各种实施方式。如本领域技术人员可理解的，所公开的实施方式可以以各种方式进行修改，均不背离本专利技术的精神和范围。在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜、板、区域等的厚度。应理解，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称为“位于另一元件之上”时，其可以直接位于其他元件上，或也可以存在中间元件。在本申请文件全文中，相似的參考标号表示相似的元件。应理解，尽管文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用来区分ー个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分。因此，以下所讨论的第一元件、组件、区域、层或部分也可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分，而不背离本专利技术的教导。文中可能使用诸如“下”、“上”等的空间关系术语以方便地描述图中示出的ー个元件或特征与其他元件或特征的关系。应理解，空间关系术语_在除了包括图中描绘的方位之外，还包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果图中的装置翻转，则相对于其他元件或特征被描述为“下”的元件将相对于其他元件或特征朝向“上”。因此，示例性术语“在……之下”可以包含“在……之上”和“在……之下”这两个方位。装置可以处于其他方位(旋转90度或在其他方位)，并且文中所使用的空间关系描述语被相应地解释。文中使用的术语仅用于描述具体实施方式，并非意在限制本专利技术。如文中所使用的，単数形式的“ー个(a)”、“ー个(an)”、“该(the) ”意在也包括复数形式，除非上下文明确表示并非如此。进ー步可理解，当在本申请文件中使用术语“包括(comprises) ”和/或“包括(comprising) ”时,指明所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除ー个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合的存在或追カロ。文中參照作为本专利技术的理想化实施方式(以及中间结构)的示意图的截面图描述了本专利技术的实施方式。因此，例如由于制造技术和/或公差造成的与示图中的形状的差异是可以预期的。因此，本专利技术的实施方式不应被解释为限于文中所示的区域的特定形状，而是可以包括例如由于制造引起的形状的变形。除非另外限定，文中使用的所有术语(包括科技术语)具有与本专利技术所属
的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。进ー步可理解，诸如那些在常用字典中定义的术语，应被解释为具有与其在相关技术的环境下的含义一致的含义，并且不应被解释 为理想化的或过于刻板的含义，除非文中表述了如此定义。文中描述的所有方法可以以适当的顺序执行，除非文中指出并非如此或者通过上下文来看是明显矛盾的。任意的和所有的实例或示例性语言(例如，“诸如”)的使用仅旨在更好地示出本专利技术，而不是对本专利技术的范围的限制，除非另外声明。申请文件中的所有语言均不应被解释为表示任何未声明的元件对于文中所使用的专利技术的实施是必要的。下文中，将參照附图详本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
2011.02.25 KR 10-2011-00170631.ー种发光二极管，包括 基底； 发光单元，位于所述基底上，并且产生光； 封装层，覆盖所述发光单元；以及 覆层，包括有机材料，并且位于所述封装层上， 其中，所述覆层的折射率大于空气的折射率并且小于所述封装层的折射率。2.根据权利要求I所述的发光二极管，其中， 所述覆层包括油酸、棕榈酸、二十碳烯酸、芥酸中的至少ー种。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中， 所述封装层在其内包括荧光体。4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中， 所述荧光体是氧化物基团化合物或氮化物基团化合物。5.根据权利要求4所述的发光二极管，其中， 所述荧光体包括在具有β型氮化硅(Si3N4)晶体结构的晶体中包括铕(Eu)的氮化物晶体或氮氧化物晶体。6.根据权利要求4所述的发光二极管，其中， 所述荧光体包括緑色波长范围的(Ba, Sr，Ca)2Si04:Eu2+、Ba2MgSi2O7 :Eu2+、Ba2ZnSi2O7: Eu2+、BaAl2O4: Eu2+、SrAl2O4 :Eu2+> BaMgAl10O17: Eu2+, Mn2+ 和 BaMg2Al16O27: Eu2+ 中的至少ー种。7.根据权利要求4所述的发光二极管，其中， 所述突光体包括蓝色波长范围的 BaMg2Al16O27:Eu2+、Sr4Al14O25:Eu2+、BaAl18O13:Eu2+、(Sr, Mg, Ca, Ba) 5 (PO4) 3C1:Eu2+ 和 Sr2Si3O8 · 2SrCl2:Eu2+ 中的至少ー种。8.根据权利要求4所述的发光二极管，其中， 所述荧光体包括红色波长范围的作为氧化物基团的Y203:Eu3+，Bi3+· · (Sr, Ca, Ba, Mg,Zn)...

【专利技术属性】
技术研发人员：李荣培，申明洲，白昇桓，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：