本发明专利技术提供了一种TFT阵列基板、制造方法及显示装置，涉及显示装置制造领域，以解决在形成过孔后，过孔的树脂层侧壁与钝化层侧壁之间形成内阶梯状的倒钩角，导致像素电极断裂，产品良率下降的问题。TFT阵列基板制造方法包括：在形成有钝化层薄膜以及树脂层薄膜的TFT阵列基板上通过构图工艺去除需要设置过孔处的树脂，形成树脂层过孔；对该树脂层过孔下方的钝化层进行刻蚀形成贯穿树脂层薄膜和钝化层薄膜的过孔，以暴露出TFT的漏极或引线；利用刻蚀工艺处理该过孔，使该过孔的树脂层侧壁和钝化层侧壁平缓衔接。本发明专利技术实施例用于制造TFT-LCD以及OLED显示装置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示装置制造领域，尤其涉及ー种TFT阵列基板、制造方法及显示装置。
技术介绍
对于TFT-LCD(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)及OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光半导体)显示装置而言，TFT 阵列基板的质量尤为重要。在现有的TFT阵列基板制造方法中，需要在已经形成TFT结构的基板上先沉积ー层钝化层，通常为了进一歩提高产品的开ロ率，还需要在钝化层表面涂覆ー层树脂层，再在TFT的漏电极上方利用构图エ艺形成过孔以连接像素电极。由于エ艺的原因，如图I所示，在形成过孔之后，由于树脂层12刻蚀的速率比钝化层11的刻蚀速率小的多，因而钝化层11的横向刻蚀距离要比树脂层12的横向刻蚀距离大，使得刻蚀后的树脂层12与钝化层11之间形成内阶梯状的倒钩角(如图I中A区域所示)，这将导致在后续エ序中，沉积像素电极层时，会使像素电极断裂。可见，现有的TFT阵列基板制造方法尚难以解决在形成过孔后，过孔的树脂层侧壁与钝化层侧壁之间形成内阶梯状的倒钩角，从而导致像素电极断裂，产品良率的下降。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供ー种TFT阵列基板、制造方法及液晶显示装置，以解决在形成过孔后，过孔的树脂层侧壁与钝化层侧壁之间形成内阶梯状的倒钩角，导致像素电极断裂，产品良率下降的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一方面，提供ー种TFT阵列基板的制造方法，包括在形成有钝化层薄膜以及树脂层薄膜的TFT阵列基板上通过构图エ艺去除需要设置过孔处的树脂，形成树脂层过孔。对所述树脂层过孔下方的钝化层进行刻蚀形成贯穿所述树脂层薄膜和所述钝化层薄膜的过孔，以暴露出所述TFT的漏极或引线。利用刻蚀エ艺处理所述过孔，使所述过孔的树脂层侧壁和钝化层侧壁平缓衔接。另ー方面，提供ー种利用上述的方法制作的TFT阵列基板，包括形成有钝化层薄膜以及树脂层薄膜的TFT阵列基板，在所述TFT阵列基板上形成有贯穿所述钝化层薄膜以及树脂层薄膜的过孔。所述过孔的树脂层侧壁和钝化层侧壁平缓衔接。另ー方面，提供一种显示装置，包括如上所述的TFT阵列基板。本专利技术实施例提供的TFT阵列基板、制造方法及显示装置，ー种TFT阵列基板的制造方法包括在形成有钝化层薄膜以及树脂层薄膜的TFT阵列基板上通过构图エ艺去除需要设置过孔处的树脂，形成树脂层过孔；对该树脂层过孔下方的钝化层进行刻蚀形成贯穿树脂层薄膜和钝化层薄膜的过孔，以暴露出TFT的漏极或引线；利用刻蚀エ艺或灰化工艺处理该过孔，优选的，使用灰化工艺处理该过孔，使该过孔的树脂层侧壁和钝化层侧壁平缓衔接。采用这样ー种方法，通过刻蚀エ艺或灰化工艺处理过孔，使该过孔的树脂层侧壁和钝化层侧壁平缓衔接，从而解决了现有技术在形成过孔后，过孔的树脂层侧壁与钝化层侧壁之间形成内阶梯状的倒钩角，导致像素电极断裂，产品良率下降的问题，从而大大提高了显示装置的质量。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技 术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为现有技术中的过孔结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的ー种TFT阵列基板制造方法流程图；图3为本专利技术实施例提供的另ー TFT阵列基板制造方法流程图；图4为本专利技术实施例提供的又一 TFT阵列基板制造方法流程图；图5为本专利技术实施例提供的ー种TFT阵列基板的过孔结构示意图。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了ー种TFT阵列基板制造方法，如图2所示，包括S201、在形成有钝化层薄膜以及树脂层薄膜的TFT阵列基板上通过构图エ艺去除需要设置过孔处的树脂，形成树脂层过孔。S202、对该树脂层过孔下方的钝化层进行刻蚀形成贯穿树脂层薄膜和钝化层薄膜的过孔，以暴露出TFT的漏极或引线。S203、利用刻蚀エ艺处理该过孔，使该过孔的树脂层侧壁和钝化层侧壁平缓衔接。本专利技术实施例提供的TFT阵列基板制造方法。包括在形成有钝化层薄膜以及树脂层薄膜的TFT阵列基板上通过构图エ艺去除需要设置过孔处的树脂，形成树脂层过孔；对该树脂层过孔下方的钝化层进行刻蚀形成贯穿树脂层薄膜和钝化层薄膜的过孔，以暴露出TFT的漏极或引线；利用刻蚀エ艺处理该过孔，优选的，使用灰化工艺处理该过孔，使该过孔的树脂层侧壁和钝化层侧壁平缓衔接。采用这样ー种方法，通过刻蚀エ艺处理过孔，使该过孔的树脂层侧壁和钝化层侧壁平缓衔接，从而解决了现有技术在形成过孔后，过孔的树脂层侧壁与钝化层侧壁之间形成内阶梯状的倒钩角，导致像素电极断裂，产品良率下降的问题，从而大大提高了显示装置的质量。本专利技术另一实施例提供了ー种TFT阵列基板制造方法，如图3所示，包括S301、在透明基板上依次形成栅金属层、栅绝缘层薄膜、有源层、源漏金属层；其中，栅金属层包括栅线以及TFT的栅电极，源漏金属层包括数据线、以及TFT的源电极和漏电极。具体的，在透明基板上依次形成栅金属层、栅绝缘层薄膜、有源层、源漏金属层的过程可以參照现有技术，利用构图エ艺，通过曝光、显影、刻蚀エ序依次形成栅金属层、栅绝缘层薄膜、有源层、源漏金属层。S302、在源漏金属层上制作钝化层薄膜以及树脂层薄膜。具体的，可以采用化学气相沉积法在已形成栅金属层、栅绝缘层薄膜、有源层、源 漏金属层的透明基板上沉积形成钝化层薄膜，其材料通常是氮化硅、氧化硅或透明的有机树脂材料。在已沉积钝化层薄膜的透明基板上涂覆树脂形成树脂层薄膜。其中，树脂层薄膜可以为感光树脂，或不感光的一般透明树脂材料，优选的使用感光树脂材料。S303、当树脂层采用感光树脂材料时，利用构图エ艺对树脂层曝光显影形成树脂层过孔。S304、利用灰化工艺处理该树脂层过孔处的残留树脂。具体的，可以在含氟气体和氧气的环境中利用灰化工艺将树脂层过孔中的残留树脂去除，其中，含氟气体的流量可以在20-100sccm之间，氧气的流量可以在500-1000sccm之间，氧气和含氟气体的质量比可以在8 1-12 I之间。采用这样ー种方法，通过将树脂层过孔中的残留树脂去除，可以使得树脂层过孔下方的钝化层完全去除，使得像素电极层与过孔底部的TFT的漏极或引线良好贴合。从而解决了现有技术在过孔刻蚀过程中产生刻蚀残留，导致像素电极层与过孔底部的TFT的漏极或引线接触不良的问题。S305、对该树脂层过孔下方的钝化层进行刻蚀形成贯穿树脂层薄膜和钝化层薄膜的过孔，以暴露出TFT的漏极或引线。具体的，可以在含氟气体和氧气的环境中利用构图エ艺处理树脂层过孔以暴露出TFT的漏极或引线，形成过孔，其中，含氟气体的流量可以在300-600SCCm之间，氧气的流量可以在300-800sccm之间，氧气和含氟气体的质量比可以在I : 3_1 I之间。当本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括 在形成有钝化层薄膜以及树脂层薄膜的TFT阵列基板上通过构图工艺去除需要设置过孔处的树脂，形成树脂层过孔； 对所述树脂层过孔下方的钝化层进行刻蚀形成贯穿所述树脂层薄膜和所述钝化层薄膜的过孔，以暴露出所述TFT的漏极或引线； 利用刻蚀工艺处理所述过孔，使所述过孔的树脂层侧壁和钝化层侧壁平缓衔接。2.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述树脂层采用感光树脂材料； 所述形成树脂层过孔包括利用构图工艺对所述树脂层曝光显影形成所述树脂层过孔； 利用灰化工艺处理所述树脂层过孔处的残留树脂。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用灰化工艺处理所述树脂层过孔处的残留树脂包括 在含氟气体和氧气的环境中利用灰化工艺将所述树脂层过孔中的残留树脂去除，其中，所述含氟气体的流量在20-100sccm之间,所述氧气的流量在500-1000sccm之间,氧气和含氟气体的质量比在为8 1-12 I之间。4.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，所述树脂层采用非感光树脂材料； 所述形成树脂层过孔包括利用构图工艺刻蚀形成所述树脂层过孔。5.根据权利要求I所述的方法，其特征在于，对所述树脂层过孔下方的钝化层进行刻蚀包括 在含氟气体和氧气的环境中对所述树脂层过孔下方的钝化层进...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹占锋，童晓阳，姚琪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。