【技术实现步骤摘要】
本技术涉及玻璃表面溅镀设备的
,特指ー种玻璃表面溅镀设备氩气通气管改进结构。
技术介绍
如图I所示,设备溅镀时,通过气管进行通入氩气,氩气在电场作用下,氩气进行电离,在磁场作用力下,进行高速撞击铟锡靶材,形成电浆,附着在基板上。如图2所示,现有的设备是使用単元双出气管1,利用上气孔11和下气孔12出气,在真空状态下溅镀。但是,如图3和图4所示,在使用吋,上气孔11和下气孔12位置相对在待溅镀玻璃2两端,上气孔11可以通入气体,可以有充分的气体进行电离、溅镀,中间位置没有气孔,没有充分的气体进行电离、溅镀,下气孔12可以通入气体,可以有充分的气体进行电离、溅镀;导致电 离后的电浆比较难落在中间位置,比较难满足中间的膜厚,导致直流溅镀ITO (铟锡金属氧化物,在化学上,ITO是Indium Tin Oxides的缩写)导电膜的上、中、下膜厚均勻性会达到0.5%以上,均匀性很差。因此,本专利技术人对此做进ー步研究,研发出ー种玻璃表面溅镀设备氩气通气管改进结构,本案由此产生。
技术实现思路
本技术的目的在于提供ー种玻璃表面溅镀设备氩气通气管改进结构,以便提高直流溅镀ITO导电膜均匀性。为了实现上述目的,本技术的技术方案如下ー种玻璃表面溅镀设备氩气通气管改进结构,包括単元双出气管,単元双出气管具有上气孔和下气孔,在上气孔处向上延伸出第一出气孔,向下延伸出第二出气孔;在下气孔处向上延伸出第三出气孔,向下延伸出第四出气孔。优选的,第一出气孔和第四出气孔超出待溅镀玻璃60毫米。优选的,第一出气孔到第二出气孔距离为142毫米,第二出气孔到第三出气孔距离为387毫米,第三出气 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.ー种玻璃表面溅镀设备氩气通气管改进结构,包括単元双出气管,単元双出气管具有上气孔和下气孔,其特征在于在上气孔处向上延伸出第一出气孔,向下延伸出第二出气孔;在下气孔处向上延伸出第三出气孔,向下延伸出第四出气孔。2.如权利要求I所述的ー种玻璃表面溅镀设备氩气通气...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢隆兴,陈康,郭卓越,
申请(专利权)人:宸阳光电科技厦门有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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