从蒸镀头喷射的成膜材料，在被处理基板和处理室或者其他的蒸镀头之间反冲，成膜材料附着于与应被蒸镀的位置不同的部位，或者作为杂质混入来自各成膜材料喷出部的蒸气混合的相邻的膜中。本发明专利技术是一种成膜装置(1)，具有：收纳被处理基板(被处理基板G)的处理室(11)；和向该被处理基板喷出成膜材料的蒸气的成膜材料喷出部(13)，该成膜装置(1)，在处理室(11)的内部具有捕捉部(16、16)，其捕捉从成膜材料喷出部(13)喷出的，被被处理基板(被处理基板G)反冲的成膜材料。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有向被处理基板喷出成膜材料的蒸气的成膜材料喷出部的成膜装置。
技术介绍
在专利文献I中公开有采用蒸镀法制造有机EL元件的成膜装置。成膜装置具有收纳玻璃基板等的被处理基板的处理室，产生成膜材料的蒸气的蒸气发生部被配置于处理室的外部。在处理室的内部设置有成膜材料喷出部，其通过配管与蒸气发生部连接，并将在蒸气发生部产生的成膜材料的蒸气向玻璃基板喷出。成膜材料喷出部具有并列设置的多个蒸镀头，各蒸镀头各自喷出不同的成膜材料。 现有技术文献专利文献I :国际公开2008/066103号手册
技术实现思路
专利技术想要解决的问题本申请专利技术者，发现如下问题从蒸镀头喷射的成膜材料，在被处理基板和处理室或者其他的蒸镀头之间反冲，成膜材料附着于与应被蒸镀的位置不同的部位，或者从各成膜材料喷出部的蒸气相互混合而作为杂质混入相邻的膜中。其中，专利文献I记载的成膜装置并未公开成膜材料的反冲的问题以及解决该问题的结构。用于解决课题的方法本专利技术涉及的成膜装置，具有收纳被处理基板的处理室；和向该被处理基板喷出成膜材料的蒸气的成膜材料喷出部，该成膜装置的特征在于，包括在上述处理室的内部具有捕捉部，其捕捉从上述成膜材料喷出部喷出的、在上述被处理基板反冲的成膜材料。在本专利技术中，通过捕捉部捕捉在被处理基板反冲的成膜材料。因此，能够防止从蒸镀头喷射的成膜材料在被处理基板和处理室或者其他的蒸镀头之间反冲的问题。专利技术效果采用本专利技术，能够防止从蒸镀头喷射的成膜材料，在被处理基板和处理室或者其他的蒸镀头之间反冲，成膜材料附着于与应被蒸镀的位置不同的部位，或者作为杂质混入来自各成膜材料喷出部的蒸气混合的相邻的膜中。附图说明图I是概念地说明本实施方式涉及的成膜系统的ー个结构例子的说明图。图2是模式地表示成膜装置的一个结构例子的立体图。图3是模式地表示成膜装置的一个结构例子的侧截面图。图4是图3的IV-IV线的截面图。图5是第I蒸镀头的底视图。图6是表示本实施方式涉及的捕捉部的一个结构例子的侧截面图。图7是概念地表示捕捉部的作用的说明图。图8是模式地表示用于说明捕捉部的作用的实验装置的侧面图。图9是表示变形例I涉及的捕捉部的一个结构例子的侧截面图。图10是表示变形例2涉及的捕捉部的一个结构例子的侧截面图。 图11是概念地说明变形例3涉及的成膜装置的一个结构例子的图。图12是表示变形例3涉及的捕捉部的一个结构例子的侧截面图。图13是表示变形例4涉及的捕捉部的一个结构例子的侧截面图。具体实施例方式以下，基于表示该实施方式的图，对本专利技术进行详述。图I是概念地说明本实施方式涉及的成膜系统的ー个结构例子的说明图。本实施方式涉及的成膜系统，包括沿被处理基板G(參照图3)的搬送方向按串联的顺序排列的装载机90 ;传递腔室91 ;成膜装置I ;传递腔室92 ;蚀刻装置93 ;传递腔室94 ;溅射装置95 ；传递腔室96 ；CVD装置97 ;传递腔室98和卸载机99。装载机90是用于将被处理基板G例如预先在表面形成有ITO层的玻璃基板G搬入到成膜系统内的装置。传递腔室91、92、94、96、98是用于在各处理装置之间交接被处理基板G的装置。成膜装置I是用于利用真空蒸镀法，在被处理基板G上形成空穴注入层；空穴输送层；蓝色发光层；红色发光层；绿色发光层以及电子输送层乃至电子注入层的装置。详细在后文述说。蚀刻装置93是用于将有机层的形状调整为规定形状的装置。溅射装置95是使用图案掩膜，例如通过溅射银Ag、镁Mg/银Ag合金等，在电子输送层上形成阴极层的装置。CVD装置97是用于通过CVD法成膜由氮化膜等形成的密封层，密封在玻璃基板G上形成的各种膜的装置。卸载机99是用于将被处理基板G向成膜系统外搬出的装置。图2是模式地表示成膜装置I的一个结构例子的立体图，图3是模式地表示成膜装置I的一个结构例子的侧截面图，图4是图3的IV-IV线截面图。成膜装置1，包括收纳被处理基板G的处理室11 ;和向被处理基板G喷出成膜材料的蒸汽的成膜材料喷出部13。处理室11呈以搬送方向为长边方向的中空的大致长方体的形状，由铝、不锈钢等构成。在处理室11的长边方向的一端侧的面(图2中的背面侧的面)形成有用于将被处理基板G搬入处理室11内的搬入ロ 11a，在长边方向的另一端侧的面(图2中的前面侧的面)形成有用于将被处理基板G向处理室11外搬出的搬出ロ lib。搬入ロ Ila和搬出ロ Ilb是具有与搬入方向正交的长边方向的狭缝形状，搬入ロ Ila和搬出ロ Ilb的长边方向大致相同。以下，将搬入口 IIa和搬出ロ Ilb的长边方向称为横方向,将与该横方向和搬送方向正交的方向称为上下方向。另外，在收纳室的适当位置形成有排气孔11c，排气孔Ilc经由排气管14与配置于处理室11的外部的真空泵15连接。通过驱动真空泵15，处理室11的内部被减压至规定的压カ例如10_2Pa。在处理室11内部的底部设置有将被处理基板G从搬入口 Ila—侧向搬出ロ Ilb一侧输送的搬送装置12。搬送装置12，包括在处理室11的底部在长边方向上设置的导向轨12a ;被该导向轨12a引导，以能够向搬送方向即上述长边方向移动的方式设置的移动部件12b ;和设置于移动部件12b的上端部，以与底部大致平行的方式支承被处理基板G的支承台12c。在支承台12c的内部设置有保持被处理基板G的静电卡盘、用于将被处理基板G的温度保持不变的加热器、制冷剂管等。其中，支承台12c被构成为通过直线电动机可以进行移动。另外，在处理室11的上部、在搬送方向大致中央部设置有通过真空蒸镀法对被处理基板G进行成膜的成膜材料喷出部13。成膜材料喷出部13构成为，沿搬送方向依次配置有向所述被处理基板分别喷出多种成膜材料的蒸气的多个蒸镀头，即使空穴注入层蒸镀的第一蒸镀头13a ;使空穴输送层蒸镀的第二蒸镀头13b ;使蓝色发光层蒸镀的第三蒸镀头13c ;使红色发光层蒸镀的第四蒸镀头13d ;使绿色发光层蒸镀的第五蒸镀头13e以及使电子输送层蒸镀的第六蒸镀头13f。成膜材料喷出部13经由配管18a与配置于处理室11的外部的蒸气发生部17连接。在图4中代表地图示第一蒸镀头13a与配管18a连接的结构，但是另外的第二乃至第六蒸镀头13b、13c、13d、13e、13f也是同样的结构。以下，主要关于第一蒸镀头13a和蒸气发生部17的结构进行说明。蒸气发生部17，包括容器17a和配置于容器17a的内部的加热机构17b。加热机构17被构成为，通过从电源供给的电力对作为各层的材料的有机类的成膜材料17c进行加热。例如，被构成为利用电阻进行加热。这样，加热收纳于容器17a的成膜材料17c，产生有机类的成膜材料17c的蒸气。另外，容器17a与对被处理基板G供给由惰性气体例如包括Ar等的稀有气体等组成的输送气体的输送气体供给管18b连接。在配管18a和输送气体供给管18b各自设置有用于调节输出气体和蒸气量的调整阀18c、18d。另外，在各部设置有加热配管18a、输送气体供给管18b和第一蒸镀头13a的未图示的加热器。加热器是用于防止成膜材料17c的蒸气附着到管内的部件。被构成为将成膜材料17c的蒸气与从输送气体供给管18b被供给到容器17a并被加热至蒸气温度的输送气体一起，从蒸气发本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2011.02.16 JP 2011-0312151.一种成膜装置，具有收纳被处理基板的处理室；和将成膜材料的蒸气向该被处理基板喷出的成膜材料喷出部，该成膜装置的特征在于，包括 在所述处理室的内部具有捕捉部，该捕捉部对从所述成膜材料喷出部喷出并且在所述被处理基板反冲的成膜材料进行捕捉。2.如权利要求I所述的成膜装置，其特征在干 所述捕捉部具有从所述成膜材料喷出部喷出并且在所述被处理基板反冲的成膜材料所进入的多个间隙或孔部。3.如权利要求I或2所述的成膜装置，其特征在于 所述捕捉部具有对置的多个板部。4.如权利要求3所述的成膜装置，其特征在于 具有对所述被处理基板进行支承的支承台， 所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：金子裕是，林辉幸，小野裕司，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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