一种阵列基板及其制造方法和显示设备技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法和显示设备，涉及电子工艺技术，通过改善蚀刻阻挡层的设计，使蚀刻阻挡层的面积大于或等于活化层的面积，并在源电极层、漏电极层与活化层的连接处设置有通孔，进而避免源电极层、漏电极层或活化层在与蚀刻阻挡层搭界时出现额外的台阶爬坡。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子工艺技术，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法和显示设备。
技术介绍
有机发光显示器是新一代的显示器件，与液晶显示器相比，具有很多优点，如自发光，响应速度快，宽视角等等，可以用于柔性显示，透明显示，3D显示等。在有源矩阵有机发光显示器中，每一个像素均通过薄膜晶体管控制该像素的开关，因此通过驱动电路，可以独立控制每一个像素，不会对其他像素造成串扰等影响。 阵列基板中包括薄膜晶体管和栅极引出区或源极引出区，薄膜晶体管至少包含栅极、源极、漏极、栅绝缘层和活化层。目前，活化层主要为硅，可以采用非晶硅或者多晶硅。采用非晶硅作为活化层的薄膜晶体管时，因其特性的限制(如迁移率、开态电流等)，难以用于需要较大电流和快速响应的场合，如有机发光显示器和大尺寸、高分辨率、高刷新频率的显示器等。采用多晶硅作为活化层的薄膜晶体管，其特性优于非晶硅，可以用于有机发光显示器；但是因其均匀性不佳，制备中大尺寸的面板仍有困难。虽然可用增加补偿电路的方法处理多晶硅特性不均匀的问题，但同时增加了像素中的薄膜晶体管和电容的数量，增加了掩膜数量和制作难度，造成产量减低和良率下降。另外，如果采用诸如ELA(准分子激光退火)等的LTPS(低温多晶硅)技术来对非晶硅进行晶化，还需要增加昂贵的设备和维护费用。因此，氧化物半导体日益受到重视。氧化物半导体为活化层的薄膜晶体管的特性优于非晶硅，如迁移率、开态电流、开关特性等。虽然特性不如多晶硅，但足以用于需要快速响应和较大电流的应用，如高频、高分比率、大尺寸的显示器以及有机发光显示器等。氧化物的均匀性较好，与多晶硅相比，由于没有均匀性问题，不需要增加补偿电路，在掩膜数量和制作难度上均有优势。在制作大尺寸的显示器方面难度也较小。而且采用溅射等方法就可以制备，不需增加额外的设备，具有成本优势。目前，在氧化物阵列基板的制作过程中，在形成蚀刻阻挡层后形成源电极层和漏电极层，图Ia和图Ib为阵列基板截面图，包括基板100、栅电极层101、栅极绝缘层102、活化层103、蚀刻阻挡层104、源电极层105a、漏电极层105b、钝化层106以及透明电极层107，该蚀刻阻挡层104的设计，使得源电极层105a、漏电极层105b与蚀刻阻挡层104搭界的地方多了一次台阶爬坡，在这地方容易造成源电极层105a、漏电极层105b的断线或活化层103的过蚀刻，影响产品的良率。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制造方法和显示设备，以避免源电极层、漏电极层或活化层在与蚀刻阻挡层搭界时出现额外的台阶爬坡，提高产品良率。一种阵列基板，包括基板、栅电极层、栅极绝缘层、活化层、蚀刻阻挡层、源电极层、漏电极层、钝化层以及透明电极层，其中所述蚀刻阻挡层的面积大于或等于所述活化层的面积，并设置有用于源电极层、漏电极层与活化层连接的通孔。一种阵列基板制造方法，包括在基板上依次形成栅电极层、栅极绝缘层、活化层以及蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层的面积大于或等于所述活化层的面积；形成用于活化层与源电极层、漏电极层连通的第一通孔；形成源电极层和漏电极层，所述源电极层和所述漏电极层通过所述第一通孔连接所述活化层；形成钝化层，并对所述钝化层进行蚀刻；形成透明电极层，所述透明电极层与所述源电极层、所述栅电极层连接。一种阵列基板制造方法，包括在基板上依次形成源电极层、漏电极层、蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层的面积大于或等于活化层的面积；形成用于活化层与源电极层、漏电极层连通的第一通孔；形成活化层以及栅极绝缘层，所述活化层通过所述第一通孔连接所述源电极层、漏电极层；形成栅电极层； 形成钝化层，并对所述钝化层进行蚀刻；形成透明电极层，所述透明电极层与所述栅电极层、所述源电极层连接。一种显示设备，包括本专利技术实施例提供的阵列基板。本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制造方法和显示设备，通过改善蚀刻阻挡层的设计，使蚀刻阻挡层的面积大于或等于活化层的面积，并在源电极层、漏电极层与活化层的连接处设置有通孔，进而避免源电极层、漏电极层或活化层在与蚀刻阻挡层搭界时出现额外的台阶爬坡。附图说明图Ia和图Ib为现有技术中底栅结构的阵列基板截面图；图2a和图2b为本专利技术实施例提供的底栅结构的阵列基板截面图；图3a和图3b为本专利技术实施例提供的顶栅结构的阵列基板截面图；图4a为本专利技术实施例提供的底栅结构的阵列基板制造方法流程图；图4b_图4k为本专利技术实施例提供的底栅结构的阵列基板制造方法中各步骤对应的阵列基板截面图；图5a为本专利技术实施例提供的顶栅结构的阵列基板制造方法流程图；图5b_图5m为本专利技术实施例提供的顶栅结构的阵列基板制造方法中各步骤对应的阵列基板截面图。具体实施例方式本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制造方法和显示设备，通过改善蚀刻阻挡层的设计，使蚀刻阻挡层的面积大于或等于活化层的面积，并在源电极层、漏电极层与活化层的连接处设置有通孔，进而避免源电极层、漏电极层或活化层在与蚀刻阻挡层搭界时出现额外的台阶爬坡。如图2a和图2b所示，本专利技术实施例提供的阵列基板，包括基板100、栅电极层101、栅极绝缘层102、活化层103、蚀刻阻挡层104、源电极层105a、漏电极层105b、钝化层106以及透明电极层107，其中蚀刻阻挡层104的面积大于或等于活化层103的面积，并设置有用于源电极层105a和漏电极层105b与活化层103连接的通孔。 由于蚀刻阻挡层104的面积大于或等于活化层103的面积，并通过通孔的方式使得源电极层105a和漏电极层105b与活化层103连接，所以避免了源电极层、漏电极层或活化层在与蚀刻阻挡层搭界时出现额外的台阶爬坡。为便于控制蚀刻阻挡层104的形成，该蚀刻阻挡层104可以进一步覆盖整个基板，并在栅极弓I出区或源极弓I出区设置有通孔。由于在氧化物阵列基板的背板制作过程中，引出源电极层105a、漏电极层105b和栅电极层101时，通常是对钝化层106和栅极绝缘层102过孔来实现，该制作过程存在的很多缺点如引出栅电极层的孔较深，蚀刻难度较大，透明电极层107在连接栅电极层101时也容易断线；引出源电极层105a、漏电极层105b的孔和引出栅电极层101的孔深度不同，蚀刻孔时对源电极层105a、漏电极层105b和栅极绝缘层102的选择比要求很高，工艺稍有波动便会导致源源电极层105a、漏电极层105b的金属被过刻或栅极绝缘层102蚀刻不完全。由于引出栅电极的孔太深，最典型的深度是600nm，在这个深度上至少包含3层不同的膜层，每层的材料不同，最上层的蚀刻速率与下面每层膜的蚀刻速率都不同，这样不但蚀刻气氛配比很难掌握，而且由于蚀刻时间太长引起光刻胶反应在孔底生成一层有机物，使金属电极引出时断路。同时，由于引出栅电极的孔太深，透明电极从孔最上端连接到最底端，透明电极可以由ITO制作，也可以由石墨烯、Ag(银)丝等其它材料制作，透明电极的厚度如果太薄就会导致断线，如果透明电极太厚又会使透明电极的蚀刻困难。因此，本专利技术实施例提供的阵列基板中，蚀刻阻挡层104覆盖整个基板，并在栅极引出区或源极引出区设置有通孔，在栅极引出区或源极引出区的通孔中，设置有能够导电的填充物113 ;栅电极层101在栅极引出区中通过填充物113连接透明电极层107，或者源电极层105a在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括基板、栅电极层、栅极绝缘层、活化层、蚀刻阻挡层、源电极层、漏电极层、钝化层以及透明电极层，其特征在于 所述蚀刻阻挡层的面积大于或等于所述活化层的面积，并设置有用于源电极层、漏电极层与活化层连接的通孔。2.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述蚀刻阻挡层覆盖整个基板，并在栅极弓I出区或源极弓I出区设置有通孔。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，在所述栅极引出区或源极引出区的通孔中，设置有能够导电的填充物；所述栅电极层在所述栅极引出区中通过所述填充物连接所述透明电极层，或者所述源电极层在所述源极引出区的通孔中通过所述填充物连接所述透明电极层。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述设置有用于源电极层、漏电极层与活化层连接的通孔，具体为设置有用于活化层与源电极层、漏电极层连通的穿透蚀刻阻挡 层的第一通孔。5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，在底栅结构中，所述在栅极弓I出区或源极引出区设置有通孔，具体包括 穿透蚀刻阻挡层与栅极绝缘层的第二通孔和穿透钝化层的第五通孔； 所述阵列基板还包括源电极层、漏电极层与透明电极层连通的穿透钝化层的第四通孔。6.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，在顶栅结构中，所述在栅极弓I出区或源极引出区设置有通孔，具体包括 穿透蚀刻阻挡层与栅极绝缘层的第三通孔和穿透钝化层的第四通孔； 所述阵列基板还包括栅电极层与透明电极层连通的穿透钝化层的第五通孔。7.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述栅极引出区或源极引出区的通孔中，设置有能够导电的填充物，具体为 在底栅结构中，所述填充物为与源电极层、漏电极层位于同一层且材质相同的过渡连接金属； 在顶栅结构中，所述填充物为与栅电极层位于同一层且材质相同的过渡连接金属。8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第四通孔与所述第五通孔的深度相同。9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一通孔的深度与所述蚀刻阻挡层的厚度相同，或者所述第一通孔的深度大于所述蚀刻阻挡层的厚度。10.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第二通孔和所述第三通孔的深度等于所述蚀刻阻挡层与所述栅极绝缘层的厚度和，或者所述第二通孔和所述第三通孔的深度大于所述蚀刻阻挡层与所述栅极绝缘层的厚度和。11.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第四通孔和所述第五通孔的深度等于所述钝化层的厚度，或者所述第二通孔和所述第三通孔的深度大于所述钝化层的厚度。12.—种阵列基板制造方法，其特征在于，包括 在基板上依次形成栅电极层、栅极绝缘层、活化层以及蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层的面积大于或等于所述活化层的面积； 形成用于活化层与源电极层、漏电极层连通的第一通孔； 形成源电极层和漏电极层...

【专利技术属性】
技术研发人员：成军，陈海晶，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：