超宽带微波功率放大器用的双向信号定向耦合器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种超宽带微波功率放大器用的双向信号定向耦合器，包括接地层（6）、介质层（2）、耦合层直通微带线（4）以及耦合区，所述耦合层直通微带线（4）一边设置有第一耦合层微带耦合线（3），另一边设置第二耦合层微带耦合线（5）；所述耦合区被覆盖介质（1）完全覆盖。本实用新型专利技术的技术方案中，两根微带耦合线分别做正向和反向检波，提供微波功率放大器功率指示和反射报警、保护信号；?另外本装置制造成本低，结构简单，PCB面积占用小，承受功率高，适用频段宽，兼具功率检测、反射监测等功能的双向检测。?（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种定向耦合器，特别涉及一种微波功率放大器中双向检测的微带定向I禹合器。
技术介绍
微带定向耦合器主要用于信号幅度和相位的取样，并且能够辨别入射波和反射波，微带定向耦合器可以用来测量正向和反射功率以及电压驻波比和回波损耗。微带定向耦合器是功率计、天线监测仪和分析仪的关键组成部分，大致来说，凡属功率分配，信号幅度、相位参数的提取都可能用到它。在微波功率放大器中一般利用微带定向耦合器来监测功率大小、负载匹配状况。微带定向耦合器由于工艺上的原因，很难制作出过小的s/h，故强耦合器难以实现。微带定向I禹合器最适合于弱I禹合，但低于20dB f禹合度时,方向性会变得很差。方向性是微带定向耦合器在一个发射系统中辨别入射波和反射波能力的一个重要的度量标准。在大功率微波功率放大器中，微带定向耦合器一般安装在输出回路上，承受较大的功率，它的作用是监测功率、负载匹配。通常不希望它消耗过多的功率，一般都作弱耦合设计。但为了检查反射波，又希望它有高的方向性，现有技术中仍没有很好的解决方案。
技术实现思路
本技术克服了现有技术常采用腔体式定向耦合器带来的体积大、带宽窄、成本高等问题的不足，提供一种微波功率放大器在功率监测、功放保护效果较好的超宽带微波功率放大器用的双向信号定向I禹合器。为解决上述的技术问题，本技术采用以下技术方案—种超宽带微波功率放大器用的双向信号定向耦合器，包括接地层、介质层、耦合层直通微带线以及耦合区，所述耦合层直通微带线一边设置有第一耦合层微带耦合线，另一边设置第二耦合层微带耦合线；所述耦合区被覆盖介质完全覆盖。为了更好的实现本技术，下面作出进一步技术改进作为优选上述的介质层与覆盖介质的介电常数相同或者接近。作为优选上述的覆盖介质的厚度大于介质层的厚度。作为优选上述的覆盖介质通过螺栓叠压在耦合区上。作为优选上述的覆盖介质与耦合区为紧密的平面接触。作为优选上述的耦合层直通微带线、第一耦合层微带耦合线和第二耦合层微带耦合线的长度均小于四分之一波长。本技术还可以是以下方案作为优选上述的第一耦合层微带耦合线的耦合端或隔离端匹配电阻。作为优选上述的第二耦合层微带耦合线的耦合端或隔离端匹配电阻。与现有技术相比，本技术的有益效果是、本技术的技术方案中，两根微带耦合线分别做正向和反向检波，提供微波功率放大器功率指示和反射报警、保护信号；另外，本技术的超宽带微波功率放大器用的双向信号定向耦合器制造成本低，结构简单，PCB面积占用小，承受功率高，适用频段宽，兼具功率检测，反射监测等功能；其次，本技术具有方向性高，隔离度大，插损小，方便融合在微波功率放大器内的一体化设计，解决了通常采用腔体式定向耦合器带来的体积大、带宽窄、成本高等问题。附图说明图I为本技术的剖面结构示意图；图2为本技术的平面结构示意图。其中，附图中的附图标记所对应的名称为I 一覆盖介质，2 —介质层，3 —第一耦合层微带耦合线，4 一耦合层直通微带线，5一第二耦合层微带耦合线。具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。如图I和图2所示，一种超宽带微波功率放大器用的双向信号定向耦合器，包括接地层6、介质层2、耦合层直通微带线4以及耦合区，所述耦合层直通微带线4 一边设置有第一耦合层微带耦合线3，另一边设置第二耦合层微带耦合线5 ;第一耦合层微带耦合线3和第二耦合层微带耦合线5分别产生正向和反向微波信号，提供功率放大器作功率指示和反射报警、保护信号；微波功率放大器的发射信号通过耦合层直通微带线4输出。根据微波功率放大器PCB采用的TLX-8板材，覆盖介质I选用聚乙稀板材制成的压块，介电常数在2. 5左右；覆盖介质I的尺寸是20_xl5_x8mm,完全覆盖在微带稱合器的耦合区上方，并用螺丝固定叠压在耦合区上，覆盖介质I与耦合区保持紧密的平面接触。上述的介质层2采用与覆盖介质I相同的介电常数2. 5 ;上述的覆盖介质I的厚度大于介质层2的厚度。上述的第一耦合层微带耦合线3和第二耦合层微带耦合线5的耦合端或隔离端匹配51欧的电阻。本技术实施例的双向信号定向I禹合器选取的微带I禹合器的I禹合度为25dB ；第一耦合层微带耦合线3和第二耦合层微带耦合线5的长度为20_，近似频率的八分之一波长; 本技术实施例在实测在1880MHz并未加盖覆盖介质I的条件下的耦合度是28. 7dB，隔离度为34. 2dB，可以看出方向性不理想，只有5. 5dB ;通过加盖覆盖介质I后，在1880MHz的耦合度是27. 2dB，隔离度为50dB，方向性提高到22. 8dB，并且方向性在不小于20dB的情况下频段达到四个倍频程；耦合层微带线长度均小于四分之一波长。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超宽带微波功率放大器用的双向信号定向耦合器，包括接地层(6)、介质层(2)、耦合层直通微带线(4)以及耦合区，其特征在于所述耦合层直通微带线(4) 一边设置有第一耦合层微带耦合线(3)，另一边设置第二耦合层微带耦合线(5);所述耦合区被覆盖介质(I)完全覆盖。2.根据权利要求I所述的超宽带微波功率放大器用的双向信号定向耦合器，其特征在于所述的介质层(2)与覆盖介质(I)的介电常数相同或者接近。3.根据权利要求I所述的超宽带微波功率放大器用的双向信号定向耦合器，其特征在于所述的覆盖介质(I)的厚度大于介质层(2)的厚度。4.根据权利要求I所述的超宽带微波功率放大器用的双向信号定向耦合器，其特征在于所述的覆...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜高鹰，严炜，
申请(专利权)人：成都昂迅电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：