高电流取出效率LED制造技术

本实用新型专利技术涉及一种高电流取出效率LED，包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。所述的基底为P-GaN层。在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜，如银，铜，铑等，然后制作成类似CBL的结构，然后沉积一层SiO2层正好覆盖在金属薄膜上，该层SiO2的作用是CBL，接着再沉积ITO和金属电极。由于采用上述技术方案，本实用新型专利技术利用金属薄膜的高反射率将射向电极的光大部分反射回LED体内，从而通过其他途径出射到LED体外，提高了出光效率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及LED芯片制造领域。
技术介绍
现有技术中LED的构造，是在p型GaN上沉积电流阻挡层，然后在电流阻挡层上沉积电流扩展层和电极，这种结构会造成从电极下方发出的光被电极吸收的情况，从而导致现有技术中的LED的出光效率不高。
技术实现思路
本专利技术目的是增加电极下方的光反射能力，从而减少电极对光的吸收，提高出光 效率。为了达到以上以技术目的，本专利技术的技术方案为一种高电流取出效率LED，包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。优选地，所述的基底为P-GaN层。优选地，在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜，如银，铜，铑等，然后制作成类似CBL的结构，然后沉积一层Si02层正好覆盖在金属薄膜上，该层Si02的作用是CBL，接着再沉积ITO和金属电极。由于采用上述技术方案，本专利技术利用金属薄膜的高反射率将射向电极的光大部分反射回LED体内，从而通过其他途径出射到LED体外，提高了出光效率。附图说明附图I为根据本专利技术的高电流取出效率LED的结构示意图；附图2为根据本专利技术的高电流取出效率LED的制造流程示意图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。参见附图I所示，为根据本专利技术的高电流取出效率LED的结构示意图，它包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。本实施例中的基底为P-GaN层，在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜，如银，铜，铑等，利用金属薄膜的高反射率将射向电极的光大部分反射回LED体内，从而通过其他途径出射到LED体外，提高了出光效率。参见附图2所示，为根据本专利技术的高电流取出效率LED的制造流程示意图。首先在外延片表面沉积反射率大于70%的金属薄膜，如银，铜，铑等制作成类似CBL——CBL=current blocking layer主要是为了让不能出光(或挡光)的地方(PN结)不发光，或叫提高电流有效注入的结构，然后沉积一层Si02层正好覆盖在金属薄膜上，该层Si02的作用是CBL，接着再沉积ITO和金属电极。以上实施方式只为说明本专利技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本专利技术的内容并加以实施，并不能以此限制本专利技术的保护范围，凡根据本专利技术精神实质所做 的等效变化或修饰，都应涵盖在本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高电流取出效率LED，其特征在于它包括位于底层的基底、沉积于所述的基底上方的金属薄膜层、覆盖于所述的金属薄膜层上的SiO2层、以及沉积于所述的SiO2层上方的ITO和金属电极。2.根据权利要求I所述的高电流取出效率L...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏臻，
申请(专利权)人：聚灿光电科技苏州有限公司，
类型：实用新型
国别省市：