一种单晶炉热场制造技术

一种单晶炉热场，由里至外有坩埚、保温罩、保温桶，坩埚为碳纤维复合材料，保温罩为碳纤维整体保温罩，保温桶分上、中、下筒形保温桶，筒形保温桶为硬质复合毡，所述硬质复合毡是以石墨纸和石墨毡为基体，以酚醛树脂为粘接剂复合而成。本实用新型专利技术保温效果好，强度高，灰分少，装配简单。主要用于单晶硅等加热。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种单晶硅炉热场。
技术介绍
目前，单晶硅晶体生长炉是生长硅单晶的主要设备，是在惰性气体环境中，通过石墨电阻加热器将多晶硅加热融化，然后用软轴直拉法生长无位错的单晶生长设备。例如江苏华盛天龙机械股份有限公司生产的DRF-85A型设备，该设备可以使用18英寸或20英寸 的热系统，投料60公斤-90公斤，拉制6英寸 8. 5英寸硅单晶，其主要部件基本由石墨制造，由于石墨的隔热性能差，强度低的特点，所以石墨热场部件普遍壁厚较厚，这就导致了炉内空间的极大浪费，使其难以满足单晶硅生产厂家对降低生产成本的诉求。
技术实现思路
本专利技术目的本专利技术的目的是提供一种单晶炉热场。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是由里至外有坩埚、保温罩、保温桶，坩埚为碳纤维复合材料，保温罩为碳纤维整体保温罩，保温桶分上、中、下筒形保温桶，筒形保温桶为硬质复合毡，所述硬质复合毡是以石墨纸和石墨毡为基体，以酚醛树脂为粘接剂見合而成。进一步，所述坩埚直径为22寸，坩埚壁厚为12 15mm;所述保温罩壁厚为8 12mm ;所述上、中、下保温桶壁厚分别为40 45mm、50 55mm、60 65mm。本专利技术的有益效果本专利技术与现有单晶炉热场相比具有以下优点(I)和石墨坩埚相比，用碳/碳坩埚后，使用寿命提高了 3 4倍；(2)和石墨保温罩相比，用碳/碳整体保温罩后，隔热性能更好，装配更简单；(3)和石墨软毡保温层相比，用硬质复合毡保温桶后，保温效果更好，强度更高，灰分更少。附图说明图I为本技术示意图。图中1.坩埚，2.保温罩，3.保温桶。具体实施方式坩埚I采用22寸碳/碳坩埚，其壁厚为12 15mm ;保温罩2为整体保温罩，采用碳/碳材料，即碳纤维复合材料，其壁厚为8 12mm ;保温桶3分为上、中、下保温桶，筒形，采用硬质复合毡，硬质复合毡是以石墨纸和石墨毡为基体，以酚醛树脂为粘接剂复合而成，上、中、下保温桶壁厚分别为40 45mm、50 55mm、60 65mm。本专利技术的一个典型应用是改造现有石墨坩埚，列举2个例子例I :(I)将壁厚为20mm的18寸石墨樹祸替换为22寸碳/碳樹祸，其壁厚为12mm ；(2)将壁厚分别为20臟、151111]1、201111]1的上、中、下石墨保温罩替换为碳/碳整体保温罩，其壁厚为8mm;(3)将壁厚分别为70mm、80mm、90mm的上、中、下石墨软租保温层替换为上、中、下硬质复合租保温桶，其壁厚分别为45mm、55mm、65mm。例2:(I)将壁厚为25mm的18寸石墨i甘祸替换为22寸碳/碳i甘祸,其壁厚为15mm ；(2)将壁厚分别为25mm、20mm、25mm的上、中、下石墨保温罩替换为碳/碳整体保温罩，其壁厚为12mm;(3)将壁厚分别为60mm、70mm、80mm的上、中、下石墨软租保温层替换为上、中、下硬质复合租保温桶，其壁厚分别为40mm、50mm、60mm。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉热场，其特征是由里至外有坩埚、保温罩、保温桶，所述坩埚为碳纤维复合材料，所述保温罩为碳纤维整体保温罩，所述保温桶分上、中、下筒形保温桶，筒形保温桶为硬质复合毡，所述硬质复合毡是以石墨纸和石墨毡为基体，以酚醛树脂为粘接剂复合。2.如权利要求I所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：张超，
申请(专利权)人：湖南九华碳素高科有限公司，
类型：实用新型
国别省市：