本实用新型专利技术是有关一种具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其包括：交流发光二极管；散热单元；以及过载保护单元。其中交流发光二极管是与散热单元导热结合，而过载保护单元则串联于交流发光二极管与电源之间。因此当有过载电流输入交流发光二极管结构时，过载保护单元的温度则因为过载电流而上升，进而形成断路状态，藉此可适时地使得交流发光二极管结构形成断路状态，用以阻断电源输入交流发光二极管，进而达到过载保护的功效。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种交流发光二极管结构，特别是涉及一种具有过载保护单元的交流发光二极管结构。
技术介绍
发光二极管为一种具有相当良好物理特性的光源，其是一种冷光源并且亮度高，尤其是发光二极管的使用寿命可长达数十万小时。又与传统光源相比较下，发光二极管可使用较低的电流驱动，但却可获得等量的光输出，因此发光二极管的耗电量相当低。除此之夕卜，发光二极管的种类与色彩繁多，因此可应用的范围相当广泛。然而由于发光二极管仅能以直流电源驱动，因此当制作发光二极管灯具时，必须要外加交流转直流的控制电路及压降元件，才可在市电的交流电源之下正常操作发光二极管灯具，但这样不但提高了发光二极管灯具的制作成本，同时也延长了发光二极管灯具的点売时间。因此近年来发光二极管技术已发展出可直接使用交流电源驱动的交流发光二极管，其藉由多颗直流发光二极管相互串联与并联所组成。因此驱动单颗交流发光二极管时，实际上是同时驱动了多颗直流发光二极管，所以需输入较高的电流才可驱动交流发光二极管，如此很容易导致交流发光二极管出现过载的问题，再加上交流电源中不定时的突波干扰，因此若无法有效避免交流发光二极管产生过载的问题，将造成交流发光二极管的损坏。由此可见，上述现有的交流发光二极管在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
技术实现思路
本技术的目的在于，克服现有的交流发光二极管结构存在的缺陷，而提供一种新型的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，所要解决的技术问题是使其当交流发光二极管出现过载现象时，可藉由过载保护单元即时调整电源的供应，进而达到保护交流发光二极管的功效。本技术的另一目的在于，提供一种新型的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，所要解决的技术问题是使其由于过载保护单元可迅速阻断输入交流发光二圾管的电源，藉以避免交流发光二极管受过载电流的破坏，进而达到延长交流发光二极管使用寿命的功效。本技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本技术提出的一种具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其包括至少一交流发光二极管；至少一散热单元，其承载并且导热连接该交流发光二极管；以及至少一过载保护单元，其串联于该交流发光二极管及一电源之间。本技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其中所述的过载保护单元与该交流发光二极管间的距离小于3厘米。前述的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其进一步具有一导热层，其设置于该交流发光二极管与该散热单元之间。前述的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其中所述的导热层是一高分子介电材料。前述的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其中所述的过载保护单元是一 导电簧片。前述的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其中所述的过载保护单元具有一导电簧片，其分别与该交流发光二极管与该电源电性连接；以及一微机电单兀，其结合于该导电簧片。前述的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其进一步具有一第一电极，其电性连接该交流发光二极管与该电源；以及一第二电极，其电性连接该过载保护单元与该电源。前述的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其中所述的第一电极与该第二电极是设置于该导热层的一表面。前述的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其中所述的过载保护可为一温度控制单元。前述的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其中所述的温度控制单元具有一第一导电层；一温度侦测层，其设置于该第一导电层上；以及一第二导电层，其设置于该温度侦测层上并与该交流发光二极管电性连接。前述的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其中所述的第二导电层与该第二电极电性连接。前述的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其中所述的第二导电层具有一第三导电层，其与该交流发光二极管电性连接；以及一第四导电层，其与该第三导电层电性分离且电性连接该第二电极。前述的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其中所述的该交流发光二极管与该电源连接时，该温度控制单元的温度低于正温度系数特性的一触发温度。前述的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其中所述的温度侦测层具有一结晶性高分子材料及一导电材料。前述的具有过载保护单元的交流发光二极管结构，其中所述的该结晶性高分子材料的熔点介于80°C至183°C之间。本技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。借由上述技术方案，本技术具有过载保护单元的交流发光二极管结构至少具有下列优点及有益效果一、本技术利用过载保护单元可在过载电流下调整流经交流发光二极管的电流，用以达到保护交流发光二极管的功效。二、本技术由于过载保护单元可保护交流发光二极管以避免交流发光二极管受过载电流的破坏，因此可延长交流发光二极管使用寿命。上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。附图说明图I是本技术具有过载保护单元的交流发光二极管结构的实施例的第一示意图。图2是本技术具有过载保护单元的交流发光二极管结构的实施例的第二示意图。图3是本技术具有过载保护单元的交流发光二极管结构的实施例的第三示 意图。图4是本技术具有过载保护单元的交流发光二极管结构的实施例的第四示意图。图5是正温度系数材料的温度和电阻的关系示意图。图6是本技术具有过载保护单元的交流发光二极管结构的应用实施状态示意图。100、101、102、103 :具有过载保护之交流发光二极管结构10 :交流发光二极管20 :散热单元30:过载保护单元 31 :导电簧片32:微机电单元 33:第一导电层34:温度侦测层35:第二导电层351:第三导电层 352:第四导电层40:交流电源50 :导热层51 :表面60 ■ 第一电极70:第二电极具体实施方式为更进一步阐述本技术为达成预定技术目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术提出的具有过载保护单元的交流发光二极管结构其具体实施方式、结构、特征及其功效进行详细说明。图I是本技术具有过载保护单元的交流发光二极管结构的实施例的第一示意图。图2是本技术具有过载保护单元的交流发光二极管结构的实施例的第二示意图。图3是本技术具有过载保护单元的交流发光二极管结构的实施例的第三示意图。图4是本技术具有过载保护单元的交流发光二极管结构的实施例的第四示意图。图5是正温度系数材料的温度和电阻的关系示意图。图6是本技术具有过载保护单元的交流发光二极管结构的应用实施状态示意图。如图I所示，本实施例是一种具有过载保护单元的交流发光二极管结构100，其包括至少一交流发光二极管10 ;至少一散热单元20 ;以及至少一过载保护单本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈明鸿，潘敬仁，
申请(专利权)人：海立尔股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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