磁控溅射圆柱靶制造技术

本实用新型专利技术公开了一种磁控溅射圆柱靶，包括两端带有装配部的圆柱靶体，在所述圆柱靶体的两端装配部的内侧各套装有一个与靶材材质一样的靶帽。依据本实用新型专利技术的磁控溅射圆柱靶能够提高靶材整体利用率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种磁控溅射圆柱靶。
技术介绍
目前国内全玻璃真空太阳能集热管镀膜过程中，磁控溅射圆柱靶被广泛使用。但在生产过程中，普遍存在靶管两端刻蚀速度比中间快，使靶材的利用率一般在30%左右，很难再有提高，造成了靶材的严重浪费，利用率偏低。
技术实现思路
因此，本技术针对目前磁控溅射圆柱靶利用率偏低的缺陷，提供了一种能够提高靶材整体利用率的磁控溅射圆柱靶。本技术采用的技术方案为本技术磁控溅射圆柱靶，包括两端带有装配部的圆柱靶体，在所述圆柱靶体的两端装配部的内侧各套装有一个与靶材材质一样的靶帽。依据本技术的磁控溅射圆柱靶在圆柱靶体的两端设有靶帽，这样在磁控溅射工艺中，两端首先被刻蚀的是靶帽，对应配合的靶体部分在后期进入被刻蚀状态。那么如果靶材的两端不会失效，进而装配部的装配状态不会受到影响，靶材会能够得到继续应用。经过试验，合理配置靶帽厚度，可以使靶材的整体利用率提到到609^70%。所谓合理配置，就是充分考虑靶材两端与其它部分的刻蚀速度比，就可以大体选择一个相对较合理的厚度。整体利用率再想提高是非常困难的，主要是即便是解决了整体的刻蚀速度差异，也难以保证整体刻蚀速度的均匀性。上述磁控溅射圆柱靶，所述靶帽的长度与所述圆柱靶体的比为0. 75、. 8。上述磁控溅射圆柱靶，所述靶帽与所述圆柱靶体的配合为过盈配合。上述磁控溅射圆柱靶，所述装配部设有倒角。上述磁控溅射圆柱靶，所述靶帽靠内的一端有锥度。附图说明图I为依据本技术技术方案的一种磁控溅射圆柱靶的结构示意图。图中1、装配部，2、靶帽，3、圆柱靶体。具体实施方式参照说明附图I所示的磁控溅射圆柱靶，包括两端带有装配部I的圆柱靶体3，在所述圆柱靶体3的两端装配部的内侧各套装有一个与靶材材质一样的靶帽2。这里重在两端加上靶帽，能够把靶材的整体利用率提高到一定的程度，再向提高是相对比较困难的，刻蚀的均匀性在目前的技术条件下是难以把握的，如果在进行修修补补，不仅工作量大，而且类似乎整体加厚靶材的厚度，是没有实际意义的。较佳地，所述靶帽的长度与所述圆柱靶体的比为0.75、. 8，基于目前靶材的一般结构，靶帽的长度约为50mm。这种结构基本上可以保证靶材整体刻蚀速度的相对均匀性。最佳的比例为0. 758，把材的整体利用率约在69%左右。靶材具有特定性，每一根靶材的整体利用率都会有差异。较佳地，所述靶帽与所述圆柱靶体的配合为过盈配合，类似于与圆柱靶体整体成形，工艺性好。为了便于靶帽的装配，所述装配部I设有倒角。较佳地，所述靶帽靠内的一端有锥度，对应锥度部因靠内，其刻蚀速度相对较低，同时这种结构也便于装配。其中所说的“内”是相对于圆柱靶体的两端的概念。权利要求1.一种磁控溅射圆柱靶，包括两端带有装配部(I)的圆柱靶体(3)，其特征在于在所述圆柱靶体(3)的两端装配部的内侧各套装有一个与靶材材质一样的靶帽(2)。2.根据权利要求I所述的磁控溅射圆柱靶，其特征在于所述靶帽的长度与所述圆柱革巴体的比为O. 75 O. 8。3.根据权利要求I或2所述的磁控溅射圆柱靶，其特征在于所述靶帽与所述圆柱靶体的配合为过盈配合。4.根据权利要求3所述的磁控溅射圆柱靶，其特征在于所述装配部(I)设有倒角。5.根据权利要求4所述的磁控溅射圆柱靶，其特征在于所述靶帽靠内的一端有锥度。专利摘要本技术公开了一种磁控溅射圆柱靶，包括两端带有装配部的圆柱靶体，在所述圆柱靶体的两端装配部的内侧各套装有一个与靶材材质一样的靶帽。依据本技术的磁控溅射圆柱靶能够提高靶材整体利用率。文档编号C23C14/35GK202369634SQ20112050781公开日2012年8月8日 申请日期2011年12月8日 优先权日2011年12月8日专利技术者吴旭林, 张化明, 柯伟, 蔡新明, 韩文敏 申请人:山东力诺新材料有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡新明，柯伟，吴旭林，张化明，韩文敏，
申请(专利权)人：山东力诺新材料有限公司，
类型：实用新型
国别省市：