高方阻太阳能电池制作方法技术

本发明专利技术涉及一种高方阻太阳能电池制作方法，特点是包括以下步骤：首先，通过预扩散处理，在硅片表面制作发射结。接着，利用湿法刻蚀或是等离子刻蚀设备去除硅片边结，采用RCA溶液对硅片进行清洗。之后，将硅片置入扩散炉中处理，令结深增加，在硅片表面形成二氧化硅层。然后，通过PECVD设备在发射结表面的二氧化硅层上制作氮化硅膜。最后，通过利用丝网印刷设备制备正面电极、背面电极、背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。由此，利用二次高温推进发射结工序制作高方阻太阳电池，结表面掺杂浓度降低。同时在硅片表面形成适当的二氧化硅膜，该膜层与随后制作的氮化硅膜形成堆叠层，提高电池表面钝化性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电池制作方法，尤其涉及一种。
技术介绍
PN发射结是晶体硅太阳能电池的心脏，P-N发射结质量直接影响电池效率。一般利用方块电阻值、表面浓度、结深等參数来表征PN发射结质量。通过调整扩散制作出低表面浓度、浅结深的发射结掺杂浓度曲线有助于提高电池效率。低表面浓度能减少电池表面复合，浅发射结能提高电池的蓝光响应。这类电池一般方块电阻值比较高，称之为高方阻电池。由于电池需要在PN结表面制作金属接触，所以高方阻发射结结深不能太浅，以防止正面电极浆料烧穿PN结，造成漏电。目前采用常规扩散方式制作的高方阻发射结虽然能够降低表面浓度，但是往往结深也变得很浅，在后续正面电极烧结的エ序増加了银电极烧穿PN结的风险，降低了电池产品的良率。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现，其包括以下步骤步骤①，通过预扩散处理，在硅片表面制作35-65 Q /sqr发射结，结深0. 2-0. 4 u m ;步骤②，利用湿法刻蚀或是等离子刻蚀设备去除硅片边结，采用RCA溶液对硅片进行清洗；步骤③，将硅片置入扩散炉中处理，令结深增加到0. 25-0. 5 u m,在硅片表面形成5_20nm ニ氧化硅层；步骤④，通过PECVD设备在发射结表面的ニ氧化硅层上制作氮化硅膜，所述的氮化硅膜厚度为50-80um，折射率为2.0-2. I ;步骤⑤，通过利用丝网印刷设备制备正面电极、背面电极、背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。上述的，其中步骤①所述预扩散处理过程为将硅片置入扩散炉中，保持温度为800-900°C，通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体，处理时间为10-20分钟,在娃片表面形成发射结。进ー步地，上述的，其中步骤②中采用等离子刻蚀设备需在RCA溶液清洗前进行1-10%氢氟酸溶液清洗。更进一歩地，上述的，其中步骤③中，将硅片置入扩散炉中，保持温度800-900°C，在氮气、氧气混合气氛中继续热处理10-20分钟，将方块电阻值提高到60-100 Q /sqr，并在硅片表面形成5_20nm ニ氧化硅钝化层。 再进ー步地，上述的，其中步骤①之前,通过硝酸、氢氟酸混合液或是氢氧化钠溶液在硅片表面制作绒面。本专利技术技术方案的优点主要体现在利用二次高温推进发射结エ序制作高方阻太阳电池，发射结表面掺杂浓度降低，发射结结深适当増加，同时在硅片表面形成5-20nm的ニ氧化硅膜，该膜层与随后制作的氮化硅膜形成堆叠层，提高电池表面钝化性能。同时，利用高方阻发射结提高太阳电池的功率输出。并且，能利用适当增加的发射结结深提高电池烧结エ序的良品率。通过二次高温推进发射结エ序在硅片表面形成的5-20nm ニ氧化硅层与随后制作的50-80nm氮化硅膜形成堆叠钝化，提高电池表面钝化性能。更为重要的是，在生产线现有条件下就可以实施，方法简单可行。本专利技术的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行解释。这些实施例仅是应用本专利技术技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技 术方案，均落在本专利技术要求保护的范围之内。具体实施例方式，其与众不同之处在于，本专利技术采用了以下步骤首先，通过硝酸、氢氟酸混合液或是氢氧化钠溶液在硅片表面制作绒面。通过预扩散处理，在娃片表面制作35-65 Q/sqr发射结，结深0. 2-0. 4 u m0在此期间，可以在预扩散处理前对娃片进行盐酸、氢氟酸溶液清洗。之后，利用湿法刻蚀或是等离子刻蚀设备去除硅片边结，采用RCA溶液对硅片进行清洗。具体来说，如果采用等离子刻蚀设备，则需在RCA溶液清洗前进行1-10%氢氟酸溶液清洗。然后，将硅片置入扩散炉中处理，令结深增加到0. 25-0. 5 u m,在硅片表面形成5-20nm ニ氧化硅层。接着，通过PECVD设备在发射结表面的ニ氧化硅层上制作氮化硅膜，且氮化硅膜厚度为50-80um，折射率为2. 0-2. I。最后，通过利用丝网印刷设备制备正面电极、背面电极、背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。就本专利技术ー较佳的实施方式来看，采用的预扩散处理过程为，将硅片置入扩散炉中，保持温度为800-900°C，通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体。并且，保持10-20分钟的处理时间，在娃片表面形成发射结。同吋，为了提高制备的效果，将硅片置入扩散炉中处理过程为，保持温度800-900 °C,在氮气、氧气混合气氛中继续热处理10-20分钟，将方块电阻值提高到60-100 Q /sqr,并在娃片表面形成5_20nm ニ氧化娃钝化层。通过上述的文字表述可以看出，采用本专利技术后，有如下优点I、利用二次高温推进发射结エ序制作高方阻太阳电池，发射结表面掺杂浓度降低，发射结结深适当増加，同时在硅片表面形成5-20nm的ニ氧化硅膜，该膜层与随后制作的氮化硅膜形成堆叠层，提高电池表面钝化性能；2、利用高方阻发射结提高太阳电池的功率输出；3、利用适当增加的发射结结深提高电池烧结エ序的良品率；4、二次高温推进发射结エ序在硅片表面形成的5_20nm ニ氧化硅层与随后制作的50-80nm氮化硅膜形成堆叠钝化，提高电池表面钝化性能；5、在生产线现有条件下就可以实施，方法简单可行。权利要求1.，其特征在于包括以下步骤 步骤①，通过预扩散处理，在硅片表面制作35-65 Q /sqr发射结，结深0. 2-0. 4um； 步骤②，利用湿法刻蚀或是等离子刻蚀设备去除硅片边结，采用RCA溶液对硅片进行清洗； 步骤③，将硅片置入扩散炉中处理，令结深增加到0. 25-0. 5 u m,在硅片表面形成5-20nm ニ氧化娃层； 步骤④，通过PECVD设备在发射结表面的ニ氧化硅层上制作氮化硅膜，所述的氮化硅膜厚度为50-80um，折射率为2. 0-2. I ； 步骤⑤，通过利用丝网印刷设备制备正面电极、背面电极、背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。2.根据权利要求I所述的，其特征在于步骤①所述预扩散处理过程为将硅片置入扩散炉中，保持温度为800-900°C，通入气体为氮气、氧气、三氯氧磷混合气体，处理时间为10-20分钟,在娃片表面形成发射结。3.根据权利要求I所述的，其特征在于步骤②中采用等离子刻蚀设备需在RCA溶液清洗前进行1-10%氢氟酸溶液清洗。4.根据权利要求I所述的，其特征在于步骤③中，将硅片置入扩散炉中，保持温度800-900°C，在氮气、氧气混合气氛中继续热处理10-20分钟，将方块电阻值提高到60-100 Q/sqr，并在硅片表面形成5_20nm ニ氧化硅钝化层。5.根据权利要求I所述的，其特征在于步骤①之前，通过硝酸、氢氟酸混合液或是氢氧化钠溶液在硅片表面制作绒面。全文摘要本专利技术涉及一种，特点是包括以下步骤首先，通过预扩散处理，在硅片表面制作发射结。接着，利用湿法刻蚀或是等离子刻蚀设备去除硅片边结，采用RCA溶液对硅片进行清洗。之后，将硅片置入扩散炉中处理，令结深增加，在硅片表面形成二氧化硅层。然后，通过PECVD设备在发射结表面的二氧化硅层上制作氮化硅膜。最后，通过利用丝网印刷设备制备正面电极、背面电极、背面电场，利用烧结炉进行电极、电场共烧处理。由此，利用二次高温推进发射结工序制作高方阻太阳电池，结表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱峰，陆俊宇，任军林，汪燕玲，魏青竹，
申请(专利权)人：中利腾晖光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：