阵列基板及其制造方法、液晶显示器件技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制造方法、液晶显示器件，涉及液晶显示技术领域，为提高像素开口率而发明专利技术。所述阵列基板，包括基板，所述基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，所述像素电极所在的层与所述数据线所在的层之间设有树脂介电层。本发明专利技术可用于进行液晶显示。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制造方法、液晶显示器件。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器件的液晶面板包括阵列基板和彩膜基板，在薄膜晶体管液晶显示器件的制程中可以分别单独制作阵列基板和彩膜基板，然后再将阵列基板和彩膜基板对盒并填充液晶，以形成液晶面板。其中，阵列基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接。基于上述阵列基板的结构，当阵列基板上的栅线控制薄膜晶体管打开后，由数据线向阵列基板上的像素电极充电，以在像素电极和公共电极之间形成电场，该电场作用于液晶使得液晶分子发生偏转，从而根据液晶分子偏转的角度不同以透过不同强度的光。目前像素电极所在的层和数据线所在的层之间仅设有一层用于绝缘的钝化层，该钝化层通常由SiNx等材料制成，其介电常数较高，因此使得在像素电极和数据线之间产生较强的电容效应。为减小该电容效应，一般都将像素电极和数据线设计得更加远离一些，但这样使得像素电极所占用的区域减小，减小了像素开口率。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制造方法、液晶显示器件，以提高像素开口率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案—种阵列基板，包括基板，所述基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，所述像素电极所在的层与所述数据线所在的层之间设有树脂介电层。一种如上所述的阵列基板的制造方法，包括在像素电极所在的层与数据线所在的层之间形成树脂介电层。一种液晶显示器件，包括壳体，所述壳体内设有背光模组，面对所述背光模组设有由如上所述的阵列基板和彩膜基板对盒形成的液晶面板。 本专利技术实施例提供的阵列基板及其制造方法、液晶显示器件，在所述像素电极所在的层与所述数据线所在的层之间设有树脂介电层，由于树脂本身的介电常数较低，因此所述树脂介电层可以有效减小像素电极和数据线之间的电容效应，这样可以将像素电极和数据线设计得更加接近一些，从而增大了像素电极所占用的区域，提高了像素开口率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术实施例阵列基板的平面结构示意Ia为图I中Al-Al方向的截面图；图2为本专利技术阵列基板第一次构图工艺后的平面结构示意图；图2a为图2中A2-A2方向的截面图；图3为本专利技术阵列基板第二次构图工艺后的平面结构示意图；图3a为图3中A3-A3方向的截面图；图4为本专利技术阵列基板第三次构图工艺后的平面结构示意图；图4a为图4中A4-A4方向的截面图；图4a'为图4中A4-A4方向的另一截面图；图5为本专利技术阵列基板第四次构图工艺后的平面结构示意图；图5a为图5中A5-A5方向的截面图；图6为本专利技术阵列基板第五次构图工艺后的平面结构示意图；图6a为图6中A6-A6方向的截面图；图6a'为图6中A6-A6方向的另一截面图；图7为本专利技术实施例阵列基板制造方法的示意图。附图标记I-基板，2-栅线，2'-绑定栅线，21'-栅线连接过孔，3-栅绝缘层，41-半导体层，42-掺杂半导体层，5-数据线，5'-绑定数据线，51'-数据线连接过孔，6-钝化层，7-树脂介电层，8-像素电极，9-像素电极绝缘层，10-公共电极，11-薄膜晶体管，Ila-栅极、Ilb-源极、Ilc-漏极,12-介电-纯化层过孔。具体实施例方式下面结合附图对本专利技术实施例阵列基板及其制造方法、液晶显示器件进行详细描述。应当明确，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了一种阵列基板，下面参照图I和图Ia来说明本实施例中阵列基板的结构。其中，图I所示为本专利技术实施例阵列基板的平面结构示意图；图Ia所示为图I中Al-Al方向的截面图。本实施例中的阵列基板，包括基板1，基板I上设有栅线2，垂直于栅线2设有数据线5，栅线2和数据线5之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管11和像素电极8，薄膜晶体管11的栅极Ila与栅线2连接、源极Ilb与数据线5连接、漏极Ilc与像素电极8连接，其中像素电极8所在的层与数据线5所在的层之间设有树脂介电层7。本专利技术实施例提供的阵列基板，在像素电极8所在的层与数据线5所在的层之间设有树脂介电层7，由于树脂本身的介电常数较低，因此树脂介电层7可以有效减小像素电极8和数据线5之间的电容效应，这样可以将像素电极8和数据线5设计得更加接近一些，从而增大了像素电极8所占用的区域，提高了像素开口率。由上面的描述可知，当所述阵列基板上的栅线2控制薄膜晶体管11打开后，由数据线5向像素电极8充电，以在像素电极8和公共电极之间形成电场，该电场作用于液晶使得液晶分子发生偏转，从而根据液晶分子偏转的角度不同以透过不同强度的光。为此，可以在阵列基板上设置公共电极10，以便在像素电极8和公共电极10之间形成电场。一般而言，在阵列基板上设置公共电极10时，可以使公共电极10所在的层与像素电极8所在的层相邻绝缘地设置，例如如图Ia所示，可以将公共电极10所在的层相邻绝缘地设置在像素电极8所在的层的上方。该公共电极10的设置结构与AD-SDS显示模式下公共电极的设置结构相同。高级超维场开关技术(Advanced-SuperDimensional Switching ;简称AD_SDS)通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-IXD画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。其中，为使公共电极10和像素电极8相邻绝缘地设置，可以在公共电极10所在的层与像素电极8所在的层之间设有像素电极绝缘层9。需要说明的是，在将公共电极10所在的层相邻绝缘地设置在像素电极8所在的层的上方时，由于在数据线5上加载的用于显示图像的灰度电压，可以在数据线5和公共电极10之间产生逻辑功耗，该逻辑功耗加大了整个液晶显示面板的耗电量。尤其是目前对分辨率的要求越来越高，阵列基板上的布线越来越多，从而导致公共电极10与数据线5的叠加密度越来越大，造成了极大的逻辑功耗。而本实施例中，在像素电极8所在的层和数据线5所在的层之间设有树脂介电层7，即相当于在公共电极10所在的层和数据线5所在的层之间设有树脂介电层7，由于树脂本身的介电常数较低，因此树脂介电层7可以大幅度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郭建，闵泰烨，陈旭，谢振宇，张文余，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：