阵列基板及液晶显示器制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板及液晶显示器，涉及液晶显示领域，可提高液晶显示器的透过率。本发明专利技术所述阵列基板，包括：公共电极、像素电极层和设置在所述公共电极、像素电极层之间的第一绝缘层，所述像素电极层包括若干像素电极，所述像素电极的间距至少为10微米。所述液晶显示器，包括：所述阵列基板。本发明专利技术所述阵列基板用于改善液晶显示器的透过率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示器。
技术介绍
边缘场开关模式(Fringe Field Switching,FFS)是一种广视角技术,利用公共电极与像素电极间产生的边缘电场来驱动液晶，在宽视角的前提下，实现了高的透过率。现有技术中采用FFS模式的一种显示器的阵列基板结构如图I所，自下而上依次包括信号线16、公共电极12、第一绝缘层13和像素电极层14。其中，像素电极层14包括若干像素电极11，另外，设置在公共电极12之下的信号线16，通过第二绝缘层15与公共电极12隔开。 在上述结构中，专利技术人发现现有技术至少存在如下问题如图I所示，现有技术中像素电极的间距A —般为6微米或8微米，当驱动液晶显示时，如图2所示，邻近的两个像素电极11之间会发生电性干涉现象，这两个邻近像素电极11分别带有异种电荷，而同一像素电极的不同部分带有同种电荷，这样在像素电极与邻近像素电极之间会产生水平电场17，而水平电场17会影响液晶分子的转动，使得液晶显示器透过率降低，特别是在每个像素电极边缘的透过率降低。如图2中透过率曲线18所示，在受水平电场17影响的区域即像素电极的边缘和邻近像素电极的边缘，出现透过率降低的现象。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及液晶显示器，能提高液晶显示器的透过率。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案一种阵列基板，包括公共电极、像素电极层和设置在所述公共电极、像素电极层之间的第一绝缘层，所述像素电极层包括若干像素电极，所述像素电极的间距至少为10微米。本专利技术实施例所述间距小于等于18微米。优选地，本专利技术实施例所述间距为12微米。进一步地，该阵列基板，还包括设置在所述公共电极下侧的信号线，所述信号线通过第二绝缘层与所述公共电极隔开。所述公共电极的材质与所述像素电极的材质均为透明导电材料。所述公共电极与所述像素电极层之间的间距为0. I微米至0. 6微米。本专利技术的实施例还提供一种液晶显示器，包括本专利技术所述的阵列基板。本专利技术实施例中的阵列基板及液晶显示器，像素电极的间距设置为至少10微米，较现有技术变大，降低了因电性干涉产生的水平电场的影响，使得像素电极边缘的透过率提闻，从而提闻了整个液晶显不器的透过率。附图说明 图I为现有技术中阵列基板的结构示意图；图2为现有技术中像素电极边缘透过率降低的示意图；图3为本专利技术实施例一中阵列基板的结构不意图一；图4为本专利技术实施例一中像素电极层的俯视示意图；图5为本专利技术实施例像素电极间距为6微米至18微米时的透过率示意图；图6为本专利技术实施例一中阵列基板的结构示意图二。附图标记11-像素电极，12-公共电极，13-第一绝缘层，14-像素电极层，15-第二绝缘层，16-信号线，17-水平电场，18-透过率曲线。具体实施例方式本专利技术实施例提供一种阵列基板及液晶显示器，可提高像素电极边缘的透过率，从而提闻液晶显不器的整体透过率。下面结合附图对本专利技术实施例进行详细描述。此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。实施例一本专利技术实施例提供一种阵列基板，如图3所示，该阵列基板包括公共电极12、像素电极层14和设置在所述公共电极12、像素电极层14之间的第一绝缘层13，所述像素电极层14包括若干像素电极11，所述像素电极11的间距至少为10微米。本实施例中像素电极11的具体构成图形不同，图3所示的像素电极11包括相距4微米的三部分，每一部分的宽度为2微米。像素电极11的具体图形并不影响本专利技术的实际效果。本实施例所述像素电极11的间距指某一像素电极边缘到与之相邻的下一像素电极边缘的距离，如图3中所示的间距A。本实施例所述像素电极11的间距，指图4中所示的像素电极11的纵向间距或横向间距，图中所示信号线16包括纵向的数据线和横向的栅线。本专利技术实施例的阵列基板中，将像素电极的间距A设置为至少10微米，尽可能地排除了水平电场17的影响，获得高的透过率。当间距A为6 18微米时，透过率如图5所示。间距A为10微米时透过率为2. 13%，相比间距A为8微米时的I. 98%，透过率获得明显提高。其中，透过率测试环境为栅极扫描电压0. 8V，像素电压为+8V/0. IV，公共电极为4V。本专利技术实施例阵列基板中的像素电极的间距A设置为至少10微米，降低了因电性干涉现象产生的水平电场的影响，使得每个像素电极边缘的透过率提高，从而提高了液晶显示器的整体透过率。进一步地，本专利技术实施例所述间距A小于等于18微米。像素电极的间距A增加时，开口率下降，而开口率下降又会使得液晶显示器的透过率降低，所以在设计阵列基板及显示器时，所述间距A的具体大小要综合考虑各种影响因素，根据显示器规格及实际需求进行设置，本实施例所述像素电极的间距A的范围为10微米< A < 18微米。作为一个优选方案，本专利技术实施例阵列基板中的像素电极的间距A为12微米。由上面所述可知，开口率也会影响透过率。如图5所示，间距A增加时，透过率随之增加；但间距A的增加同时也会使得开口率下降，而开口率下降又使得液晶显示器的透过率降低，所以综合考虑这些影响因素，本实施例所述像素电极的间距A优选为12微米。进一步地，如图6所示，本实施例所述阵列基板，还包括设置在所述公共电极下侧的信号线16，所述信号线16通过第二绝缘层15与所述公共电极12隔开。本实施例中的信号线16为设置在阵列基板上的栅线和数据线。 当信号线16为阵列基板上横向设置的栅线时，图6所示像素电极的间距A指相邻像素电极的横向间距；信号线16为阵列基板上纵向设置的数据线时，图6所示像素电极的间距A指相邻像素电极的纵向间距。其中，所述公共电极12的材质与所述像素电极11的材质均为透明导电材料。可选地,所述透明导电材料为铟锡氧化物(Indium-tin-oxide, ITO)或者铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide, IZ0)。其中，所述公共电极与所述像素电极层之间的间距为0. I微米至0. 6微米，这样像素电极与共同电极间的距离很近，产生的边缘电场场强大，对液晶的驱动最强。为降低了电性干涉现象的影响，本专利技术实施例中的阵列基板，对像素电极的间距进行了优化设计，使得每个像素电极边缘的透过率提高，从而液晶显示器的整体透过率提闻。实施例二本专利技术的实施例还提供一种液晶显示器，包括阵列基板和彩膜基板，所述的阵列基板包括公共电极、像素电极层和设置在所述公共电极、像素电极层之间的第一绝缘层，所述像素电极层包括若干像素电极，所述像素电极的间距至少为10微米。其中，本实施例所述间距小于等于18微米。本专利技术实施例中液晶显示器的所述间距A设置为至少10微米，降低了因电性干涉现象产生的水平电场的影响，提高了液晶显示器的整体透过率。作为一个优选方案，本实施例液晶显示器中的所述像素电极的间距为12微米。进一步地，本实施例所述液晶显示器，还包括设置在所述公共电极下侧的信号线，所述信号线通过第二绝缘层与所述公共电极隔开。所述公共电极的材质与所述像素电极的材质均为透明导电材料铟锡氧化物(Indium tin oxide, ITO)或者铟锋氧化物(Indium Zinc Oxide, IZ0)。所述公共电极与所述像素电极层之间的间距为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：金玟秀，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：