本发明专利技术涉及一种控制太阳能电池组件电学性能低下及外观缺陷的方法，属于太阳能电池生产技术领域。技术方案是：根据镀膜衬底在LPCVD设备腔室等待的位置及时间不同对TCO膜层的影响不同，分别进行控制；根据镀膜衬底在预加热腔室中等待时，镀膜衬底的温度变化进行不同处理；当镀膜衬底在工艺反应腔室发生等待时，根据镀膜衬底所处的腔室的不同，进行不同的处理。本发明专利技术可有效控制彩虹缺陷组件的产生，避免透明导电电极后续原材料的浪费及二级品、报废品的产生，满足人们对太阳能组件电学性能及外观的严格要求。本发明专利技术可以降低薄膜太阳能电池组件电学性能低下及外观彩虹缺陷出现的几率，减少后续原材料的浪费，降低太阳能电池组件不良及报废率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及，属于太阳能电池生产
技术介绍
在硅基薄膜太阳能电池实际生产过程 中，通常采用低压化学气相沉积(LPCVD)工艺进行太阳能电池的透明导电电极一透明导电氧化物(TCO)的沉积。LPCVD设备通常由一个预加热腔室、几个工艺反应腔室和一个冷却卸载腔室组成，镀膜衬底需要依次连续经过上述几个腔室完成LPCVD工艺。在进行LPCVD工艺过程中，由于设备异常或生产过程控制不当造成镀膜衬底在腔室中等待，即LPCVD工艺中断。镀膜衬底在LPCVD设备中的等待时间不同及发生等待的腔室不同对镀膜衬底产生的影响就会不同。对LPCVD工艺中断或称镀膜衬底在设备腔室中发生等待产生的影响，归结起来主要有以下几种 I、镀膜衬底在预加热腔室发生等待。预加热腔室则会持续对镀膜衬底进行加热，而过高的温度会对TCO膜层的生长速率及TCO的绒面结构产生影响，进行影响TCO单层膜的透光和导电性质，影响硅基薄膜太阳能电池的电学性能。2、镀膜衬底在工艺反应腔室发生等待。镀膜衬底在预加热腔室加热完毕后，在工艺反应腔室进行TCO膜层的沉积。如果镀膜衬底在工艺反应腔室发生等待，由于镀膜衬底的热量会有不同程度的散失，会导致镀膜衬底的温度降低，衬底温度分布的均匀性发生改变，使膜层厚度分布的均匀性变差，导致太阳能电池组件的外观色差明显，严重时产生明显的彩虹外观缺陷。通常这些彩虹缺陷组件到成品下线处才能被发现，发现时已造成了大量的成品外观二级品及报废品，所以需要在进行透明电极工艺时即进行工艺过程控制。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供，在LPCVD工艺进行中有选择的对在LPCVD设备腔室已经发生等待的镀膜衬底进行控制，在一定程度上控制太阳能电池组件的功率稳定，避免组件外观彩虹缺陷，解决
技术介绍
存在的上述问题。本专利技术的技术方案是，根据镀膜衬底在LPCVD设备腔室等待的位置及时间不同对TCO膜层的影响不同，分别进行控制；根据镀膜衬底在预加热腔室中等待时，镀膜衬底的温度变化进行不同处理；当镀膜衬底在工艺反应腔室发生等待时，根据镀膜衬底所处的腔室的不同，进行不同的处理。本专利技术对预加热腔室的不连续是为对加热温度进行控制，对工艺反应腔的不连续是为对镀膜衬底在腔室中的等待时间进行控制。当镀膜衬底在预加热腔室中等待时，衬底的温度会持续上升直到达到某一温度最高点后在逐渐下降。所述的根据镀膜衬底在预加热腔室中等待时，镀膜衬底的温度变化进行不同处理，具体的工艺步骤如下当镀膜衬底在预加热腔室等待温度超出工艺控制值+10°c时做报废处理，当镀膜衬底的温度超出工艺控制值低于+10°c时，则镀膜衬底进行后续工艺；当镀膜衬底温度低于工艺控制值-5°c时，则对镀膜衬底重新进行工艺处理。所述的当镀膜衬底在工艺反应腔室发生等待时，根据镀膜衬底所处的腔室的不同，进行不同的处理，具体的工艺步骤如下 a.当镀膜衬底在预加热后的第一个工艺反应腔室发生等待时间超出5min时，对镀膜衬底进行报废处理，等待时间小于5min时，继续进行后续工艺； b.当镀膜衬底在预加热后的第二个或第n个工艺反应腔室发生等待时间超出30min时，对镀膜衬底进行报废处理，等待时间小于30min时，继续进行后续工艺，n>2。当镀膜衬底在预加热后的第二个或第n个工艺反应腔室发生等待时，由于热量散失较慢，对TCO膜层的生产影响相对较小，所以当等待时间超出30min时，对镀膜衬底进行报废处理，等待时间小于30min时，继续进行后续工艺。所述太阳能组件为硅基薄膜太阳能电池组件。薄膜太阳能电池组件彩虹缺陷为受光面颜色与正常组件不同，看上去有各种颜色类似彩虹现象。本专利技术的积极效果本专利技术依据LPCVD制备太阳能电池组件的工艺过程及组件彩虹外观产生的原理，针对组件进行透明导电电极工艺进行时的状态，控制措施降低太阳能电池组件功率低下及彩虹缺陷外观的产生。本专利技术方法可有效控制彩虹缺陷组件的产生，避免透明导电电极后续原材料的浪费及二级品、报废品的产生，满足人们对太阳能组件电学性能及外观的严格要求。本专利技术可以降低薄膜太阳能电池组件电学性能低下及外观彩虹缺陷出现的几率，减少后续原材料的浪费，降低太阳能电池组件不良及报废率。具体实施例方式以下通过实施例对本专利技术做进一步说明。在实施例中，本专利技术具体的工艺步骤如下 a.当镀膜衬底在预加热腔室等待温度超出工艺控制值+10°C时做报废处理，当镀膜衬底的温度超出工艺控制值低于+10°C时，则镀膜衬底进行后续工艺；当镀膜衬底温度低于工艺控制值_5°C时，则对镀膜衬底重新进行工艺处理。b.当镀膜衬底在预加热后的第一个工艺反应腔室发生等待时间超出5min时，对镀膜衬底进行报废处理，等待时间小于5min时，继续进行后续工艺； c.当镀膜衬底在预加热后的第二个或第n个工艺反应腔室发生等待时间超出30min时，对镀膜衬底进行报废处理，等待时间小于30min时，继续进行后续工艺，n>2。实施例生产薄膜太阳能电池组件，在进行透明电极工艺时，
技术介绍
镀膜衬底在预加热腔室的温度加热的200°C以上时，太阳能电池组件的功率降低IOW以上；本实施例并不再有因此产生的功率低下的电池组件。
技术介绍
镀膜衬底在第一个工艺反应腔室因为设备异常等待7min，制备的太阳能电池组件外观出现彩虹缺陷；本实施例没有彩虹外观缺陷电池组件产生。
技术介绍
镀膜衬底在第二个工艺反应腔室因为设备异常等待45min，制备的太阳能电池组件外观出现彩虹缺陷；本实施例没有彩虹外观缺陷电池组件产生。权利要求1.，其特征在于根据镀膜衬底在LPCVD设备腔室等待的位置及时间不同对TCO膜层的影响不同，分别进行控制；根据镀膜衬底在预加热腔室中等待时，镀膜衬底的温度变化进行不同处理；当镀膜衬底在工艺反应腔室发生等待时，根据镀膜衬底所处的腔室的不同，进行不同的处理。2.根据权利要求I所述之，其特征在于所述的根据镀膜衬底在预加热腔室中等待时，镀膜衬底的温度变化进行不同处理，具体的工艺步骤如下 当镀膜衬底在预加热腔室等待温度超出工艺控制值+10°C时做报废处理，当镀膜衬底的温度超出工艺控制值低于+10°C时，则镀膜衬底进行后续工艺；当镀膜衬底温度低于工艺控制值_5°C时，则对镀膜衬底重新进行工艺处理。3.根据权利要求I或2所述之，其特征在于所述的当镀膜衬底在工艺反应腔室发生等待时，根据镀膜衬底所处的腔室的不同，进行不同的处理，具体的工艺步骤如下 a.当镀膜衬底在预加热后的第一个工艺反应腔室发生等待时间超出5min时，对镀膜衬底进行报废处理，等待时间小于5min时，继续进行后续工艺； > b.当镀膜衬底在预加热后的第二个或第η个工艺反应腔室发生等待时间超出30min时，对镀膜衬底进行报废处理，等待时间小于30min时，继续进行后续工艺，n>2 ;当镀膜衬底在预加热后的第二个或第η个工艺反应腔室发生等待时，由于热量散失较慢，对TCO膜层的生产影响相对较小，所以当等待时间超出30min时，对镀膜衬底进行报废处理，等待时间小于30min时，继续进行后续工艺。4.根据权利要求I或2所述之，其特征在于所述太阳能组件为硅基薄膜太阳能电池组件。全文摘要本专利技术涉及，属于太阳能电池生产
技术方案是根据镀膜衬底在LPCVD设备腔室等待的位置及时本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：尹晶晶，黄跃龙，王颖，张惠霞，王光辉，王达，高锦成，马云祥，周刚，
申请(专利权)人：保定天威薄膜光伏有限公司，
类型：发明
国别省市：
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