本发明专利技术公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法，其制作过程均在真空环境中进行，步骤为：对衬底进行预加热至160～220℃；将衬底加热至230～320℃后进行碲化锑磁控溅射；将衬底冷却至80～120℃后进行镍钒合金溅射；将上述衬底降温到70℃以下后出料，采用这种方法制得的碲化镉薄膜太阳能电池背接触层镀膜均匀，针孔数量少。本发明专利技术还公开了采用上述方法制作碲化镉薄膜太阳能电池背接触层的立式镀膜装置，该装置包括但不限于采用真空阀门串联的预加热腔、保温碲化锑沉积腔、镍钒合金沉积腔、降温出料腔、真空系统等，该装置可实现对衬底的双面同时进行镀膜，增加镀膜有效区间，提高生产效率，易于检修。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于碲化镉薄膜太阳能电池制造领域，具体应用于采用磁控溅射镀膜エ艺制造碲化镉薄膜太阳能电池的背接触层部分。
技术介绍
如今，碲化镉薄膜太阳能电池以其性价比高、エ艺简单、能耗低等多方面的优势越来越受到投资商或用户的重视，而在碲化镉薄膜太阳能电池的制造エ艺中，其背接触层的制备是关键エ序之一，目前通用的镀膜エ艺主要有丝网印刷法、高真空蒸发法和离子束蒸发法，其中，丝网印刷法虽然所需设备相对简单，但其只是针对银浆、石墨浆料等材料加工而言，并且这些材料存在自身成本偏高、运输成本偏大和存放条件要求严格等缺点，不适应于大规模エ业化生产的要求；而高真空蒸发法的材料利用率不高，加上在镀膜过程中不易于控制材料的消耗，也不能适应于大面积电池板的镀膜要求，镀膜效率较低；离子束蒸发法对制造设备的要求较高，并且对于大尺寸或大面积的电池板来说，其很难满足均匀镀膜的 要求，无法应用于大规模エ业化生产。进ー步的是，传统的镀膜装置采用的是上下式镀膜原理，其容易导致镀膜过程中上方的粉尘掉落到下方的衬底上面而导致针孔现象发生，并且在维修或更换靶材的时候不够方便，并且，上下镀膜在衬底的边缘部位为传统装置支撑区，该支撑区的镀膜是要去除掉，因此，镀膜的有效区间低，生产成本偏高。
技术实现思路
本专利技术提供ー种碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法，该制作方法不但可对大面积或大尺寸电池板进行均匀镀膜，提高镀膜效率。本专利技术的另ー目的是提供一种采用上述方法制作碲化镉薄膜太阳能电池背接触层的立式镀膜装置。本专利技术前一目的是这样实现的ー种碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法，该制作过程均在真空环境中进行，步骤包括第一歩，对衬底进行预加热至160 220°C，一边加热ー边抽真空；第二步，将衬底加热至230 320°C，再进行碲化锑磁控溅射，碲化锑的厚度为10 150nm ;第三步，将上述衬底冷却至80 120°C后，进行镍钒合金溅射，镍钒合金的厚度为O. 5 5 m ;第四步，将上述衬底降温到70°C以下后出料，制得碲化镉薄膜太阳能电池背接触层。作为本专利技术的进ー步改进，在上述第一歩、第二步的碲化锑磁控溅射步骤和第三步的镍钒合金溅射中，均是在压强为O IOPa的条件下进行，该压强范围可通过通入氩气的方式来维持。在第二步エ艺中，最好是将衬底加热至270 280°C，因为这个温度范围值能保证衬底的致密性好,大大降低衬底的针孔数量。进ー步的是，在第四步エ艺中，衬底降温至40 60°C后出料，这个温度范围值最能防止衬底在出料时破裂。本专利技术的另一目的是这样实现的一种采用上述方法制作碲化镉薄膜太阳能电池背接触层的立式镀膜装置，该制作装置包括采用真空阀门串联的预加热腔、保温碲化锑沉积腔、镍钒合金沉积腔和降温出料腔，这四个腔的下方设置有衬底传动装置和真空机组，上方设置有氩气控制系统，用以恒定上述第一歩、第二步的碲化锑磁控溅射步骤和第三步的镍钒合金溅射エ艺中的压强范围值，保证镀膜的均匀性；其中，保温碲化锑沉积腔靠近预加热腔的前半部分为加热区，后半部分为碲化锑溅射区，碲化锑溅射靶头相对安装于碲化锑溅射区两侧的门盖上；镍钒合金沉积腔靠近保温碲化锑沉积腔的前半部分为冷却区，后半部分为镍钒合金溅射区，镍钒合金溅射靶头相对安装于镍钒合金溅射区两侧的门盖上，便于装卸检修。 所述衬底传动装置为由电机驱动的传输滚轮，衬底通过衬底支架置于传输滚轮上，预加热腔、保温碲化锑沉积腔、镍钒合金沉积腔和降温出料腔均与控制系统连接，该控制系统里可设置相应的传感器，根据检测到的这四个腔的压强、温度、衬底位置、碲化锑厚度和镍钒合金厚度时对传输滚轮的运动速度进行控制。所述预加热腔、保温碲化锑沉积腔、镍钒合金沉积腔和降温出料腔的上部均设置在独立的测压器，以对这四个腔室内的压カ值进行检測。为了保证镀膜的纯度，所述真空机组最好是采用无油真空机组。本专利技术采用磁控溅射法制备碲化镉薄膜太阳能电池背接触层，并选择碲化锑和镍钒合金作为背接触层材料，不但成本低，适宜于大規模化工业生产，而且材料利用率高；在本专利技术所述的制作方法中，在真空环境中对衬底进行预加热，加热后进行碲化锑磁控溅射，然后再冷却至一定温度后才进行镍钒合金溅射，其温度、碲化锑厚度和镍钒合金厚度參数使膜层和靶材成分保持一致性，成膜质量较高，附着强度较好，并且可通过靶材镀膜区域的大小来制备不同尺寸的衬底，保证了镀膜的均匀性。另外，本专利技术提供的用于制作碲化镉薄膜太阳能电池背接触层的立式镀膜装置采用了串联式的预加热腔、保温碲化锑沉积腔、镍钒合金沉积腔和降温出料腔，这四个腔通过真空机组保证了上述制作エ艺在真空环境中得以进行；最重要的是，碲化锑溅射靶头和镍钒合金溅射靶头均是各自相对安装于门盖上，当衬底在传输滚轮的带动下以一定的速度匀速通过时，这些靶头对衬底的双面同时进行溅射镀膜，提高镀膜效率；这种立式镀膜方式，増加了镀膜的有效区间；更进ー步的是，预加热腔、保温碲化锑沉积腔、镍钒合金沉积腔和降温出料腔均与控制系统连接，该控制系统可通过现有的各种传感器或其他检测装置来对这四个腔的压强、温度、衬底位置、碲化锑厚度和镍钒合金厚度进行检测，根据检测到的參数来对这四个腔的压强、温度、传输滚轮的运动速度进行控制，进ー步保证的镀膜エ艺的顺利进行，其结构简単，可广泛应用于大规模エ业生产中。附图说明图I为本专利技术所述制作碲化镉薄膜太阳能电池背接触层的立式镀膜装置结构示意简图。图2为图I的A-A剖视图。图3为图2中的B向视图。图中，1为衬底,2为真空阀门，3为预加热腔,4为保温締化铺沉积腔,4-1为加热区，4-2为碲化锑溅射区，5为镍钒合金沉积腔，5-1为冷却区，5-2为镍钒合金溅射区，6为降温出料腔，7为测压器，8为真空机组，9为氩气控制系统，10为电机，11为传输滚轮，12为衬底支架，13为控制系统，14为碲化锑溅射靶头，15为碲化锑溅射区两侧的门盖。具体实施例方式为了更加清楚地理解本专利技术的目的、技术方案及有益效果，下面结合附图将本专利技术提供的方法和装置结合起来进行说明，但并不将本专利技术的保护范围限定在以下实施例中。如图I至图3所示，ー种碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法，该制作过程均在真空环境中进行，步骤为首先对衬底I进行预加热，一边加热ー边抽真空，当真空度达到IPa并且衬底I温度达到160 220°C中任ー值时，真空阀门2打开，衬底I进入到保温碲化锑沉积腔4的加热区4-1进行加热，在该加热区4-1停留5至10分钟，衬底I温度即可达230 320°C中任ー值，然后再进入到碲化锑溅射区4-2进行碲化锑磁控溅射，在溅射期间不断通入氩气，使该碲化锑溅射区4-2維持在恒定的压强值，以保证镀膜的均匀性， 当检测到碲化锑的厚度在10 150nm之间任ー值时，衬底I在传输滚轮11的带动下进入到镍钒合金沉积腔5的冷却区5-1，直到温度达到80 120°C中任ー值后，再进入到镍钒合金溅射区5-2进行镍钒合金溅射エ艺，此时也不断地通入氩气使压强值恒定，直到所镀的镍钒合金的厚度为O. 5 5 m中任ー值后，衬底I才进入到降温出料腔6，降温至70V以下后出料，以防止衬底I破裂，以此顺利制得碲化镉薄膜太阳能电池背接触层。值得ー提的是，由于碲化锑溅射靶头和镍钒合金溅射靶头分别相对安装于碲化锑溅射区4-2或镍钒合金溅本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘锦功，谢义成，刘映天，傅干华，
申请(专利权)人：成都中光电阿波罗太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：
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