一种多进风口模式的变频器散热结构制造技术

一种多进风口模式的变频器散热结构。主要解决了现有的变频器的风道结构散热效果差的问题。其特征在于：进风口(2)和排风口(3)为多个且分布在机箱(1)的下端及上端的侧壁，整流桥和可控硅安装在同一散热器(6)上，IGBT模块分为三组且分别安装在三个不同的散热器(6)上，散热器(6)穿过隔板(4)并位于隔板(4)的另一侧，散热器(6)侧面的主控板(5)上设有条形通槽(7)，散热器(6)上扣合有密闭的壳罩(8)形成独立的散热风道，壳罩(8)上安装有风扇组(9)。该散热结构针对不同的发热元件采用独立的散热风道进行散热，具有较好的散热效果，满足了大功率变频器的散热需求。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种变频器部件，具体涉及一种多进风口模式的变频器散热结构。
技术介绍
变频器是应用变频技术与微电子技术，改变电机工作电源频率的电力控制设备。其原理是利用电力半导体器件的通断作用将工频电源变换为另一频率的电能控制装置，能实现对交流异步电机的软起动、变频调速、提高运转精度、改变功率因数、过流/过压/过载保护等。现有的变频器机箱一般为一体式结构，机箱上设有进风口和排风口，利用外部空气从进风口进入再由排风口排出，形成流动空气风冷。由于各发热元件的发热量不同，现有的风道散热结构并不理想，散热效果差，因此需要较大的风机才能达到冷却的需求，从而变频器的功率也受到一定的限制。
技术实现思路
为了克服现有的变频器的风道结构散热效果差的不足，本技术提供一种多进风口模式的变频器散热结构，该结构针对不同的发热元件采用独立的散热风道进行散热，具有较好的散热效果，满足了大功率变频器的散热需求。本技术的技术方案是一种多进风口模式的变频器散热结构包括机箱，机箱内设有隔板，隔板上安装有主控板，所述的主控板的一侧安装有整流桥、可控硅及IGBT模块，机箱上设进风口和排风口，进风口和排风口为多个且分布在机箱的下端及上端的侧壁，整流桥和可控硅安装在同一散热器上，IGBT模块分为三组且分别安装在三个不同的散热器上，散热器穿过隔板并位于隔板的另一侧，散热器侧面的主控板上设有条形通槽，散热器上扣合有密闭的壳罩形成独立的散热风道，壳罩上安装有风扇组。所述的风扇组为多个同一规格的风扇紧密排列组成。本技术具有如下有益效果由于采取上述方案，针对不同的发热元件采用独立的散热风道进行散热，有针对性进行散热，具有较好的散热效果，满足了大功率变频器的散热需求，变频器的功率可达到800千瓦。附图说明附图I是本技术的结构示意图。附图2是本技术拆下壳罩8的结构示意图。图中I-机箱，2-进风口，3-排风口，4-隔板，5-主控板，6_散热器，7_条形通槽，8-壳罩,9-风扇组。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步说明由图I结合图2所示，一种多进风口模式的变频器散热结构包括机箱1，机箱I内设有隔板4，隔板4上安装有主控板5，所述的主控板5的一侧安装有整流桥、可控硅及IGBT模块，机箱I上设进风口 2和排风口 3，进风口 2和排风口 3为多个且分布在机箱I的下端及上端的侧壁，整流桥和可控硅安装在同一散热器6上，IGBT模块分为三组且分别安装在三个不同的散热器6上，散热器6穿过隔板4并位于隔板4的另一侧，散热器6侧面的主控板5上设有条形通槽7,散热器6上扣合有密闭的壳罩8形成独立的散热风道,壳罩8上安装有风扇组9。空气从进风口 2进入，分成多路分别通过条形通槽7进入不同的散热风道，然后由不同的风扇组9排出，最后从排风口 3排出。上述方案针对不同的发热元件采用独立的散热风道进行散热，有针对性进行散热，具有较好的散热效果，满足了大功率变频器的散热需求，变频器的功率可达到800千瓦。 由图I结合图2所示，所述的风扇组9为多个同一规格的风扇紧密排列组成。利用风扇组9实现不同散热风道散热，风扇规格统一，便于装配和互换。权利要求1.一种多进风口模式的变频器散热结构，包括机箱(1)，机箱(I)内设有隔板(4)，隔板(4)上安装有主控板(5)，所述的主控板(5)的一侧安装有整流桥、可控硅及IGBT模块，机箱⑴上设进风口⑵和排风口(3)，其特征在于进风口⑵和排风口(3)为多个且分布在机箱(I)的下端及上端的侧壁，整流桥和可控硅安装在同一散热器(6)上，IGBT模块分为三组且分别安装在三个不同的散热器(6)上，散热器(6)穿过隔板(4)并位于隔板(4)的另一侧，散热器(6)侧面的主控板(5)上设有条形通槽(7)，散热器(6)上扣合有密闭的壳罩(8)形成独立的散热风道，壳罩(8)上安装有风扇组(9)。2.根据权利要求I所述的一种多进风口模式的变频器散热结构，其特征在于所述的风扇组(9)为多个同一规格的风扇紧密排列组成。专利摘要一种多进风口模式的变频器散热结构。主要解决了现有的变频器的风道结构散热效果差的问题。其特征在于进风口(2)和排风口(3)为多个且分布在机箱(1)的下端及上端的侧壁，整流桥和可控硅安装在同一散热器(6)上，IGBT模块分为三组且分别安装在三个不同的散热器(6)上，散热器(6)穿过隔板(4)并位于隔板(4)的另一侧，散热器(6)侧面的主控板(5)上设有条形通槽(7)，散热器(6)上扣合有密闭的壳罩(8)形成独立的散热风道，壳罩(8)上安装有风扇组(9)。该散热结构针对不同的发热元件采用独立的散热风道进行散热，具有较好的散热效果，满足了大功率变频器的散热需求。文档编号H02M1/00GK202364105SQ20112053159公开日2012年8月1日 申请日期2011年12月17日 优先权日2011年12月17日专利技术者畅磊, 罗新, 陈淑建 申请人:浙江艾得森电气有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈淑建，罗新，畅磊，
申请(专利权)人：浙江艾得森电气有限公司，
类型：实用新型
国别省市：