基于体硅的纵向堆叠式后栅型SiNWFET制备方法技术

本发明专利技术公开了一种基于体硅的纵向堆叠式后栅型SiNWFET制备方法，包括：提供一体硅衬底，所述体硅衬底上交替生长有SiGe层和Si层；对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀，形成鳍形有源区，剩余的SiGe层和Si层作为源漏区；通过选择性刻蚀去除所述鳍形有源区中的SiGe层，形成硅纳米线，所述硅纳米线纵向堆叠；在所述源漏区之间的体硅衬底上形成虚拟隔离层；在所述虚拟隔离层内形成栅极沟槽；在所述硅纳米线上形成栅极氧化层；在所述栅极沟槽内形成栅极；去除所述虚拟隔离层，形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内形成隔离介质层。本发明专利技术采用虚拟隔离层，利于栅极沟槽轮廓控制；采用常规的栅极氧化层；硅纳米线纵向堆叠，利于增大器件集成度和器件电流驱动能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，特别是涉及一种基于体硅的纵向堆叠式后栅型硅纳米线场效应晶体管(SiNWFET)制备方法。
技术介绍
现有技术中，通过缩小晶体管的尺寸来提高芯片的工作速度和集成度、减小芯片功耗密度一直是微电子工业发展所追求的目标。在过去的四十年里，微电子工业发展一直遵循着摩尔定律。当前，场效应晶体管的物理栅长已接近20nm，栅介质也仅有几个氧原子层厚，通过缩小传统场效应晶体管的尺寸来提高性能已面临一些困难，这主要是因为小尺寸下短沟道效应和栅极漏电流使晶体管的开关性能变坏。纳米线场效应晶体管(Nanowire MOSFET, NWFET)有望解决这一问题。一方面，小的沟道厚度和宽度使纳米线场效应晶体管的栅极更接近于沟道的各个部分，有助于晶体管栅极调制能力的增强，而且它们大多采用围栅结构，栅极从多个方向对沟道进行调制，能够进一步增强调制能力，改善亚阈值特性。因此，纳米线场效应晶体管可以很好地抑制短沟道效应，使晶体管尺寸得以进一步缩小。另一方面，纳米线场效应晶体管利用自身的细沟道和围栅结构改善栅极调制力和抑制短沟道效应，缓解了减薄栅介质厚度的要求，有望减小栅极漏电流。此外，纳米线沟道可以不掺杂，减少了沟道内杂质离散分布和库仑散射。对于一维纳米线沟道，由于量子限制效应，沟道内载流子远离表面分布，故载流子输运受表面散射和沟道横向电场影响小，可以获得较高的迁移率。基于以上优势，纳米线场效应晶体管越来越受到科研人员的关注。由于硅材料和工艺在半导体工业中占有主流地位，与其他材料相t匕，硅纳米线场效应晶体管(SiNWFET)的制作更容易与当前工艺兼容。纳米线场效应晶体管的关键工艺是纳米线的制作，可分为自上而下和自下而上两种工艺路线。对于硅纳米线的制作，前者主要利用光刻(光学光刻或电子束光刻)和刻蚀(ICP、RIE刻蚀或湿法腐蚀)工艺，后者主要基于金属催化的气-液-固(VLS)生长机制，生长过程中以催化剂颗粒作为成核点。目前，自下而上的工艺路线制备的硅纳米线由于其随机性而不太适合硅纳米线场效应晶体管的制备，因此目前的硅纳米线场效应晶体管中的硅纳米线主要是通过自上而下的工艺路线制备。目前，基于单个硅纳米线的场效应晶体管(MOSFET)工艺制备方法研究比较热门，如申请号为200710098812. 4，专利技术名称为“一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法”的中国专利，公开了一种基于体硅的通过自上而下的途径实现体硅纳米线结构的工艺方法，由于其基于体硅的工艺特点，可以有效抑制器件的自加热效应。但随着硅纳米线截面积的缩小，器件的电流驱动能力会受到纳米线截面积的限制，使得硅纳米线场效应晶体管在模拟或射频电路中的应用受到限制，因此，有人开始研究采用多条纳米线作为输运沟道，以解决该问题。但由于多条纳米线沟道结构是横向制备的，其集成密度将大打折扣。ff. ff. Fang 等人在 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, VOL. 28，NO. 3，MARCH 2007 上发表的论文《Vertically Stacked SiGe Nanowire Array Channel CMOS Transistors》中提出了一种纵向制备硅纳米线的方法，使得硅纳米线场效应晶体管器件在纵向集成多条硅纳米线，从而使得器件的电流驱动能力成倍增大，同时集成密度不受影响。既可以保持平面结构场效应晶体管(FET)的优势又增强了栅极调制能力。其工艺方法是在SOI (Siliconon Insulator)上交替生长(Ge/Si Ge)/Si/(Ge/SiGe)/Si层，并在其上定义鳍形(Fin)结构，然后进行750°C干氧氧化，由于SiGe层较Si层有更快的氧化速率以致SiGe层完全被氧化，氧化过程中Ge进入邻近的Si层表面形成SiGe合金，腐蚀掉完全被氧化的SiGe层后得到三维堆积的、表面裹有SiGe合金的Si纳米线。然后进行热氧化，在娃纳米线(SiNW)表面形成SigGexO2作为栅极氧化层，再淀积无定型硅或者多晶硅，最后通过光刻和蚀刻形成栅极。该方法可以实现纵向堆叠型 硅纳米线场效应晶体管结构，但存在一个缺点当SiGe层氧化过程中，Ge会浓缩到Si层的表面，去除Si02后，在硅纳米线表面裹有一层浓缩后的SiGe合金。由于Ge02溶于水，它使得后续工艺面临巨大的不便，另外，Ge02的介电常数较Si02小，Ge02与Si的界面态较大，不适合作为场效应晶体管(FET)的栅氧化层。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，可有效控制栅极轮廓和器件电性，有效增大SiNWFET的集成度和器件电流驱动能力，并实现硅纳米线场效应晶体管的常规栅极氧化层结构。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种，包括下列步骤提供一体娃衬底,所述体娃衬底上交替生长有SiGe层和Si层；对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀，形成鳍形有源区，剩余的SiGe层和Si层作为源漏区；通过选择性刻蚀去除所述鳍形有源区中的SiGe层，形成硅纳米线，所述硅纳米线纵向堆叠；在所述源漏区之间的体硅衬底上形成虚拟隔离层；在所述虚拟隔离层内形成栅极沟槽；在所述硅纳米线上形成栅极氧化层；在所述栅极沟槽内形成栅极；去除虚拟隔离层，形成隔离沟槽；在所述隔离沟槽内形成隔离介质层。在所述的中，距离所述体硅衬底最近的一层为SiGe层,距离体娃衬底最远的一层也为SiGe层。可选的，在所述的基于体硅的纵向堆叠式后栅型S i NWFET制备方法中，对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀之前，对所述源漏区之间的区域进行离子注入。可选的，在所述的基于体硅的纵向堆叠式后栅型S i NWFET制备方法中，对所述SiGe层和Si层进行光刻和刻蚀之前，对所述源漏区进行离子注入。可选的，在所述的中，在所述源漏区之间的体硅衬底上形成虚拟隔离层之后，对所述源漏区进行离子注入。在所述的中，所述选择性刻蚀采用次常压化学气相刻蚀法。在所述的中，所述次常压化学气相刻蚀法采用氢气和氯化氢混合气体，其中氢气和氯化氢混合气体的温度在600°C 800°C之间，其中氯化氢的分压大于300Torr。在所述的中，所述硅纳米线直径在I纳米 I微米之间。在所述的基于体硅的纵向堆叠式后 栅型SiNWFET制备方法中，所述硅纳米线的截面形状为圆形、横向跑道形或纵向跑道形。在所述的中，在所述源漏区之间的体硅衬底上形成虚拟隔离层之前，还包括对所述硅纳米线进行热氧化；蚀刻掉所述热氧化形成的二氧化硅。优选的，在所述的中，所述虚拟隔离层的材料为无定形碳。较佳的，在所述的中，在所述硅纳米线上形成栅极氧化层步骤中采用原子层沉积技术。在所述的中，所述栅极氧化层的材料为二氧化硅、氮氧化硅或高K介质层。在所述的中，所述高K介质层是Hf02.A1203.Zr02中的一种或其任意组合。在所述的中，所述栅极的材料为多晶娃、无定形娃、金属中的一种或其任意组合。在所述的中，在去除虚拟隔离层之前，对所述源漏区和所述栅极的上表面进行自对准硅、锗硅金属合金工艺。在所述的中，所述隔离介质层的材料为二氧化硅。较佳的，在所述的中，在所述隔离沟槽内形成隔离介质层步骤中，同时形成层间介质层。本专利技术基于体硅的纵向堆叠式后栅型硅纳米线场效应晶体管结构具有以下优占-^ \\\ ·I、基于体硅，硅本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晓橹，谢欣云，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：