一种去除金属镓中杂质铋的方法技术

本发明专利技术公开了一种去除金属镓中杂质铋的方法，采用部分结晶法提纯工艺进行四次操作，工艺条件为：温度梯度1.1~1.4℃/cm，平均结晶速度为3.2~4.2g/min，固液比75~85%。与现有技术相比，本发明专利技术采用的方法可以有效地把金属镓中铋的含量降低到辉光放电质谱法（GDMS）检出的极限<5ppb以下，为制取纯度99.9999%的高纯度镓创造良好条件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种提纯方法，尤其涉及一种采用部分结晶法提纯工艺去除金属镓中杂质铋的方法。
技术介绍
现代高科技领域中，要用到很多高纯度的材料。高纯度金属镓就是电子科学发展中极其重要的材料之一。为此，发展了很多提纯物质，尤其是提纯金属元素的方法。提纯金属镓就是高纯度电子材料研制中突出的一种。提纯金属镓的方法有化学萃取法、杂质优先氯化法、电解精炼法、纵向温度梯度凝固法(VGF)、镓单晶拉制法和化合物提纯还原法等。但上述方法对除去杂质铋效果都不理想，以致当原料镓中杂质铋含量过高时，如铋含量达到49ppm,很难用以上方法制得纯度99. 9999%的高纯度镓。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，提供一种采用纵向温度梯度凝固提纯工艺去除金属镓中杂质铋的方法。本专利技术采取的技术方案为 ，采用部分结晶法提纯工艺进行四次操作，工艺条件为温度梯度I. I I. 40C /cm，平均结晶速度为3. 2 4. 2g/min,固液比75 85%。经过四次部分结晶操作，可以把金属镓中铋的含量从Ilppm降低到5ppb以下，即金属镓中铋的含量从4N降低到6N的含量要求。采用本专利技术的方法，铋含量为49ppm原料镓经过四次部分结晶操作，铋富集到液相镓中，液相镓中铋含量达3370ppm。与现有技术相比，本专利技术采用的方法可以有效地把金属镓中铋的含量降低到辉光放电质谱法(GDMS)检出的极限<5ppb以下，为制取纯度99. 9999%的高纯度镓创造良好条件。具体实施例方式下面结合附表及具体实施例对本专利技术再作进一步详细的说明。实施例I :，采用纵向温度梯度凝固提纯工艺进行四次加一次部分结晶操作，部分结晶的工艺条件为纵向温度梯度I. ri.4°C /cm，平均结晶速度为3. 2 4. 2g/min,固液比75 85%。采用上述工艺条件，对3组样品各自进行5次部分结晶操作，提纯效果参见表I。其中Stl为原料镓，S3为第3次部分结晶产出的固相，S4为第4次部分结晶产出的固相，S5为第5次部分结晶产出的固相。表I、杂质秘元素含量单位ppm. Wt-权利要求1.，其特征在于采用部分结晶法提纯工艺进行操作，工艺条件为温度梯度为I. ri.4°C /cm，平均结晶速度为3. 2^4. 2g/min，固液比75 85%。2.根据权利要求I所述的去除金属镓中杂质铋的方法，其特征在于经过四次部分结晶操作，将金属镓中铋的含量从4N降低到6N的含量要求。全文摘要本专利技术公开了，采用部分结晶法提纯工艺进行四次操作，工艺条件为温度梯度1.1~1.4℃/cm，平均结晶速度为3.2~4.2g/min，固液比75~85%。与现有技术相比，本专利技术采用的方法可以有效地把金属镓中铋的含量降低到辉光放电质谱法(GDMS)检出的极限<5ppb以下，为制取纯度99.9999%的高纯度镓创造良好条件。文档编号C22B9/00GK102618735SQ20121011981公开日2012年8月1日 申请日期2012年4月23日 优先权日2012年4月23日专利技术者刘文兵, 刘素公, 范家骅, 金兰英 申请人:南京金美镓业有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘文兵，范家骅，刘素公，金兰英，
申请(专利权)人：南京金美镓业有限公司，
类型：发明
国别省市：