基岛披覆锡共晶工艺及其装片方法技术

本发明专利技术涉及一种基岛披覆锡共晶工艺及其装片方法，所述方法包括以下工艺步骤：步骤一、利用现有工艺制成引线框的金属部分；步骤二、将步骤一制作完成的引线框进行球焊区域电镀，以满足球焊要求；步骤三、在步骤二完成球焊区域电镀的引线框的装片位置进行披覆锡或锡合金的工作；步骤四、将步骤三完成披覆工作的引线框进行共晶装片，使框架装片位置与背金芯片或背银芯片结合连接在一起；本发明专利技术一种基岛披覆锡共晶工艺及其装片方法，它对芯片尺寸无要求，而且基岛披覆上一层锡或锡合金以后，由于锡或锡合金的厚度可以控制，锡或锡合金层厚度可以有效吸收芯片与基岛间不同的应力，解决了传统共晶芯片的分层和破裂问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，属于半导体封装

技术介绍
在中大功率的半导体封装领域，传统的装片技术主要由三种一是共晶装片，二是导电胶装片，三是铅锡钎焊装片，而铅锡钎焊装片又可细分为铅锡丝装片和铅锡胶装片，而目前这几种装片方法都存在各自的缺陷 1、共晶装片 共晶装片需要在芯片背面镀上一层金或金砷合金或者银合金，然后在基岛装片位置一般也镀上一层银，然后可以进行共晶装片。共晶装片时需要控制装片温度达到上下金属层能共晶的高温(一般需要400°C以上)，然后在一定的压力和震动摩擦下，使芯片背面的金属原子与基岛镀银层的金属原子进行交换，达到两者形成共晶结合的目的。共晶装片的优点是导电和导热性能较好，但由于芯片和基岛的热膨胀系数差异较，金属基岛面积越大热应力也越大，而传统共晶装片芯片与基岛之间仅有薄薄的一层金属层，无法吸收芯片与基岛之间的热应力变化，也无法吸收基岛外露产品基岛所受到的外力冲击，一旦产品受到温度变化的影响或受到外力冲击时，由于热应力或外力的影响，非常容易造成芯片破裂导致产品失效; 2、导电胶装片 导电胶装片是利用导电胶内含有的粘性胶状物质将芯片和基岛粘结在一起，再通过导电胶内部的金属物质将芯片背面的功能和热量传导到基岛上，导电胶装片能够在一定程度上吸收芯片与基岛之间的热应力变化和基岛所受到的外力冲击，但其导电和导热特性相对较差，比较适用于对导热和导电性能要求不高而芯片面积较大的产品； 3、铅锡钎焊装片 目前的铅锡钎焊装片有两种工艺可以实现，一种是先在基岛上融化上一层铅锡合金焊料，并在铅锡合金焊料融化的情况下安装上芯片，并在高温下铅锡焊料与基岛和背面带有金属层的芯片结合，冷却后形成铅锡钎焊装片效果；另一种是在常温下基岛上点上铅锡膏后装上背面带有金属层的芯片，然后将产品放入高温炉经过回流焊，使铅锡胶充分融化并与基岛和芯片结合，从而形成铅锡钎焊装片效果。铅锡钎焊装片可以兼具共晶装片和导电胶装片的优点，这种装片方法的主要缺陷是对芯片尺寸有要求，如果芯片尺寸过小，在装片和回流焊时，芯片就会发生旋转或扭动，产生不良及报废。随着半导体行业的发展，对封装体的各种安全可靠性，尤其是体积等方面的要求越来越严格，所以以上三种装片方式已经显现出越来越多的缺陷
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种，它不存在铅锡钎焊装片的困扰，对芯片尺寸无要求；而且基岛披覆上一层锡或锡合金以后，由于锡或锡合金的厚度可以控制，锡或锡合金层厚度可以有效吸收芯片与基岛间不同的应力，解决了传统共晶芯片的分层和破裂问题。本专利技术的目的是这样实现的一种，所述方法包括以下工艺步骤 步骤一、 利用现有工艺制成引线框的金属部分； 步骤二、将步骤一制作完成的引线框进行球焊区域电镀，以满足球焊要求； 步骤三、在步骤二完成球焊区域电镀的引线框的装片位置进行披覆锡或锡合金的工作； 步骤四、将步骤三完成披覆工作的引线框进行共晶装片，使框架装片位置与背金芯片或背银芯片结合连接在一起，完成装片； 所述方法的工艺实施顺序为步骤一一步骤二一步骤三一步骤四或步骤一一步骤三一步骤二一步骤四。所述引线框通过冲压或蚀刻方法制成。所述步骤二中引线框球焊区域的电镀材料是银、镍钯金、镍金或铜。所述步骤二中引线框球焊区域的电镀方式是湿膜电镀、压板电镀或化学镀。所述步骤三中引线框装片位置的披覆方式是湿膜电镀、压板电镀、化学镀。所述步骤三中引线框装片位置采用掩模板刷锡膏的方式进行披覆锡或锡合金，然后再经过回流焊使锡膏固化并对固化后的锡或锡合金表面进行平整处理。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是 1、引线框装片位置上的锡层或锡合金层可以是采用电镀的方法镀上去的，也可以采用掩膜板刷锡膏后经过回流焊固化，保证了锡层或锡合金层的厚度均匀，并且其厚度面积位置皆可得到控制，完美地解决了传统铅锡钎焊装片对芯片尺寸的限制，使得再小的芯片也可以安全装片，同时也避免了铅锡银膏装片时会发生的一系列问题，例如锡膏的扩散污染、芯片扭转漂移等； 2、引线框基岛上的镀锡或锡合金的厚度可以控制，锡或锡合金层成本较低而且可以起到吸收应力的作用，可以有效地避免分层，芯片破裂等情况，因此装片质量得到了大大的提高，封装可靠性得到增强。具体实施例方式本专利技术一种，它包括以下工艺步骤 步骤一、利用现有成熟工艺，通过冲压或蚀刻等方法制成引线框的金属部分； 步骤二、将步骤一制作完成的引线框进行球焊区域电镀，以满足球焊要求，电镀材料可以是银、镍钯金、镍金或铜等，电镀方式可以是湿膜电镀、压板电镀、化学镀或其他方式电镀； 步骤三、在步骤二完成球焊区域电镀的引线框的装片位置进行披覆锡或锡合金的工作，披覆方式可以是湿膜电镀、压板电镀、化学镀或采用掩模板刷锡膏等方式； 若引线框装片位置采用掩模板刷锡膏的方式进行披覆锡或锡合金，则还需要经过回流焊使锡膏固化并对固化后的锡或锡合金表面进行平整处理； 步骤四、将步骤三完成披覆工作的引线框进行共晶装片，使框架装片位置与背金芯片或背银芯片结合连接在一起。 所述步骤二与步骤三也可以交换顺序实施，即可以先完成球焊区域电镀，再完成装片区域电镀，也可以先完成装片区域电镀，再完成球焊区域电镀。权利要求1.一种，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤 步骤一、利用现有工艺制成引线框的金属部分； 步骤二、将步骤一制作完成的引线框进行球焊区域电镀，以满足球焊要求； 步骤三、在步骤二完成球焊区域电镀的引线框的装片位置进行披覆锡或锡合金的工作； 步骤四、将步骤三完成披覆工作的引线框进行共晶装片，使框架装片位置与背金芯片或背银芯片结合连接在一起； 所述方法的工艺实施顺序为步骤一一步骤二一步骤三一步骤四或步骤一一步骤三一步骤二一步骤四。2.根据权利要求I所述的一种，其特征在于所述弓I线框通过冲压或蚀刻方法制成。3.根据权利要求I所述的一种，其特征在于所述步骤二中引线框球焊区域的电镀材料是银、镍钯金、镍金或铜。4.根据权利要求I所述的一种，其特征在于所述步骤二中引线框球焊区域的电镀方式是湿膜电镀、压板电镀或化学镀。5.根据权利要求I所述的一种，其特征在于所述步骤三中引线框装片位置的披覆方式是湿膜电镀、压板电镀、化学镀。6.根据权利要求I所述的一种，其特征在于所述步骤三中引线框装片位置采用掩模板刷锡膏的方式进行披覆锡或锡合金，然后再经过回流焊使锡膏固化并对固化后的锡或锡合金表面进行平整处理。全文摘要本专利技术涉及一种，所述方法包括以下工艺步骤步骤一、利用现有工艺制成引线框的金属部分；步骤二、将步骤一制作完成的引线框进行球焊区域电镀，以满足球焊要求；步骤三、在步骤二完成球焊区域电镀的引线框的装片位置进行披覆锡或锡合金的工作；步骤四、将步骤三完成披覆工作的引线框进行共晶装片，使框架装片位置与背金芯片或背银芯片结合连接在一起；本专利技术一种，它对芯片尺寸无要求，而且基岛披覆上一层锡或锡合金以后，由于锡或锡合金的厚度可以控制，锡或锡合金层厚度可以有效吸收芯片与基岛间不同的应力，解决了传统共晶芯片的分层和破裂问题。文档编号H01L21/60GK102623364SQ20121005068公开日2012年8月1日 申请日期2012年3月1日 优先权日2012年3月1日专利技术者俞斌, 吴昊, 王新潮, 谢洁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：谢洁人，王新潮，俞斌，吴昊，
申请(专利权)人：长电科技滁州有限公司，
类型：发明
国别省市：