本发明专利技术提供了一种基于局部匹配的低失配多通道LED恒流源驱动电路结构，属于微电子和LED驱动技术领域。该LED恒流源驱动电路包括一个VG产生电路、一个电流源ID、一个电流镜、n个通道和k条Mref支路，所述VG产生电路根据电路需求产生给电路中功率管和Mref的栅极电压，n个通道共享一个相同的VG，所述电流源ID为系统中不同通道复制的电流来源，所述电流镜复制ID产生k个不同的相等电流源，所述k个电流源分别流过k个Mref支路。本发明专利技术提出的结构中可以采用局部匹配的措施，所以总体复制失配大大减小。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种基于局部匹配的低失配多通道LED恒流源驱动电路结构，属于微电子和LED驱动
技术介绍
目前LED屏的使用非常广泛，电信、邮政、金融、交通和体育场馆等各个行业及政府工作部门都对LED屏有很大的需求。由于LED为特性敏感的器件，而且随着温度变化显著，在LED灯大于导通阈值电压后，其上电流随电压的变化剧烈变化，而亮度和LED上的电流成正比，故需要LED驱动来保证LED的可靠性和显示一致性。通道间的电流匹配可以保证不同像素点显示相同灰度时的一致性和不同灰度时的线性度。低失配的LED驱动电路可使用于高显示质量的LED屏中。图I给出了一种典型的传统LED驱动电路的结构图。该结构包括一个电压产生模块VGEN和n个通道(Channel 1，Channel 2， ，Channel n)。VGEN模块为通道提供参考电压，其结构包括一个运放Opal,—个电流镜(Current Source Mirror),一个VG产生电路(VGGenerator)以及两个反馈MOS管MO和Mref。该结构需要输入一个参考电压Vref 1，一个外接电阻Rext。由于Opal放大倍数很大,通过反馈使得MO的漏端电压等于Vref I,计算得到ID = Vrefl/Rext。ID通过电流镜复制到Iref电流，VG产生电路根据电路需求产生一个VG电压提供给Mref和各个通道中功率管的偏置。每一个通道包括一个运放以及两个功率管(对于通道I是Ml和Mol)，由于LED的电流比较大，即Ml和Mol上流过的电流比较大，需要比较大的面积的Ml和Mol。n个通道之间在电路结构上是完全一样的，不同通道复制Mref的匹配决定了不同通道间的一致性。由于功率管Ml—般工作在线性区，其电流复制失配可以计算为权利要求1.ー种LED恒流源驱动电路，其特征在于，包括ー个VG产生电路、一个电流源ID、ー个电流镜、η个通道和k条Mref支路，所述VG产生电路根据电路需求产生给电路中功率管和Mref的栅极电压VG，η个通道共享ー个相同的VG，所述电流源ID为系统中不同通道复制的电流来源，所述电流镜复制ID产生k个不同的相等电流源，所述k个电流源分别流过k个Mref支路。2.如权利要求I所述的LED恒流源驱动电路，其特征在干，所述k条Mref支路中，每条支路包含ー个MOS管，MOS管的栅极接VG产生电路产生的VG电压，其上流过对应的电流Irefi (i = 1，2，3，· · ·，k)，该 MOS 管定义为 Mref i (i = 1,2,3, . . .，k)，其上漏端电压定义为 VDi (i = 1，2，3，· · ·，k)。3.如权利要求I所述的LED恒流源驱动电路，其特征在于，所述VG产生电路是ー个恒定电压，也可以是随不同ID变化的不同电压等其他结构方案。4.如权利要求I所述的LED恒流源驱动电路，其特征在于，所述η个通道中，不同通道之间结构一致，每个通道包含一个运放以及两个功率管，运放的一端接VDi，另一端接第一个通道Ml-I的漏端。5.如权利要求I所述的LED恒流源驱动电路，其特征在于，所述η个通道中，每n/k个通道共享ー个Mref支路，该n/k个通道共享相同的VDi，定义第i个Mref支路对应的通道分别为 Mrefi-1, Mrefi-2, · · ·，Mrefi-(n/k)。6.如权利要求I所述的LED恒流源驱动电路，其特征在于，所述电流镜模块在版图位置上相邻，并采取匹配措施；第i条Mref支路Mrefi和其对应的n/k个通道的功率管在版图位置上相邻，并采取匹配措施，并且i从I到k均如此。全文摘要本专利技术提供了一种基于局部匹配的低失配多通道LED恒流源驱动电路结构，属于微电子和LED驱动
该LED恒流源驱动电路包括一个VG产生电路、一个电流源ID、一个电流镜、n个通道和k条Mref支路，所述VG产生电路根据电路需求产生给电路中功率管和Mref的栅极电压，n个通道共享一个相同的VG，所述电流源ID为系统中不同通道复制的电流来源，所述电流镜复制ID产生k个不同的相等电流源，所述k个电流源分别流过k个Mref支路。本专利技术提出的结构中可以采用局部匹配的措施，所以总体复制失配大大减小。文档编号H05B37/02GK102622958SQ20111003433公开日2012年8月1日 申请日期2011年2月1日 优先权日2011年2月1日专利技术者余力澜, 吉利久, 尹航, 张雅聪, 王冠男, 王钊, 陈中建, 鲁文高, 黄泽 申请人:北京大学本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄泽，鲁文高，余力澜，王冠男，王钊，尹航，张雅聪，陈中建，吉利久，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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