输出电路制造技术

本发明专利技术提供输出电路，其能够流过更充分的输出电流。在PMOS晶体管(12)的漏极电流大的情况下，PMOS晶体管(13)在非饱和区域内进行动作。此时，NMOS晶体管(14)以及(17)的栅极电压上升到电源端子电压附近。因此，NMOS晶体管(17)的栅极/源极间电压变大而流过充分的输出电流。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：富冈勉，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：