一种晶体加工平磨料台制造技术

一种晶体加工平磨料台，属于晶体加工技术领域，特别是涉及晶体平面磨装置。在所述平磨料台上设有多个圆柱形的、与晶体大小基本匹配的凹槽，所述凹槽的侧壁和/或底部上设有缓冲层，侧壁上设顶紧装置。在平磨晶体开始时，首先将此平磨料台平放到固定面上，晶体放置在料台上的凹槽内，再调节缓冲层和顶紧装置至晶体牢固，即可进行平磨加工。通过此料台的加工，可以得到平整、完整的单晶。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于晶体加工
，特别是涉及晶体平面磨装置。
技术介绍
晶体平面磨时，易出现崩边、裂纹等多种问题，现有技术的平面磨只能够一次磨一锭晶体，且加工粗糙，工作效率和质量都很难提高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有平磨效率低、质量差的缺陷，提供了一种简单、使用方便的平磨料台。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了如下的技术方案一种晶体加工平磨料台，在所述平磨料台上设有多个圆柱形的、与晶体大小基本匹配的凹槽，所述凹槽的侧壁和/或底部上设有缓冲层，侧壁上设顶紧装置。进一步地，所述缓冲层为橡胶垫，所述顶紧装置为顶紧螺丝。晶体平磨是加工晶体时最重要的一步，在平磨晶体开始时，首先将此平磨料台平放到固定面上，晶体放置在料台上的凹槽内，根据晶体直径大小调节顶紧料台的顶紧装置至夹紧晶体，即可进行平磨加工。凹槽的侧壁和底部上设有缓冲层可以起到减震效果，侧壁的缓冲层还可以防止顶紧装置划损晶体，从而减少晶体破裂的可能。通过此料台的加工，可以得到平整、完整的单晶，晶体的角度可以是0°到8°。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中图I是本专利技术平磨料台的主视图2是图I的料台的俯视图3是图I的料台的左视图4是图I的凹槽的剖面图。具体实施例方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如图1-4所示，一种晶体加工平磨料台，在所述平磨料台I上设有多个圆柱形、与晶体大小匹配的凹槽2，所述凹槽的侧壁和底部上设有缓冲层橡胶垫(图未示)和顶紧螺丝 3。实施例I :所述凹槽为3个，将相应大小的、未加工的碳化硅晶体放到本专利技术的凹槽内，根据晶体大小调整缓冲层和顶紧螺丝，直至晶体平整和牢固，然后上平面磨床待磨，待加工完毕后， 便会得到三块平整度极好的完整晶体。实施例2:所述凹槽为3个，将相应大小的、未加工的蓝宝石晶体放到本专利技术的凹槽内，根据晶体大小调整缓冲层和顶紧螺丝，直至晶体平整和牢固，然后上平面磨床待磨，待加工完毕后， 便会得到三块平整度极好的完整晶体。最后应说明的是以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术， 尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。 凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种晶体加工平磨料台，其特征在于在所述平磨料台上设有多个圆柱形的、与晶体大小基本匹配的凹槽，所述凹槽的侧壁和/或底部上设有缓冲层，侧壁上设顶紧装置。2.根据权利要求I所述的晶体加工平磨料台，其特征在于所述缓冲层为橡胶垫。3.根据权利要求I所述的晶体加工平磨料台，其特征在于所述顶紧装置为顶紧螺丝。4.根据权利要求I或2或3所述的晶体加工平磨料台，其特征在于所述晶体为碳化硅、蓝宝石、磷化铟或氮化镓。全文摘要一种晶体加工平磨料台，属于晶体加工
，特别是涉及晶体平面磨装置。在所述平磨料台上设有多个圆柱形的、与晶体大小基本匹配的凹槽，所述凹槽的侧壁和/或底部上设有缓冲层，侧壁上设顶紧装置。在平磨晶体开始时，首先将此平磨料台平放到固定面上，晶体放置在料台上的凹槽内，再调节缓冲层和顶紧装置至晶体牢固，即可进行平磨加工。通过此料台的加工，可以得到平整、完整的单晶。文档编号B24B41/06GK102581762SQ20121009428公开日2012年7月18日 申请日期2012年4月1日 优先权日2012年4月1日专利技术者倪代秦, 吴星, 张世杰, 李旭明, 李闯, 贾海涛, 高鹏成 申请人:北京华进创威电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：贾海涛，吴星，倪代秦，李旭明，李闯，高鹏成，张世杰，
申请(专利权)人：北京华进创威电子有限公司，
类型：发明
国别省市：