放电灯用电极、放电灯用电极的制造方法以及放电灯技术

本发明专利技术涉及一种放电灯用电极，在发射二次电子的电极的至少一部分中具有钙铝石化合物，其中，所述钙铝石化合物的表面进行了等离子体处理。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及放电灯，其中尤其是冷阴极荧光灯，特别涉及通过在电极的至少一部分或者冷阴极荧光灯内部的适当部位具有实施了等离子体处理的钙铝石化合物从而降低阴极位降电压和省电、并且提高耐溅射性由此延长寿命的放电灯用电极、放电灯用电极的制造方法以及放电灯。
技术介绍
平板显示器或电脑等使用的液晶显示装置(LCD)中，组装有以用于照亮该LCD的冷阴极荧光灯为光源的背光源。该现有的冷阴极荧光灯的构成图如图44所示。图44中，冷阴极荧光灯10的玻璃管1，在其内表面上涂布有荧光体3，并且在内部导入有作为放电气体的氩(Ar)、氖(Ne)以及荧光体激发用的汞(Hg)的状态下密封。在该玻璃管1的内部成对对称配置的电极5A、5B为杯型冷阴极，其端部分别固定有引线7A、7B 的一端，引线7A、7B的另一端贯穿玻璃管1。作为杯型冷阴极的材质，以往一般使用金属镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、铌(Nb)等。 其中，钼作为能够降低阴极位降电压的电极是有用的，但是昂贵。因此，近年来，通过在价廉的镍上包覆铯(Cs)等碱金属化合物、或者碱土金属化合物等，得到与钼同等的性能。冷阴极荧光灯10通过辉光放电而发光，辉光放电是由α效应和Υ效应而产生的现象，所述α效应是指在阴极、阳极间迁移的电子所引起的气体分子的电离，所述Y效应是指氩、氖、汞等的正离子撞击到负极上时发射出电子，即所谓的二次电子发射。该辉光放电中，在作为阴极侧放电部位的阴极位降部，氩、氖、汞的正离子密度提高，从而产生阴极位降部电压下降的现象即“阴极位降电压”。该阴极位降电压是对灯的发光没有贡献的电压，因此，其结果是引起工作电压的高电压化、以及辉度效率的下降。另外，针对近年来对于冷阴极荧光灯的长尺寸化以及大电流驱动的高辉度化的市场需求，要求开发能够降低阴极位降电压的冷阴极用电极。在此，阴极位降电压与前述的二次电子发射有关，依赖于所选择的冷阴极材料的二次电子发射系数。对于作为冷阴极材料的金属的二次电子发射系数，镍为1.3，钼为 1. 27，钨为1. 33。一般而言，二次电子发射系数越大，越能够降低阴极位降电压，但由于二次电子发射受表面状态的影响大，因此对于镍与钼之间的程度的差别是无法判断的。如前所述，钼是能够降低阴极位降电压的冷阴极。作为二次电子发射系数大于钼的材料，可以例示金属铱(Ir)和钼(Pt)。铱的二次电子发射系数为1.5，钼为1.44。在专利文献1中，使用由铱和铑0 )构成的合金来降低阴极位降电压，但与钼的阴极位降电压相比，最多达到降低15%的程度。另外，冷阴极荧光灯中，存在如下问题辉光放电中产生的氩等的离子撞击到电极上，通过溅射而使杯型电极产生损耗。若杯型电极损耗，则不能发射充分量的电子，从而辉度下降。因此，存在电极寿命缩短、冷阴极荧光灯的寿命也缩短的问题。为了解决这样的问题，提出了用具有耐溅射性的材料涂布杯型电极表面的方案， 但是，存在杯型电极的二次电子发射性能变差的问题。因此，要求具有耐溅射性并且二次电子发射性能高的材料。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2008-300043号公报
技术实现思路
本专利技术鉴于这样的现有问题而创立，其目的在于提供通过在电极的至少一部分或者冷阴极荧光灯内部的适当部位具有实施了等离子体处理的钙铝石化合物从而降低阴极位降电压和省电、并且提高耐溅射性由此延长寿命的放电灯用电极、放电灯用电极的制造方法以及放电灯。因此，本专利技术的放电灯用电极是在发射二次电子的电极的至少一部分中具有钙铝石化合物的放电灯用电极，其中，所述钙铝石化合物的表面进行了等离子体处理。另外，本专利技术的放电灯用电极中，所述电极可以具有金属基体，所述金属基体的至少一部分中可以具有钙铝石化合物。另外，本专利技术的放电灯用电极中，所述电极的至少一部分可以由钙铝石化合物的烧结体形成，所述钙铝石化合物的游离氧离子的至少一部分可以被电子置换，所述电子的密度可以为lX1019cm_3以上。另外，本专利技术的放电灯用电极中，所述钙铝石化合物的表面可以由通过放电而产生的等离子体进行了所述等离子体处理。另外，本专利技术的放电灯用电极中，所述钙铝石化合物的表面可以由选自稀有气体和氢气组成的组中的至少一种气体的等离子体或者由选自稀有气体和氢气组成的组中的至少一种气体与汞气体的混合气体的等离子体进行了等离子体处理。另外，本专利技术的放电灯用电极中，所述钙铝石化合物可以包含12Ca0 · 7A1203化合物、12Sr0 · 7A1203化合物、它们的混晶化合物或者它们的同型化合物。另外，本专利技术的放电灯用电极中，所述钙铝石化合物中，构成所述钙铝石化合物的游离氧离子的至少一部分可以被电子亲合力比所述游离氧离子小的原子的阴离子置换。另外，本专利技术的放电灯用电极中，电子亲合力比所述游离氧离子小的原子的阴离子可以为氢化物离子H—。另外，本专利技术的放电灯用电极中，所述氢化物离子H—的H—离子密度可以为 IXlO15Cnr3 以上。另外，本专利技术提供一种放电灯用电极的制造方法，用于制造冷阴极，其中，以钙铝石化合物形成电极的一部分或整个电极后，对该电极的钙铝石化合物的表面进行等离子体处理。另外，本专利技术的放电灯中，安装有上述的放电灯用电极或通过上述的放电灯用电极的制造方法制造的所述放电灯用电极。另外，本专利技术的放电灯，具备荧光管，封入该荧光管内部的放电气体，和与该放电气体接触的、设置在所述荧光管内部的至少一部分中的钙铝石化合物，该钙铝石化合物具有进行了等离子体处理的表面。专利技术效果根据以上说明的本专利技术，通过在放电灯用电极的至少一部分中具有钙铝石化合物，并对该钙铝石化合物的表面实施暴露于等离子体中的处理，能够降低阴极位降电压并且节省电力。具体而言，通过将在至少一部分中具有钙铝石化合物的冷阴极暴露于等离子体中，能够使阴极位降电压低于镍、钼、钨、铌以及铱和铑的合金。并且，通过提高耐溅射性， 还能够延长寿命。附图说明图1是本专利技术的实施方式的构成图。图2是用于说明开路电池放电测定装置的图。图3的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图4的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图5的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图6的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图7的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图8的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图9的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图10的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图11的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图12的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图13的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图14的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图15的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图16的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图17的(a)和(b)是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图18是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图19是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一例。图20是在电极上覆盖钙铝石化合物的情况的另一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤和弘，渡边晓，宫川直通，黑岩裕，伊藤节郎，
申请(专利权)人：旭硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：