本发明专利技术属于陶瓷材料制备领域，提供了一种采用高温中间层材料进行陶瓷连接的方法，采用Ti3SiC2作为高温中间层材料，将高温中间层材料和陶瓷材料按照陶瓷材料、高温中间层材料、陶瓷材料方式装配入石墨模具，采用放电等离子烧结技术实现陶瓷材料的连接，在连接碳化硅陶瓷时，取得了良好的连接效果。高温中间层材料可以用来直接连接陶瓷材料及陶瓷基复合材料，不需要在连接前对陶瓷材料表面进行表面预镀膜或其它改性处理，采用此高温中间层材料连接的陶瓷材料，连接强度高且高温性能稳定。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于陶瓷材料制备领域，尤其涉及。
技术介绍
先进结构陶瓷如氮化硅、碳化硅、氧化锆、氧化铝、六方氮化硼，因其优良的高温力学性能、低热膨胀系数、高导热率、良好的抗热冲击性及比重轻，只有一般金属的三分之一，被广泛应用于各种苛刻的高温环境。但由于陶瓷材料结构上的特点，如断裂韧性较低， 强度分散性大，使用可靠性差，加工性差，这些缺点限制了它们的发展和应用。具体表现在两方面首先，大块陶瓷材料的固有缺陷，如气孔、微裂纹等难以消除且分布不均匀，导致强度分散；相对而言，小块陶瓷制造容易，更容易获得良好的力学性能。其次，由于陶瓷材料的本征脆性和不可变形性，当制造形状复杂的陶瓷零部件时易在其尖角处产生应力集中，而又不能通过塑性变形加以转移和松弛，导致陶瓷破裂。由此使得先进陶瓷材料的工程应用在很大程度上受到限制。在实际应用时，为了克服其脆性及难加工等问题，常常需要连接后使用。同时，利用连接技术可以将形状简单的小部件连接为形状复杂的大部件，从而克服陶瓷材料难以加工的缺点。另外，利用连接技术可以很容易地对零部件进行修复从而提高陶瓷结构的可靠性和使用寿命。由于这几方面的原因使得陶瓷连接成为先进结构陶瓷材料实用化、工程化，从而推动先进陶瓷材料更广泛应用的一项十分必要的技术。目前得到较好应用的是在受力较小的电真空器件以及受力虽然较大但使用温度不高的场合。用公认的最成熟的钎料Ag-Cu-Ti (3-7wtTi)钎焊Si3N4-Si3N4陶瓷，室温接头四点弯曲强度可达到789MPa。但是Ag-Cu-Ti钎料抗氧化性差，用它钎焊的接头不能用于 4500C以上的环境，因此制约了先进结构陶瓷高温性能的发挥。国内外最近十多年以来在研究陶瓷连接用的新型高温钎料中，采用的方式有(I) 采用高熔点的贵金属作为钎料。J. H. Selrverian等人在使用Au-Pd-Ni钎焊Si3N4陶瓷和 Ni时，分别在陶瓷表面上镀Ti、Zr或Hf，发现镀Ti时钎料的润湿性最好，抗剪切强度最高， 室温下为75-100MPa，500°C时抗剪切强度为85_105MPa，而贵金属钎料的价格比较昂贵，实际生产中难以推广。(2)采用CuNiTiB急冷钎料来连接Si3N4陶瓷，研究发现经急冷处理的Cu-(5-25) Ni-(16-28)TiB钎料的组织比未经急冷处理的钎料更均匀，有利于提高Si3N4/Si3N4接头的强度。(3)采用非晶中间层。非晶态钎料也是目前陶瓷/陶瓷、陶瓷/金属属钎焊领域一个重要的研究方向。Naka研究了 3种成分的Cu-Ti非晶态钎料连接Si3N4陶瓷，接头室温剪切强度最高为313MPa。然而采用金属材料作为中间层还是存在很多的缺点(I)陶瓷与金属的界面处不容易产生良好的接合。一方面是由于这两种材料的晶格类型不同，金属材料系金属键，而陶瓷材料多为共价键；另一方面，陶瓷材料化学稳定性好，通常金属对陶瓷材料的润湿性较差，即两种材料的相容性较差。(2)陶瓷和金属的热膨胀系数相差很大，造成了连接后接头中的残余应力过高。(3)金属中间层抗氧化性、抗腐蚀性较差，用它们连接的接头不适用于复杂的高温环境。(4)金属中间层连接陶瓷材料时在界面反应过程中容易形成脆性化合物， 影响连接件性能。综上所述，目前国内外还缺乏可直接用于先进结构陶瓷连接且接头在高温下具有稳定高温性能的实用高温中间层材料及连接技术。
技术实现思路
本专利技术提供了，旨在解决目前国内外还缺乏可直接用于陶瓷材料连接且在高温下具有稳定高温性能的高温中间层材料及陶瓷材料连接技术的问题。本专利技术的目的在于提供一种用于陶瓷连接的高温中间层材料的制备方法，该制备方法包括以下步骤将选用的原料成份按照一定重量百分比进行调配；将配比好的原料加入无水乙醇，并进行球磨处理；用干燥箱进行烘干，采用放电等离子烧结技术进行处理。进一步，所述高温中间层材料为Ti3SiC2体系，选用的原料成分及重量百分比组成为Ti :68-78%, Si :14-70%, C :12-13%, TiC :30-90%, SiC :22-40% 进一步，所述选用的原料成分及重量百分比可选用的组合有第一种组合:Ti68-78%, Si :14-20%, C :12-13% ；第二种组合TiC:30-90%, Si :14-70% ；第三种组合:Ti:68-78%, SiC :22-40% 进一步，所述将配比好的原料加入无水乙醇后进行球磨处理的时间为l_4h。进一步，所述烘干箱进行烘干时的温度为50-70°C。进一步，所述制备方法中采用放电等离子烧结技术时，需要以50-100°C /min升温速率升至1100-1400°C，烧结时间为5-15min，施加20_40MPa的压强，并在烧结过程中通入IS气。本专利技术的另一目的在于提供，该方法包括以下步骤将高温中间层材料及陶瓷材料按照一定的顺序装配入石墨模具；采用放电等离子烧结技术对陶瓷材料进行连接；将陶瓷材料冷却至室温。进一步，所述高温中间层材料及陶瓷材料装配入石墨模具的顺序为首先放入陶瓷材料，然后放入高温中间层材料，最后放入陶瓷材料。进一步，所述采用放电等离子烧结技术对陶瓷材料进行连接的实现方法为将装配有高温中间层材料及陶瓷材料的石墨模具放入放电等离子烧结炉中进行加热、保温。进一步，所述方法中的放电等离子烧结技术可由高温烧结替代。本专利技术提供的采用高温中间层材料进行陶瓷连接的方法，采用Ti3SiC2作为高温中间层材料,将高温中间层材料和陶瓷材料按照陶瓷材料、高温中间层材料、陶瓷材料方式装配入石墨模具，采用放电等离子烧结技术实现陶瓷材料的高温连接，在连接碳化硅陶瓷时，取得了良好的连接效果。高温中间层材料可以用来直接连接陶瓷材料及陶瓷基复合材料，不需要在连接前对陶瓷材料表面进行表面预镀膜或其它改性处理，采用此高温中间层材料连接的陶瓷材料，连接强度高且高温性能稳定。附图说明图I是本专利技术实施例提供的用于陶瓷连接的高温中间层材料的制备方法的实现流程图；图2是本专利技术实施例提供的采用高温中间层材料进行陶瓷连接的方法的实现流程图。具体实施例方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步的详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术， 并不用于限定专利技术。图I示出了本专利技术实施例提供的用于陶瓷连接的高温中间层材料的制备方法的实现流程。该制备方法包括以下步骤在步骤SlOl中，将选用的原料成份按照一定重量百分比进行调配；在步骤S102中，将配比好的原料加入无水乙醇，并进行球磨处理；在步骤S103中，用干燥箱进行烘干，采用放电等离子烧结技术进行处理。在本专利技术实施例中，高温中间层材料为Ti3SiC2体系，选用的原料成分及重量百分比组成为Ti :68-78%, Si :14-70%, C :12-13%, TiC :30-90%, SiC :22-40% 在本专利技术实施例中，选用的原料成分及重量百分比可选用的组合有I、Ti :68-78%, Si :14-20%, C : 12-13% ；2, TiC :30-90%, Si 14-70% ；3、Ti :68_78%，SiC :22_40%。在本专利技术实施例中，将配比好的原料加入无水乙醇后进行球磨处理的时间为 l-4h。本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董红英，田鑫，马文，何伟艳，任艳萍，丑明月，
申请(专利权)人：内蒙古工业大学，
类型：发明
国别省市：
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