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一种MEMS和IC单片集成方法技术

技术编号:7584043 阅读:350 留言:0更新日期:2012-07-20 03:23
本发明专利技术公开了一种MEMS和IC单片集成方法,先在基片上完成除金属互连以外的所有IC工艺,然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层;再采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构;刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层之后,刻蚀氧化硅保护层形成引线孔,淀积并图形化金属形成金属互连;最后去除MEMS区域的牺牲层,释放MEMS可动结构。该方法不需要专用的低应力氮化硅生产设备,采用IC-MEMS交叉工艺,通过选择性去除氮化硅保护层来控制集成化片内应力,从而降低集成化工艺对IC电路性能的影响,工艺简单可靠。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:赵丹淇张大成林琛何军杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
申请(专利权)人:北京大学
类型:发明
国别省市:

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