P型埋层引出孔电阻值的监测结构制造技术

本发明专利技术公开了一种P型埋层引出孔电阻值的监测结构，监测结构的单体结构的P型埋层的周侧环绕一N型埋层。通过在N型埋层上加上正电位，能使P型埋层周围的PN结反向偏置，从而能够减少电流从衬底漏走，起到隔离作用。本发明专利技术监测结构的P型埋层的引出孔之间的间距较小、金属线的宽度较大，能够大大增加测试端的电流的收集能力。通过多个单体结构的串联来形成监测结构能使监测数据更加准确。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路的监测结构，特别是涉及一种P型埋层引出孔电阻值的监测结构。
技术介绍
如图1所示，为现有P型埋层引出孔电阻值的监测结构的示意图，在P型衬底上形成有浅槽隔离或场氧，所述监测结构包括一单体结构，所述单体结构包括一 P型埋层，所述P型埋层形成于所述浅槽隔离或所述场氧的底部。所述P型埋层顶部的所述浅槽隔离或所述场氧中形成有二个引出孔，在所述引出孔中填充有金属并和所述P型埋层形成连接。测试时，在二个所述引出孔分别和测试电压的高低端即高电压或低电压连接。现有监测结构在测试时，虽然P型衬底间有电位差，但是P型衬底与P型埋层的电位相同，产生的电流会大量从P型衬底流走，因此也就无法较准确地监测所述P型埋层引出孔的电阻值。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种P型埋层引出孔电阻值的监测结构，能稳定有效地监测P型埋层引出孔的电阻。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种P型埋层引出孔电阻值的监测结构，在P型衬底上形成有浅槽隔离或场氧，所述监测结构至少包括一单体结构，所述单体结构包括一P型埋层，所述P型埋层形成于所述浅槽隔离或所述场氧的底部；所述P型埋层顶部的所述浅槽隔离或所述场氧中形成有第一引出孔和第二引出孔，所述第一引出孔和所述第二引出孔中填充有金属并和所述P型埋层形成连接。在所述P型埋层对应的所述浅槽隔离或所述场氧的底部分别形成有一 N型埋层，所述N型埋层环绕在所述P型埋层的周侧并和所述P型埋层的周围侧面形成接触；在所述N型埋层顶部的所述浅槽隔离或所述场氧中形成有第三引出孔，所述第三引出孔中填充有金属并和所述N型埋层形成连接。在所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述第三引出孔上分别形成有金属线并通过各所述金属线和外部电压形成连接；测试时，所述第一引出孔和所述第二引出孔分别和测试电压的高低端连接；所述第三弓I出孔和正电压连接，使所述P型埋层周围的PN结反向偏置。进一步的改进是，所述监测结构由多个所述单体结构串联而成；多个所述单体结构的串联方法为当前单体结构的所述第一引出孔的金属线和上一个单体结构的所述第二引出孔的金属线相连、当前单体结构的所述第二引出孔的金属线和下一个单体结构的所述第一引出孔的金属线相连、各所述单体结构的所述第三引出孔的金属线相连；测试时，首尾两端的所述单体结构的所述第一引出孔或所述第二引出孔分别和测试电压的高低端连接；各所述单体结构的所述第三弓I出孔和正电压连接。进一步的改进是，所述N型埋层的内外侧面间宽度为Ιμπι。进一步的改进是，考虑到所述P型埋层和所述N型埋层在工艺中都有0. 3 μ m的扩散，故所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述P型埋层的外侧面的距离大于0.3μπι。更优选择为，所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述P型埋层的外侧面的距离为1 μ m。进一步的改进是，为了减少由于所述P型埋层的过长距离产生的漏电流，所述P型埋层所对应的所述第一引出孔、所述第二引出孔间的距离要取最小值，该最小值由金属线包孔和金属线的最小间距获得。更优选择为，所述P型埋层所对应的所述第一引出孔、所述第二引出孔间的距离为0. 3 μ m。为0.3 μ m。进一步的改进是，通过增加所述金属线宽度，能够减少所述金属线的电阻，从而能够使所述测试结构的P型衬底的漏电流减少。优选为，所述金属线的宽度为2μπι。所述金属线为铝线。进一步的改进是，通过增大相邻两个所述单体结构的所述P型埋层的间距，能够增加P型衬底的电阻，从而能使金属线上的电流增大。相邻两个所述单体结构的所述P型埋层的间距为20 μ m。本专利技术监测结构通过在所述P型埋层的周围设置N型埋层，测试时在所述N型埋层上加上正电位，能使所述P型埋层周围的PN结反向偏置，从而能够减少电流从衬底漏走，起到隔离作用。另外本专利技术监测结构的较小的P型埋层的第一引出孔和第二引出孔间距的设置、较宽的金属线的宽度的设置，能够大大增加测试端的电流的收集能力。多个单体结构串联的方式使本专利技术监测结构的监测数据更加准确。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明图1是现有P型埋层引出孔电阻值的监测结构的剖面图；图2是本专利技术实施例单体结构的剖面图；图3是本专利技术实施例单体结构的平面版图；图4是本专利技术实施例的平面版图；图5是本专利技术实施例的单体结构带尺寸标示的剖面图。具体实施例方式如图2和图3所示，分别是本专利技术实施例P型埋层引出孔电阻值的监测结构的单体结构的剖面图和平面版图。本专利技术实施例P型埋层引出孔电阻值的监测结构的P型衬底上形成有浅槽隔离或场氧，所述监测结构至少包括一单体结构，所述单体结构包括一 P型埋层，所述P型埋层形成于所述浅槽隔离或所述场氧的底部；所述P型埋层顶部的所述浅槽隔离或所述场氧中形成有第一引出孔和第二引出孔，所述第一引出孔和所述第二引出孔中填充有金属并和所述P型埋层形成连接。在所述P型埋层对应的所述浅槽隔离或所述场氧的底部分别形成有一 N型埋层，所述N型埋层环绕在所述P型埋层的周侧并和所述P型埋层的周围侧面形成接触；在所述N型埋层顶部的所述浅槽隔离或所述场氧中形成有第三引出孔，所述第三引出孔中填充有金属并和所述N型埋层形成连接。在所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述第三引出孔上分别形成有金属线并通过各所述金属线和外部电压形成连接。如图4所示，是本专利技术实施例的平面版图，所述监测结构由多个所述单体结构串联而成；多个所述单体结构的串联方法为当前单体结构的所述第一引出孔的金属线和上一个单体结构的所述第二引出孔的金属线相连、当前单体结构的所述第二引出孔的金属线和下一个单体结构的所述第一引出孔的金属线相连、各所述单体结构的所述第三引出孔的金属线相连；测试时，首尾两端的所述单体结构的所述第一引出孔或所述第二引出孔分别和测试电压的高低端即图4所示的高电压和低电压连接；各所述单体结构的所述第三引出孔和正电压连接。如图4和图5所示，包括有本专利技术实施例的各种尺寸的标示。所述N型埋层的内外侧面间宽度A要满足在所述N型埋层加正电压时能够产生足够的耗尽宽度，本专利技术实施例中所述N型埋层的内外侧面间宽度A为Ιμπι。考虑到所述P型埋层和所述N型埋层在工艺中都有0. 3 μ m的扩散，故所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述P型埋层的外侧面的距离B大于0.3 μ m，本专利技术实施例中所述第一引出孔、所述第二引出孔和所述P型埋层的外侧面的距离B为1 μ m。为了减少由于所述P型埋层的过长距离产生的漏电流，所述P型埋层所对应的所述第一引出孔、所述第二引出孔间的距离C要取最小值，该最小值由金属线包孔和金属线的最小间距获得。本专利技术实施例中所述P型埋层所对应的所述第一引出孔、所述第二引出孔间的距离C为0. 3 μ m。通过增加所述金属线宽度D，能够减少所述金属线的电阻，从而能够使所述测试结构的P型衬底的漏电流减少。本专利技术实施例中所述金属线的宽度D为2μπι。所述金属线为招线。通过增大相邻两个所述单体结构的所述P型埋层的间距Ε，能够增加P型衬底的电阻，从而能使金属线上的电流增大。相邻两个所述单体结构的所述P型埋层的间距E为 20 μ m0以上通过具体实施例对本专利技术进行了详细的说明，但这些并非构成对本专利技术的限制。在不脱离本专利技术原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱丽霞，周正良，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：