催化CVD装置、膜的形成方法、太阳能电池的制造方法和基材的保持体制造方法及图纸

在催化CVD装置(100)中，保持体300)具有用于防止从催化剂丝(11)所放出的辐射线向基材(200)侧反射的防反射结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在催化CVD法中所使用的催化CVD装置、膜的形成方法、太阳能电池的制造方法和基材的保持体。
技术介绍
一般而言，在制造太阳能电池等各种半导体器件等时，作为在基材上形成规定的沉积膜的方法，以往已知CVD法(化学气相沉积法)。作为这样的CVD法中的1种，近年来，研究了利用催化化学气相沉积(Catalytic Chemical Vapor D印osition)的催化CVD法(例如，专利文献1)。在催化CVD法中，使用加热的由钨或钼等构成的催化剂丝，将反应室内所供给的原料气体分解，使沉积膜在由保持体所保持的基材上形成。因为不利用如等离子体CVD法那样的等离子体放电，所以，催化CVD法被期待作为在基材表面和沉积膜表面上带来的不良影响少的成膜方法。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开2005-327995号公报
技术实现思路
在上述催化CVD法中，催化剂丝被加热到约1600°C 2000°C左右。此时，从催化剂丝放出辐射线(例如，红外线或可见光线等)，基材通过吸收辐射线而被升温。此时，基材由于还吸收透过基材、被保持体反射的辐射线，而容易被过热到高于形成优质膜的优选温度的温度。在这样的状态，如果在基材上进行膜沉积，沉积膜的膜质就可能会降低。另外，这样的问题不限于半导体器件，在通过催化CVD法形成沉积膜时有普遍发生的可能性。本专利技术是鉴于上述状况而完成的专利技术，其目的在于提供能够抑制基材过热的催化CVD装置、膜的形成方法、太阳能电池的制造方法和基材的保持体。本专利技术的催化CVD装置，其要点在于其是对设置于反应室内且被加热的催化剂丝供给原料气体，使所生成的分解产物沉积在反应室内由保持体所保持的被成膜基材上，进行成膜的催化CVD装置，保持体具有用于防止从催化剂丝所放出的辐射线反射的防反射结构。在本专利技术的催化CVD装置中，防反射结构可以包含防反射膜。在本专利技术的催化CVD装置中，防反射膜可以包含含硅膜。在本专利技术的催化CVD装置中，含硅膜可以具有非晶结构和结晶结构中的至少任意1种结构。在本专利技术的催化CVD装置中，防反射膜可以包含混合晶膜。在本专利技术的催化CVD装置中，防反射结构可以具有与被成膜基材相对设置的凹凸结构。本专利技术的催化CVD装置，其要点在于其是对设置于反应室内且被加热的催化剂丝供给原料气体，使所生成的分解产物在反应室内沉积于由保持体所保持的被成膜基材上，进行成膜的催化CVD装置，保持体具有在保持被成膜基材的保持面上所形成的含硅膜。本专利技术的膜的形成方法，其要点在于其是包括使膜在被成膜基材上沉积，进行成膜工序的膜的形成方法，使用上述本专利技术的催化CVD装置进行膜的成膜。本专利技术的太阳能电池的制造方法，其要点在于其是包括使膜在被成膜基材上沉积，进行成膜工序的太阳能电池的制造方法，使用上述本专利技术的催化CVD装置进行膜的成膜。本专利技术的基材的保持体，其要点在于其是用于对设置于反应室内且被加热的催化剂丝供给原料气体，使所生成的分解产物在反应室内沉积在由保持体所保持的被成膜基材上，进行成膜的基材的保持体，保持体具有用于防止从催化剂丝放出的辐射线反射的防反射结构。根据本专利技术，就能够提供一种催化CVD装置，其能够抑制基材的过热，并容易将基材温度控制在优选温度范围。另外，通过使用该催化CVD装置，能够提供膜的形成方法和太阳能电池的制造方法，该膜能够提供膜质良好的沉积膜和太阳能电池特性良好的太阳能电池。另外，使用催化CVD装置时，能够提供能够抑制基材过热的基材的保持体。附图说明图1是表示实施方式涉及的催化CVD装置100的结构的概略图。图2是表示实施方式涉及的保持体300的结构的概略图。图3是表示实施方式涉及的样品1的反射率的图。图4是表示实施方式涉及的样品2的反射率的图。图5是表示实施方式涉及的样品3的反射率的图。图6是表示实施方式涉及的保持体400的结构的概略图。图7是表示由实施例2、实施例3和比较例的保持体所保持的基材的表面温度的变化的图表。具体实施例方式以下，关于本专利技术的实施方式涉及的催化CVD装置，边参照附图边进行说明。另外，在以下的附图记载中，在相同或类似的部分上，标注相同或类似的符号。但是，附图是示意性的，应当注意各尺寸的比例等与实际的不同。因此，具体的尺寸等应当参考以下的说明加以判断。另外，即使在附图相互之间，当然也包含相互的尺寸关系和比例不同的部分。以下，关于在本实施方式中使用的催化CVD装置的结构，边参照附图边加以说明。图1是表示催化CVD装置100结构的概略图。催化CVD装置100是对设置于反应室内且被加热的催化剂丝供给原料气体，使所生成的分解产物沉积在反应室内由保持体所保持的被成膜基材上，进行成膜的装置。如图1所示，催化CVD装置100具备反应室10、气体供给管 20和气体排出管30。反应室10具备催化剂丝11和安装部12。在反应室10内，容纳着保持基材200的保持体300。催化剂丝11通过被加热，将反应室10内所供给的原料气体分解。催化剂丝11的两端被安装在安装部12上，相对于反应室10的底面垂直地配置。催化剂丝11以与保持体 300的保持基材200 —侧的保持面相对的方式配置。催化剂丝11和基材200的被成膜面的距离可以适当设定，但例如设定为IOOmm 140mm左右。催化剂丝11由通电被升温到能够分解原料气体的温度(例如，1600°C 2000°C )。原料气体被催化剂丝11分解，分解产物到达基材200的第1主面200A上，在基材200上形成沉积膜(例如，半导体膜和SiN膜等)。 作为催化剂丝11的材料，能够使用Ta、Mo、W等。另外，催化剂丝11可以在表面具有不同种类的层。作为其一例，可以列举在表面形成有硼化物层的钽丝。另外，作为催化剂丝11，可以使用直径为0. 3mm 2. 0mm、优选为0. 5mm 1. Omm的丝。安装部12由具有导电性的材料构成。与安装部12电连接的端子13被连接在未图示的电源上。作为电源，能够使用恒流电源、恒压电源或可以控制恒流和控制恒功率两者的恒流/恒压电源。气体供给管20将反应室10和储存原料气体(例如，SiH4和H2)的气瓶(未图示) 连通。气体供给管20是用于在反应室10内供给原料气体的流路。气体排出管30是用于从反应室10内排出原料气体的流路。另外，为了将反应室 10设为真空状态，气体排出管30能够排出在反应室10内残留的气体。接着，对于保持体300的结构，边参照图2边进行说明。图2是反应室10内所配置的保持体300的侧面图。如图2所示，保持体300具有保持面300S、基体部310、防反射膜320和保持结构 330。基体部310是在保持面300S上保持基材200的基体。作为基体部310，能够使用铝和不锈钢等热传导良好的金属材料。基材200是形成沉积膜的被成膜基材。基材200例如具有板状的形状，具有形成沉积膜的第1主面200A和在第1主面200A的相反侧设置的第2主面200B。如图2所示， 基材200的第2主面200B与保持面300S相对。其中，在保持面300S形成凹凸结构。凹凸结构的尺寸，例如，高度为2μπι 5μπι 左右，间距为2 μ m 5 μ m左右。这样的凹凸结构能够通过在保持面300S上实施等离子体处理等形成。另外，凹凸结构也可以在保持面300S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛正树，若宫要范，大园修司，冈山智彦，小形英之，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：