本发明专利技术公开了一种用于设计构形树的PCB板，依次包括电源层、纳米材料层、高介电常数介质层、地层构成，电源层、地层为覆铜层，所述纳米材料层为高磁导率纳米材料层，所述高介电常数介质层为介电常数为14000的钛酸钡，所述高介电常数介质层厚度为0.2mm～2mm，所述覆铜层的厚度为0.035mm～0.07mm。本发明专利技术适用于树状PCB电源板设计，具有低电源电压降、超宽带电源噪声抑制功及小型化等功能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电路板，具体是一种用于设计构形树的PCB板。技术背景随着电子技术的飞速发展，电子产品越来越来越趋向高速、宽带、高灵敏度、高密集度和小型化，这种趋势导致了电路板设计中电磁兼容问题的严重化，特别是电源和地线的电磁干扰问题，成为目前电磁兼容设计中急待解决的技术难题和系统工程。传统方法是通过加去耦电容来抑制电源线中存在的干扰，但是去耦电容在频率比较高的情况下，效果并不理想。近年来，EBG结构被用于电源层来抑制高频噪声干扰，尤其是平面电磁带隙结构易于制作，获得了广泛的研究。不过典型的EBG结构并未考虑电源层上的电压降。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对现有技术的缺点和不足，提供一种用于设计构形树的PCB 板，本专利技术适用于树状PCB电源板设计，具有低电源电压降、超宽带电源噪声抑制功及小型化等功能。本专利技术通过下述技术方案实现一种用于设计构形树的PCB板，依次包括电源层、纳米材料层、高介电常数介质层、地层构成。所述电源层、地层为覆铜层。所述纳米材料层为高磁导率纳米材料层。所述高介电常数介质层为介电常数为14000的钛酸钡。所述高介电常数介质层厚度为0. 2mm 2mm。所述覆铜层的厚度为0.035mm 0.07mm。本专利技术适用于树状PCB电源板设计，具有低电源电压降、超宽带电源噪声抑制功及小型化等功能。附图说明图1是本专利技术用于设计构形树的PCB结构示意图2是2级“H”形构形树的构造图3是2级圆形构形树的构造图4为1级“H”形构形树的构造图5为2级“H”形构形树电源层；图6为2级圆形构形树电源层；图7为1级“H”形构形树电源层；具体实施方式下面对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明，但本专利技术的实施方式不限于此。如图1所示，本专利技术用于设计构形树的PCB板，依次包括电源层1、纳米材料层2、 高介电常数介质层3、地层构成4 ；所述电源层1、地层4为覆铜层；所述纳米材料层2为高磁导率纳米材料层。所述高介电常数介质层3为介电常数为14000的钛酸钡。所述高介电常数介质层3厚度为0. 2mm 2mm。所述覆铜层的厚度为0. 035mm 0. 07mmo电源层设计，需要先根据构形理论设计出构形树，构形树将电流均勻分配到电源板各处，解决高电源电压降问题。然后在构形树的基础上设计出完整电源层。图2是2级“H”形构形树的构造图3是2级圆形构形树的构造图4为1级“H”形构形树的构造图5为2级“H”形构形树电源层；图6为2级圆形构形树电源层；图7为1级“H”形构形树电源层；如上所述，便可较好地实现本专利技术。上述实施例仅为本专利技术的较佳实施例，并非用来限定本专利技术的实施范围；即凡依本
技术实现思路
所作的均等变化与修饰，都为本专利技术权利要求所要求保护的范围所涵盖。权利要求1.一种用于设计构形树的PCB板，其特征在于依次包括电源层、纳米材料层、高介电常数介质层、地层构成。2.根据权利要求1所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述电源层、地层为覆铜层。3.根据权利要求2所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述纳米材料层为高磁导率纳米材料层。4.根据权利要求3所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述高介电常数介质层为介电常数为14000的钛酸钡。5.根据权利要求4所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述高介电常数介质层厚度为0. 2mm 2mm。6.根据权利要求2所述的用于设计构形树的PCB板，其特征在于所述覆铜层的厚度为 0. 035mm 0. 07mmo全文摘要本专利技术公开了一种用于设计构形树的PCB板，依次包括电源层、纳米材料层、高介电常数介质层、地层构成，电源层、地层为覆铜层，所述纳米材料层为高磁导率纳米材料层，所述高介电常数介质层为介电常数为14000的钛酸钡，所述高介电常数介质层厚度为0.2mm～2mm，所述覆铜层的厚度为0.035mm～0.07mm。本专利技术适用于树状PCB电源板设计，具有低电源电压降、超宽带电源噪声抑制功及小型化等功能。文档编号H05K1/02GK102523681SQ20111044972公开日2012年6月27日 申请日期2011年12月28日 优先权日2011年12月28日专利技术者刘诗韵, 郭巍, 黄惠芬 申请人:华南理工大学本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄惠芬，郭巍，刘诗韵，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：
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