液晶基板及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种液晶基板及其制作方法，所述液晶基板包括基板，形成在所述基板上的透明电极层，在所述透明电极层上形成缝隙，并使所述缝隙下方具有透明电极层。本发明专利技术液晶基板及其制作方法，使所述缝隙下方还设置有透明电极层，从而在施加电压时，增强所述缝隙处的电场强度，进而提高液晶面板的透过率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示面板制作领域，特別是涉及ー种垂直配向显示模式的液晶显示面板及其制作方法。
技术介绍
液晶显示面板由于其重量低、体积小以及能耗低等优点，逐渐成为主流的平板显示设备。垂直配向(VA=Vertical Alignment)显示模式技术由于其良好的广视角显示效果，已广泛应用在液晶显示领域中。其中垂直配向显示模式包括多畴垂直配向显示模式 (MVA :Multi-domain Vertical Alignment)、图形化垂直配向显示模式(PVA =Patterned Vertical Alignment)、高分子稳定垂直配向显示模式(PSVA =Polymer Sustained Vertical Alignment)等。高分子 1 急定垂直配向显示模式(PSVA =Polymer Sustained Vertical Alignment) 的垂直配向显示模式。如图1A、图IB和图IC所示，图IA为现有的高分子稳定垂直配向显示模式的液晶显示面板的第一透明电极层的结构示意图；图IB为图IA的高分子稳定垂直配向显示模式的液晶显示面板不通电时的A-A’截面的结构示意图；图IC为图IA的高分子稳定垂直配向显示模式的液晶显示面板通电时的A-A’截面的结构示意图。所述这种显示模式的液晶显示面板100包括CF(Color Filter，彩色滤光层)基板110、TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)基板120以及液晶分子130，在CF基板110和TF T基板120的内侧设置有透明电极层140，所述TF T基板120上的透明电极层141形成有狭缝 142。所述液晶分子130中添加了反应单体，通过施加电压和紫外光照射，使这些反应单体发生反应生成高分子链150，从而使液晶分子的倾斜预定角度，进而加快了液晶分子130的响应速度。但是由于TFT基板120的透明电极层140具有狭縫142，该狭缝142处的电场驱动 カ较弱，导致液晶显示面板100在狭缝142处的透光率较差。要提高该高分子稳定垂直配向显示模式的液晶显示面板100的透光率，需要降低狭缝142的宽度，以克服狭縫142处的电场驱动カ弱的缺陷；但是这受制约于曝光机的能力，狭縫142无法达到预定的宽度，使得狭縫142处的电场强度不足，从而造成液晶显示面板100的透过率不高。故，有必要提供ー种液晶显示面板及其制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种通过増加透明电极层的缝隙处的电场强度的，以解决现有的高分子稳定垂直配向显示模式的缝隙处的电场强度不足而造成液晶显示面板透光率较低的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下本专利技术涉及ー种液晶基板，其具有透明电极层，所述透明电极层形成有縫隙，所述缝隙的下方还设置有透明电极层。在本专利技术所述的液晶基板中，所述透明电极层包括第一透明电极层及第ニ透明电极层，所述第二透明电极层形成所述缝隙，所述第一透明电极层设置在所述缝隙下方。在本专利技术所述的液晶基板中，所述第一透明电极层与所述第二透明电极层之间具有第三绝缘层。在本专利技术所述的液晶基板中，所述第二透明电极层设置在第一透明电极层的表面上。在本专利技术所述的液晶基板中，所述液晶基板包括第二绝缘层，所述第二绝缘层形成有若干凹槽，所述透明电极层，所述透明电极层设置在所述凹槽内及第ニ绝缘层上，所述缝隙设置在所述凹槽的上方。在本专利技术所述的液晶基板中所述液晶基板还包括若干数据线及漏扱，所述透明电极层通过所述接触孔与所述漏极连接。本专利技术还涉及ー种液基板的制作方法，其中包括步骤:A、在基板上形成透明电极层；B、在所述透明电极层上形成縫隙，并使所述缝隙下方具有透明电极层。在本专利技术所述的液晶基板的制作方法中，所述步骤A具体为在基板上形成第一透明电极层及第ニ透明电极层；所述步骤B具体为在所述第二透明电极层上形成縫隙。在本专利技术所述的液晶基板的制作方法中，所述步骤A具体为在基板上形成第一透明电极层、第三绝缘层及第ニ透明电极层。在本专利技术所述的液晶基板的制作方法中，所述步骤A具体为在基板上形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层上形成凹槽，在所述第二绝缘层上及凹槽内形成所述透明电极広。本专利技术的，通过在透明电极层的缝隙下方设置透明电极层，以増加缝隙处的电场强度，从而增加提高了液晶显示面板的透光率。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下附图说明图IA为高分子稳定垂直配向显示模式的液晶显示面板的第一透明电极层的结构示意图；图IB为图IA的高分子稳定垂直配向显示模式的液晶显示面板不通电时的A-A截面的结构示意图；图IC为图IA的高分子稳定垂直配向显示模式的液晶显示面板通电时的A-A截面的结构示意图；图2为本专利技术的液晶基板的平面结构示意图；图3为本专利技术的液晶基板的第一优选实施例的剖面示意图；图4为图3所示的液晶基板的制作方法流程图；图5为本专利技术的液晶基板的第二优选实施例的剖面示意图；图6为本专利技术的液晶基板的第三优选实施例的剖面示意图；图7为图6所示的液晶基板的制作方法示意4图8为本专利技术的液晶基板的第四优选实施例的剖面示意图；图9为本专利技术的液晶基板的第五优选实施例的剖面示意图。具体实施例方式以下各实施例的说明是參考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。请參阅图2，其为本专利技术液晶基板的部分俯视图，所述液晶基板200包括基板210、 若干条平行设置的数据线220、若干条与数据线垂直的扫描线230及若干个像素単元M0， 所述像素単元240设置在所述数据线与扫描线交叉形成的矩形区域内。所述数据线220与扫描线230的交叉处形成有薄膜场效应晶体管(ThinFilm Transistor，TFT) 250，所述像素単元240通过ー接触孔251与该薄膜场效应晶体管250电性连接。所述像素単元240包括透明电极241及若干凹槽M2。当然，本专利技术仅以上述像素単元MO的形状为例说明，在具体实施例中，所述像素単元MO的形状可根据实际情况而定。请參阅图2及图3，图3为本专利技术的液晶基板的第一优选实施例的剖面示意图，其为本专利技术的液晶基板的第一优选实施例沿图2所示的B-B线位置的剖面示意图。所述液晶基板300包括基板310，所述基板310上沉积有第一绝缘层320，第一绝缘层320上间隔设置有数据线330，一第二绝缘层340覆盖所述第一绝缘层320及数据线330，所述第二绝缘层340的厚度优选为100纳米至400纳米。位于所述数据线330之间的第二绝缘层340上具沉积有第一透明电极层350，所述第一透明电极层350上具有第二透明电极层360，且所述第二透明电极层360的材料与第一透明电极层350不同。所述第二透明电极层360部分被除去形成若干縫隙370，该缝隙370的宽度优选为0. 5微米至7. 5微米。请ー并參阅图3及图4，其为本专利技术液晶基板的第一优选实施例的制作方法流程图，该制作方法包括步骤S301 依次在基板310上形成第一绝缘层320、数据线330及第ニ绝缘层 340 ；所述步骤301具体为步骤3011 在基板310表面通过金属溅镀的方式制作扫描线，通过曝光、显影、刻蚀等エ序在基板表面得到扫描线；步骤3012 在扫描线上沉积第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亮，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：