一种镀膜产品制造技术

本发明专利技术公开了一种镀膜产品，尤其涉及到一种可进行高温热处理的镀膜玻璃。该镀膜产品的反射红外线膜层的材料由传统的纯银材料改变为银和铌两种金属的合金材料，使用银和铌两种金属的合金材料沉积的Ag1-aNba膜层替代纯银膜层作为镀膜产品的功能层，可以提高膜系在高温热处理的稳定性，同时又可提高银层的化学稳定性和改善其机械性能。本发明专利技术中的镀膜产品具有高的可见光透过率，良好的抗机械性和化学稳定性。本发明专利技术的镀膜产品主要应用于汽车挡风玻璃。

【技术实现步骤摘要】
一种镀膜产品
本专利技术涉及一种镀膜产品，尤其涉及到一种可进行高温热处理的镀膜玻璃。
技术介绍
普通的玻璃没有隔热功能，随着人们节能意识的增强，现在很多建筑物或汽车都已使用低辐射镀膜玻璃或热反射镀膜玻璃，这些镀膜玻璃可以起到很好的隔热效果，使建筑物内部或车内的舒适度增加。中国专利CN201020503119. 8公开了一种单银低辐射玻璃，该单银低辐射玻璃采用AgCu层替代传统的纯银膜层作为功能层，使该产品具有低反射率、低辐射率等特点。该专利公开的采用含铜的银合金作为红外反射层具有良好的红外线反射功能，但是银合金中含有铜会使膜层在后续的加工过程产生红斑缺陷的危险。对于汽车玻璃前挡风玻璃来说， 该专利公开的单银低辐射玻璃的可见光透过率相对较低，其可见光透过率小于53%。现在生产离线低辐射镀膜玻璃，大都是使用纯银作为反射红外线的功能膜层，由于纯金属银在空气中容易与硫化物气体反应使银的性能退化，在高温热处理过程中银容易被氧化而丧失低辐射功能，因此，目前的低辐射镀膜玻璃的制作都是使用多层介质层来保护银层，而且很多低辐射膜系经高温热处理后性能发生较大变化。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决以上低辐射膜的不足，使用银、铌两种金属的合金材料代替纯银材料作为低辐射膜的功能膜层材料。这种合金材料中的Nb能够阻止银与邻近的氧化物层的相互作用，提高膜系在高温热处理的稳定性，同时又可提高银层的化学稳定性和改善其机械性能。本专利技术针对现有低辐射镀膜产品中银膜层的不稳定性，用铌掺杂银的二元金属合金替代高纯的银材料作为低辐射膜的功能膜层材料，使得本专利技术的低辐射镀膜产品具有低的辐射率、低的面电阻、高的可见光透过率、良好的机械耐久性及化学稳定性。本专利技术的一种低辐射镀膜产品的制备按如下步骤进行1)在玻璃基板上生长底层电介质膜层，底层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜层厚度为 20 50nmo2)在底层电介质膜层上生长掺杂铌的Agl_aNba膜层，其中0 < 15wt%，优选的为彡10wt%，更优选的为a彡7wt%，其膜层厚度为6 20nm。3)在掺杂铌的Agl_aNba膜层上生长第一牺牲层，第一牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCrOx,釙，其膜层厚度为1 5nm。4)在第一牺牲层上生长顶层电介质膜层，顶层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiOx,其膜层厚度为 10 35nm。5)在顶层电介质膜层上生长保护层，保护层选用以下的一种或多种材料组合 Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜层厚度为 10 25nm。6)最后将低辐射镀膜玻璃做成中空或夹层玻璃。本专利技术的另一种低辐射镀膜产品的制备按如下步骤进行1)在玻璃基板上生长底层电介质膜层，底层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜层厚度为 20 50nmo2)在底层电介质膜层上生长掺杂铌的Agl_aNba膜层，其中0<a< 15wt%，优选的为彡10wt%，更优选的为a彡7wt%，其膜层厚度为6 20nm。3)在掺杂铌的Agl_aNba膜层上生长第一牺牲层，第一牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCrOx,釙，其膜层厚度为1 5nm。4)在第一牺牲层上生长第二电介质膜层，第二电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x，其膜层厚度为 40 90nmo5)在第二电介质膜层上生长掺杂铌的Agl_aNba膜层，其中0<a< 15wt%，优选的为彡10wt%，更优选的为a彡7wt%，其膜层厚度为6 20nm。6)在掺杂铌的Agl_aNba膜层上生长第二牺牲层，第二牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCrOx,釙，其膜层厚度为1 5nm。 7)在第二牺牲层上沉积顶层电介质膜层，顶层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn、ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiOx,其膜层厚度为 10 35nm。8)在顶层电介质膜层上生长保护层，保护层选用以下的一种或多种材料组合: Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜层厚度为 10 25nm。9)最后将低辐射镀膜玻璃做成中空或夹层玻璃。本专利技术的第三种低辐射镀膜产品的制备按如下步骤进行1)在玻璃基板上生长底层电介质膜层，底层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜层厚度为 20 50nmo2)在底层电介质膜层上生长掺杂铌的Agl_aNba膜层，其中0 < 15wt%，优选的为彡10wt%，更优选的为a彡7wt%，其膜层厚度为6 20nm。3)在掺杂铌的Agl_aNba膜层上生长第一牺牲层，第一牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCrOx,釙，其膜层厚度为1 5nm。4)在第一牺牲层上生长第二电介质膜层，第二电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x，其膜层厚度为 40 90nmo5)在第二电介质膜层上生长掺杂铌的Agl_aNba膜层，其中0 < 15wt%，优选的为彡10wt%，更优选的为a彡7wt%，其膜层厚度为6 20nm。6)在掺杂铌的Agl_aNba膜层上生长第二牺牲层，第二牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCrOx,釙，其膜层厚度为1 5nm。7)在第二牺牲层上沉积第三电介质膜层，第三电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x，其膜层厚度为 40 90nmo8)在第三电介质膜层上生长掺杂铌的Agl_aNba膜层，其中0 < 15wt%，优选的为彡10wt%，更优选的为a彡7wt%，其膜层厚度为6 20nm。9)在掺杂铌的Agl_aNba膜层上生长第三牺牲层，第三牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCrOx,釙，其膜层厚度为1 5nm。10)在第三牺牲层上沉积顶层电介质膜层，顶层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx、ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx、NbOx、SiOx,其膜层厚度为 10 35nm。11)在顶层电介质膜层上生长保护层，保护层选用以下的一种或多种材料组合 Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：尚贵才，李艺明，
申请(专利权)人：福耀玻璃工业集团股份有限公司，福建省万达汽车玻璃工业有限公司，
类型：发明
国别省市：