本发明专利技术公开了一种级联数字信号修复模块、传输系统及修复方法，其中，数字信号修复模块，包括检测控制单元、缓冲单元、反相器；所述检测控制单元包括用于检测数字信号衰减程度的检测器、用于根据衰减程度判断衰减电平类型的第一判断器和用于根据衰减电平类型产生修复信号的控制器，所述控制器包括输入端、第一输出端、第二输出端；所述反相器包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源极连接电源，所述P型MOS管的漏极与所述N型MOS管的漏极相连接，所述N型MOS管的源极接地；本发明专利技术能够修复缓冲单元中由于MOS管工艺的不同而对数字信号的衰减，能够保证数字信号的传输质量。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数字信号通信领域，尤其涉及一种。
技术介绍
随着信息化社会的日益推进，数字信号逐渐取代了模拟信号的传输，其应用越来越广泛。数字信号有高低电平组成，高电平时通常用“1”表示，低电平时通常用“0”表示， 数字信号由一连串的“ 1 ”和“ 0 ”组成。现有技术中，需要实时传输大量的数字信号的数据时，各节点之间不会对信号进行处理，而是采用直通的方式进行传输(如图1)，这里每个节点看到的数据是一样的，采用直通方式进行传输，每个节点只截取自己的数据不会对数据进行处理，因为每一节点都用了缓冲单元加强，因此图1的情况可以等效为图2，这种级联数很大用缓冲单元进行加强的传输方式。但是由于CMOS管工艺实际生产存在的误差，P型MOS管和N型MOS管的上升、下降时间带来误差，使每级的缓冲单元上升时间和下降时间不相等，而且这种误差会随着缓冲单元的级联数增大不断累积，以下降时间减少为例如3所示这种下降时间减少的积累会使高电平脉冲不断变窄，如果我们传输的是像曼切斯特编码这样的对高低脉冲敏感的信号那么会带来负面影响。以曼切斯特编码数据为例主要会出现以下两种情况的衰减。如图 4 图6所示，图4为正常的波形，图5为高电平衰减的波形，图6为低电平衰减的波形，当信号衰减到一定程度就会使数据出错，这会很大程度上影响信号的传输能力。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是由于CMOS管的生产工艺存在误差而使级联缓冲单元中数字信号波形的上升时间和下降时间不相等影响数字信号的传输，提供一种级联数字信号的修复模块、传输系统及修复方法。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是提供一种级联数字信号修复模块，包括检测控制单元、缓冲单元、反相器；所述检测控制单元包括用于检测数字信号衰减程度的检测器、用于根据数字信号衰减程度判断数字信号衰减电平类型的第一判断器和用于根据数字信号衰减电平类型产生修复信号的控制器，所述控制器包括输入端、第一输出端、第二输出端；所述反相器包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源极连接电源，所述P型MOS管的漏极与所述N型MOS管的漏极相连接，所述N型MOS管的源极接地；所述缓冲单元的输入端用于外接输入数字信号，所述缓冲单元的输出端连接至所述反相器中P型MOS管漏极与N型MOS管漏极连接的公共接点；所述检测器的输入端用于外接输入数字信号，所述检测器的输出端连接至所述第一判断器的输入端，所述第一判断器的输出端连接至所述控制单元的输入端，所述控制器的第一输出端连接至所述反相器中P型 MOS管的栅极，所述控制器的第二输出端连接至所述反相器中N型MOS管的栅极。其中，所述检测控制单元还包括用于判断修复信号发送次数的第二判断器，所述第二判断器连接所述控制器。其中，所述缓冲单元包括P型MOS管和N型MOS管；所述P型MOS管的栅极与N型 MOS管的栅极连接的公共接点为缓冲单元的输入端，所述P型MOS管的源极连接电源，所述 P型MOS管的漏极与N型MOS管的漏极相连接，所述N型MOS管的源极接地，所述缓冲单元中P型MOS管的漏极与N型MOS管漏极连接的公共接点作为缓冲单元的输出端连接至所述反相器反相作为缓冲单元的输出端连接至所述反相器。为解决上述技术问题，本专利技术采用的另一个技术方案是提供一种级联数字信号传输系统，包括多个依次连接的数字信号修复模块，所述数字信号修复模块包括检测控制单元、缓冲单元、反相器，所述检测控制单元包括用于检测数字信号衰减程度的检测器、用于判断衰减电平类型的第一判断器和用于产生修复信号的控制器，所述控制器包括输入端、第一输出端、第二输出端；所述反相器包括P型MOS管和N型MOS管，所述P型MOS管的源极连接电源，所述P型MOS管的漏极与所述N型MOS管的漏极相连接，所述N型MOS管的源极接地；所述缓冲单元的输入端用于外接输入数字信号，所述缓冲单元的输出端连接至所述反相器中P型MOS管漏极与N型MOS管漏极连接的公共接点；所述检测器的输入端用于外接输入数字信号，所述检测器的输出端连接至所述第一判断器的输入端，所述第一判断器的输出端连接至所述控制单元的输入端，所述控制器的第一输出端连接至所述反相器中P型MOS管的栅极，所述控制器的第二输出端连接至所述反相器中N型MOS管的栅极。其中，所述检测控制单元还包括用于判断修复信号发送次数的第二判断器，所述第二判断器连接所述控制器。其中，所述缓冲单元包括P型MOS管和N型MOS管；所述P型MOS管的栅极与N型 MOS管的栅极连接的公共接点为缓冲单元的输入端，所述P型MOS管的源极连接电源，所述 P型MOS管的漏极与N型MOS管的漏极相连接，所述N型MOS管的源极接地，所述缓冲单元中P型MOS管的漏极与N型MOS管漏极连接的公共接点作为缓冲单元的输出端连接至所述反相器。为解决上述技术问题，本专利技术还采用了一个技术方案提供了一种级联数字信号修复方法，包括如下步骤Si、输入数字信号；S2、检测输入数字信号的衰减情况；S3、判断输入数字信号衰减类型，若输入数字信号为高电平衰减，则同时发送第一修复信号和第二修复信号，第一修复信号使反相器中P型MOS管导通，第二修复信号使反相器中N型MOS管截止；若输入数字信号为低电平衰减，则发送第一修复信号和第二修复信号，第一修复信号使反相器中P型MOS管截止，第二修复信号使反相器中N型MOS管导通；S4、输出修复后的数字信号。其中，步骤1具体为若输入数字信号的波形衰减超过预定数值，则执行步骤S3， 反之则重复步骤S2。其中，步骤S3之后还包括步骤S301判断发送修复信号的次数，若修复信号发送的次数不超过五次，则重复发送修复信号；若修复信号发送的次数超过五次，则停止发送修复信号。本专利技术的有益效果是区别于现有技术中采用直通的方式来传输数字信号，而传输的这些数字信号在经过缓冲单元时会出现衰减，并且这种衰减在多次传输后会使数字信号出现失真，进而影响数字信号的传输质量的问题，本专利技术提供了一种，能够解决
技术介绍
中存在的问题。本专利技术通过采用在缓冲单元的前面加入一级检测控制单元，能够检测在数字信号的波形存在一定程度的衰减时，产生修复信号；在缓冲单元的后面加入一级反相器，通过控制单元产生的修复信号来控制反相器工作。当检测控制单元检测到高电平衰减时，就会发出了两个低电平信号，反相器中的P 型MOS管处于导通状态，相当于并入一个P型MOS管，缓冲单元中的MOS管的上拉电阻减小，使得数字信号高电平的宽度增加；当检测控制单元检测到低电平失真时，就会发出了两个高电平信号，反相器中的N型MOS管处于导通状态，相当于并入一个N型MOS管，缓冲单元中的MOS管的上拉电阻减小，使得数字信号低电平的宽度增加。本专利技术通过在节点处对数字信号的处理，能够修复缓冲单元中由于MOS管工艺的不同而对数字信号的衰减，尤其是在级联数字信号传输时，对节点处的数字信号处理能够减少数字信号的衰减，从而保证数字信号的传输质量。附图说明图1是现有技术中数字信号的直通传输过程；图2是现有技术中数字信号的直通传输中的缓冲单元加强的过程；图3是现有技术中数字信号传输的失真波形；图4是现有技术中数字信号采用曼切斯特编码正常传输的波形图；图5是现有技术中数字信号高电平的波形失真图；图6是现有技术中数字本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：林丰成，林昕，林乔嵩，沈鎏，
申请(专利权)人：天利半导体深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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