用于欧姆接触层的刻蚀剂组合物制造技术

本文公开一种用于欧姆接触层的刻蚀剂组合物，以所述组合物的总重量计，所述组合物包括：过氧化氢5～30wt％、含氟化合物0.01～5wt％、可溶于水的环胺化合物0.1～5wt％、无机酸0.1～10wt％和余量的水。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于欧姆接触层的刻蚀剂组合物。
技术介绍
在半导体装置和平板显示装置中，形成欧姆接触层以减少半导体层和源/漏电极的电阻，所述欧姆接触层通常由掺有η型杂质的氢化非晶硅(n+a-Si:H)组成。刻蚀工艺对形成欧姆接触层是必要的，欧姆接触层通常由干法刻蚀工艺形成。然而，干法刻蚀工艺因为需要昂贵的设备并不经济实用，且其因为需要很长时间而不具有生产性。
技术实现思路
因此，对本专利技术进行设计以解决上述问题，且本专利技术的目的是提供一种刻蚀剂组合物，借此能够用湿法刻蚀欧姆接触层。本专利技术的另一目的是提供一种刻蚀剂组合物，能够提高经济效率和生产率。为了实现上述目的，本专利技术一方面提供一种刻蚀剂组合物，以组合物的总重量计， 所述组合物包括过氧化氢(H2O2) 5 30Wt%、含氟化合物0. 01 5wt%、可溶于水的环胺化合物0. 1 5wt%、无机酸0. 1 10wt%和余量的水。本专利技术另一方面提供一种平板显示装置，其包括由刻蚀剂组合物所刻蚀的欧姆接触层。附图说明由以下详细说明结合附图将更加清晰地理解本专利技术的上述和其它目的、特征和优；^^，I .图1和图2显示了由实例1的刻蚀剂组合物刻蚀掺有η型杂质的氢化非晶硅 (n+a-Si:H)层的断面的照片；及图3和图4显示了由比较实例1的刻蚀剂组合物刻蚀掺有η型杂质的氢化非晶硅 (n+a-Si:H)层的断面的照片。具体实施例方式在下文中，将详细阐述本专利技术。本专利技术的刻蚀剂组合物用于刻蚀欧姆接触层，优选地刻蚀掺有η型杂质的氢化非晶硅(n+a-Si:H)层。这里，η型杂质是属于周期表的5B族的元素。η型杂质的实例可包括 P, As, Sb 等。本专利技术用于欧姆接触层的刻蚀剂组合物包括过氧化氢(H2O2)、含氟化合物、可溶于水的环胺化合物、无机酸和水。本专利技术刻蚀剂组合物中所包含的过氧化氢(H2O2)是用于刻蚀欧姆接触层的主要的氧化剂。以组合物的总量计，过氧化氢(H2O2)在组合物中的含量为5 30wt%、优选7 25wt%。当过氧化氢的含量低于5wt%时，组合物的刻蚀能力变得不足，而当过氧化氢的含量高于30wt%时，其刻蚀速率过度增大，使得过程控制变得困难。本专利技术刻蚀剂组合物中所包含的含氟化合物是通过水离解以产生氟离子(F+)的化合物。由于含氟化合物影响硅(其是欧姆接触层的组成成分之一)的刻蚀速率，因此含氟化合物用于增加欧姆接触层的刻蚀速率。以组合物的总量计，含氟化合物在组合物中的含量为0. 01 5wt%、优选0. 05 lwt%。当含氟化合物的含量低于0.01wt%时，欧姆接触层的刻蚀速率变慢。同样，当含氟化合物的含量高于5wt%时，组合物的刻蚀能力并没有提高，且会刻蚀布置于欧姆接触层下面的数据线金属薄膜从而引起线路短路，从而造成工艺缺陷。对含氟化合物没有特别限制，只要其能够用于相关领域即可。然而，含氟化合物可选自由 HF、NaF, NH4F, NH4BF4, NH4FHF, KF、KHF2、AlF3 和 HBF4 组成的组，优选 NH4FHF。本专利技术刻蚀剂组合物中所包含的可溶于水的环胺化合物用于在刻蚀欧姆接触层的过程中保护布置于欧姆接触层上的铜基金属线。在刻蚀欧姆接触层的过程中必须要对布置于欧姆接触层上的薄膜进行保护的原因如下一般而言，先在欧姆接触层上形成源/漏电极，然后再实施刻蚀欧姆接触层的工艺。因此，在刻蚀欧姆接触层的过程中，对源/漏电极的损害需降到最小。因此，刻蚀剂组合物需要包含用于保护源/漏电极的组分。在本专利技术中，刻蚀剂组合物包含可溶于水的环胺化合物的原因在于，源/漏电极一般由铜基金属组成。以组合物的总量计，可溶于水的环胺化合物在组合物中的含量为0. 1 5wt%、优选0. 1 lwt%。当可溶于水的环胺化合物的含量低于0. 时，布置于欧姆接触层上的铜基金属线被刻蚀，从而造成线路断开。另外，当可溶于水的环胺化合物的含量高于5wt% 时，欧姆接触层的刻蚀速率变慢，且因此在欧姆接触层上形成残余物。对可溶于水的环胺化合物没有特别限制，只要其能够用于相关领域即可。然而，优选地，可溶于水的环胺化合物是具有1至30个碳原子的可溶于水的环胺化合物。可溶于水的环胺化合物可选自由下列化合物组成的组苯并三唑化合物、氨基四唑化合物、咪唑化合物、吲哚化合物、嘌呤化合物、吡唑化合物、吡啶化合物、嘧啶化合物、吡咯化合物、吡咯烷化合物和吡咯啉化合物。这里，氨基四唑化合物的实例可包括氨基四唑、5-氨基-1-苯基四唑、5-氨基-1(1-萘基)四唑、1-甲基-5-氨基四唑、1，5-二氨基四唑等。在这些氨基四唑化合物中，最优选氨基四唑。本专利技术刻蚀剂组合物中所包含的无机酸通过控制组合物的pH(即通过降低组合物的PH)防止过氧化氢(H2O2)分解，从而营造一个可刻蚀欧姆接触层的环境。以组合物的总量计，无机酸在组合物中的含量为0. 1 10wt%、优选0. 1 lwt%。当无机酸的含量低于0. 时，控制组合物pH的能力降低，以致欧姆接触层的刻蚀速率降低，从而加速过氧化氢(H2O2)的分解。此外，当无机酸的含量高于10wt%时，欧姆接触层的刻蚀速率增大，但组合物会对布置于欧姆接触层下面的薄膜产生不利影响，并降低化欧姆接触层的线性。本专利技术刻蚀剂组合物中所包含的水作为均衡而加入，以使组合物的总量为 100wt%。对水没有任何特别限制，但优选使用去离子水。较为优选地，使用比电阻为 18ΜΩ · cm或以上(其表示水中离子去除的程度)的去离子水。为了提高本专利技术用于欧姆接触层的刻蚀剂组合物的刻蚀能力，刻蚀剂组合物可进一步包含相关领域中普遍习知的添加剂。优选地，以组合物的总量计，添加剂的含量为 0. 0001 0. 01wt%。添加剂的实例可包括表面活性剂、金属离子封锁剂(blocking agent)、防腐剂等。 这里，表面活性剂通过降低表面张力来增加刻蚀均勻性。表面活性剂的实例可包括阴离子表面活性剂、阳离子表面活性剂、两性离子表面活性剂和非离子表面活性剂。此外，可使用基于氟的表面活性剂作为表面活性剂。本专利技术提供一种平板显示装置，该平板显示装置使用用于欧姆接触层的刻蚀剂组合物而制造。平板显示装置可以是液晶显示装置或有机电致发光装置。本专利技术刻蚀剂组合物可通过湿法刻蚀工艺刻蚀欧姆接触层。此外，本专利技术刻蚀剂组合物可提高经济效率和生产率。在下文中，将参照以下实例更加详细地阐述本专利技术。然而，这些实例仅用以阐释本专利技术，本专利技术的范围并不受限于此。本领域技术人员在本专利技术范围内可对这些实例适当地进行修改和改变。望ι 至3ι 至8 -.Mmm^mm^r根据下表1中所给出的组分和组成比制备刻蚀剂组合物，每一个刻蚀剂组合物的重量为6kg。表1权利要求1.一种用于欧姆接触层的刻蚀剂组合物，其特征在于，以所述组合物的总重量计，所述组合物包括过氧化氢5 30wt% ； 含氟化合物0.01 5wt% ； 可溶于水的环胺化合物0. 1 5wt% ； 无机酸0. 1 IOwt % ；及余量的水。2.根据权利要求1所述的刻蚀剂组合物，其特征在于，所述欧姆接触层是掺有η型杂质的氢化非晶硅层。3.根据权利要求1所述的刻蚀剂组合物，其特征在于，所述含氟化合物选自由HF、NaF、 NH4F, NH4BF4, NH4FHF, KF、KHF2、AlF3 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李友兰，李石，李铉奎，李恩远，
申请(专利权)人：东友FINECHEM股份有限公司，
类型：发明
国别省市：