一种大功率芯片制造技术

本实用新型专利技术公布一种大功率芯片，包括基板、焊接在所述基板上的芯片、导电基材，芯片包含有信号处理单元、阻抗元件以及静电放电保护电路；该信号处理单元具有输入端；该阻抗元件具有第一端，该第一端耦接于该控制芯片的信号接脚，并具有第二端，该第二端耦接于该信号处理单元的该输入端；该静电放电保护电路具有端点，该端点耦接于该阻抗元件的该第一端与该控制芯片的该信号接脚之间，还包括一用于连接所述芯片与所述导电基材的导电连接件。该封装结构将涂布或印刷有透明电极材料的导电连接件覆盖在芯片和导电基材上，无需在芯片上制作电极、焊盘，不但使芯片本身更为轻薄，成本更低，而且使封装更为简单方便。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种芯片，尤其涉及一种大功率芯片。
技术介绍
大功率芯片是继白炽灯，荧光灯，高压灯后的第四代照明，具有节能，环保，寿命长，体积小等特点，可以广泛应用于各种指示，显示，装饰，背光源，普通照明和城市夜景等领域，大功率大功率芯片封装由于结构和工艺复杂，并直接影响到大功率芯片的使用性能和寿命，一直是近年来的研究热点。大功率芯片封装的功能主要包括.1、机械保护，提高可靠性；2、加强散热，以降低晶片结温；3、光学控制，提高出光效率，优化光束分布；4、供电管理，包括交流/直流转变，以及电源控制等。传统的大功率芯片芯片封装结构分为(1)横向结构⑵垂直结构(3)倒装结构(4)通孔垂直结构。其中第一种横向封装结构及第二种垂直封装结构的大功率芯片芯片与基材的连接主要以打金线连接为主，横向结构是双电极，垂直结构是单电极。打金线的连接方式的缺点是；金线连接容易出现虚焊，在改变温度的情况下器件不是很稳定，金线也造成一部份遮光现象。对于第三种倒装结构，虽然不是打线的，但是焊点面积太小不容易散热。对于第四种通孔垂直结构，是前三种芯片封装结构中最理想的，无须打线，散热佳，但是芯片的工艺复杂，价格高，量产有一定的难度。另外，传统的大功率芯片需要在芯片上制作焊接盘，封装过程复杂，封装成本较高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种大功率芯片，该封装结构将涂布或印刷有透明电极材料的导电连接件覆盖在芯片和导电基材上，无需在芯片上制作电极、焊盘， 不但使芯片本身更为轻薄，成本更低，而且使封装更为简单方便。为了达到上述目的，本技术提出了一种大功率芯片，包括基板、焊接在所述基板上的芯片、导电基材，芯片包含有信号处理单元、阻抗元件以及静电放电保护电路。该信号处理单元具有输入端；该阻抗元件具有第一端，该第一端耦接于该控制芯片的信号接脚， 并具有第二端，该第二端耦接于该信号处理单元的该输入端；该静电放电保护电路具有端点，该端点耦接于该阻抗元件的该第一端与该控制芯片的该信号接脚之间，还包括一用于连接所述芯片与所述导电基材的导电连接件。所述的大功率芯片，其中，所述导电连接件为一涂布或印刷有透明电极材料的树脂薄膜；所述树脂薄膜带有透明导电材料的一面分别连接所述芯片以及所述导电基材。进一步地，所述的大功率芯片，其中，所述导电连接件为一涂布或印刷有透明导电油墨的导电玻璃。所述的大功率芯片，其中，所述基板为极性基板，所述芯片焊接在所述基板的正极，所述导电基材焊接在所述基板的负极。进一步地，所述的大功率芯片，其中，所述芯片与所述导电基材在所述基板上的高度相同，所述导电基材为铜。本技术还提供了一种专用于该封装结构的芯片，所述芯片表面上设有正负电极。与现有技术相比，由于专用芯片上的电极直接显露在芯片表面，因此无需再在芯片上制作电极以及焊盘，封装时直接将导电连接件覆盖在芯片和导电基材上，具有下列优势1、取消了顶部电极，减少了遮光，提高了单芯光通量；2、电流密度大，可以增加电流；3、薄膜封装，实现轻薄；4、无金线连接，增加了器件的稳定性；5、简化了工艺，降低了成本。附图说明图1为本技术大功率芯片封装结构示意图。具体实施方式通过以下结合附图对其示例性实施例进行的描述，本技术上述特征和优点将会变得更加清楚和容易理解。以下结合附图对本技术作进一步详细说明。如图1所示，一种大功率芯片，包括基板1、焊接在所述基板1上的芯片2、导电基材3，芯片包含有信号处理单元11、阻抗元件12以及静电放电保护电路13。该信号处理单元具有输入端；该阻抗元件具有第一端，该第一端耦接于该控制芯片的信号接脚，并具有第二端，该第二端耦接于该信号处理单元的该输入端；该静电放电保护电路具有端点，该端点耦接于该阻抗元件的该第一端与该控制芯片的该信号接脚之间，还包括一用于连接所述芯片与所述导电基材的导电连接件5。所述的大功率芯片，其中，所述导电连接件为一涂布或印刷有透明电极材料4的树脂薄膜；所述树脂薄膜带有透明导电材料的一面分别连接所述芯片以及所述导电基材。进一步地，所述的大功率芯片，其中，所述导电连接件为一涂布或印刷有透明导电油墨的导电玻璃。所述的大功率芯片，其中，所述基板为极性基板，所述芯片焊接在所述基板的正极，所述导电基材焊接在所述基板的负极。进一步地，所述的大功率芯片，其中，所述芯片与所述导电基材在所述基板上的高度相同，所述导电基材为铜。本技术还提供了一种专用于该封装结构的芯片，所述芯片表面上设有正负电极。与现有技术相比，由于专用芯片上的电极直接显露在芯片表面，因此无需再在芯片上制作电极以及焊盘，封装时直接将导电连接件覆盖在芯片和导电基材上，采用该专用芯片的大功率芯片封装结构包括基板1、焊接在基板1上的芯片2、导电基材3，还包括一用于连接芯片2与导电基材3的导电连接件5。导电连接件5为一涂布或印刷有透明电极材料4的树脂薄膜；树脂薄膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯，PVC(聚氯乙烯)或者其他透明塑料，树脂薄膜带有透明电极材料4的一面分别连接芯片2以及导电基材3，透明电极材料4可以是导电油墨、纳米银导电胶、涂布型ITO(铟锡氧化物半导体透明导电膜)导电颗粒或者高分子导电物。导电连接件5还可以是一涂布或印刷有透明导电油墨的导电玻璃。基板1 为极性基板，芯片2焊接在基板1的正极，导电基材3焊接在基板1的负极。优选的，导电基材3为铜。导电基材3也可以是其他导电金属。芯片1与导电基材3在基板1上的高度相同。需要注意的是，以上内容是结合具体的实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施方式仅限于此，在本技术的上述指导下，本领域技术人员可以在上述实施例的基础上进行各种改进和变形，而这些改进或者变形落在本技术的保护范围内。权利要求1.一种大功率芯片，其特征在于，包括基板、焊接在所述基板上的芯片、导电基材，芯片包含有信号处理单元、阻抗元件以及静电放电保护电路；该信号处理单元具有输入端；该阻抗元件具有第一端，该第一端耦接于该控制芯片的信号接脚，并具有第二端，该第二端耦接于该信号处理单元的该输入端；该静电放电保护电路具有端点，该端点耦接于该阻抗元件的该第一端与该控制芯片的该信号接脚之间，还包括一用于连接所述芯片与所述导电基材的导电连接件。2.根据权利要求1所述的大功率芯片，其特征在于所述导电连接件为一涂布或印刷有透明电极材料的树脂薄膜；所述树脂薄膜带有透明导电材料的一面分别连接所述芯片以及所述导电基材。3.根据权利要求1所述的大功率芯片，其特征在于所述导电连接件为一涂布或印刷有透明导电油墨的导电玻璃。4.根据权利要求1所述的大功率芯片，其特征在于所述基板为极性基板，所述芯片焊接在所述基板的正极，所述导电基材焊接在所述基板的负极。5.根据权利要求1所述的大功率芯片，其特征在于所述芯片与所述导电基材在所述基板上的高度相同，所述导电基材为铜。专利摘要本技术公布一种大功率芯片，包括基板、焊接在所述基板上的芯片、导电基材，芯片包含有信号处理单元、阻抗元件以及静电放电保护电路；该信号处理单元具有输入端；该阻抗元件具有第一端，该第一端耦接于该控制芯片的信号接脚，并具有第二端，该第二端耦接于该信号处理单元的该输入端；该静电放电保护电路具有端点，该端点耦接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁杰，王金，
申请(专利权)人：丁杰，
类型：实用新型
国别省市：