本发明专利技术提供一种液处理装置及液处理方法。该液处理装置能够有效地清洗基板的下表面。基板清洗装置(10)具有位于被基板保持机构保持的基板(W)的下表面的下方并用于将处理液喷射到基板的下表面的喷嘴(60)。喷嘴具有排列在从与基板的中央部相对的位置到与基板的周缘部相对的位置之间的多个第1喷射口(61)。第1喷射口以朝向基板的下表面喷射的处理液的喷射方向具有基板的旋转方向的成分的方式被形成。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及通过一边使基板旋转一边将处理液供给到基板的下表面而对基板进行规定的液处理、例如清洗处理或者蚀刻处理的。
技术介绍
以往，公知有一种基板清洗装置，其用于通过在将半导体晶圆等基板(以下，也称为晶圆)保持为大致水平状态的状态下一边使半导体晶圆等基板旋转一边将清洗液供给于该基板而进行基板的清洗处理。例如，专利文献1记载有一种基板处理装置，其包括旋转卡盘(chuck)，其用于水平地保持晶圆并使晶圆旋转；清洗液供给管，其在旋转卡盘的旋转轴内延伸，并且具有开口端，该开口端用于朝向被旋转卡盘保持的晶圆的下表面的中央部喷射清洗液。朝向基板的下表面的中央部喷射清洗液时，也有时基板下表面的周缘部的清洗不充分。专利文献2记载有一种基板处理装置，其包括旋转卡盘，其用于水平地保持晶圆并使晶圆旋转；双流体喷嘴，其用于以相当于晶圆的大致半径的长度的带的状态将由药液等处理液体和氮气构成的双流体喷雾喷射到被旋转卡盘保持的晶圆的上表面。在专利文献 2中，给出了也可以将这样的双流体喷嘴配置在晶圆的下表面侧来清洗晶圆的下表面的启示，但是，没有对用于该启示的具体的结构进行记载。专利文献3记载有一种基板处理装置，其包括旋转卡盘，其用于水平地保持晶圆并使晶圆旋转；双流体喷嘴，其用于以相当于晶圆的大致直径的长度的带的状态将由药液等处理液体和氮气构成的双流体喷雾喷射到被旋转卡盘保持的晶圆的上表面；另一喷嘴， 其用于将DIW(纯水)等处理液体喷射到晶圆上表面的中心部。在专利文献3的装置中，双流体喷嘴将双流体喷雾喷射到晶圆表面时，双流体喷嘴在晶圆不旋转的状态下扫描晶圆的上表面。专利文献3未提及晶圆的下表面的清洗。专利文献1 日本特开平9490197号公报专利文献2 日本特开2005-353739号公报专利文献3 日本特开2008-130763号公报
技术实现思路
本专利技术提供能够有效地对基板的下表面进行处理的液处理装置。采用本专利技术的第1技术方案，提供一种液处理装置，其包括基板保持部，其具有用于保持基板的周缘部的保持构件，以水平地保持基板的方式构成；旋转驱动部，其用于使上述基板保持部旋转；第1喷嘴，其位于被上述基板保持机构保持的基板的下表面的下方并且用于将处理液喷射到被上述基板保持部保持的基板的下表面，具有多个第1喷射口， 上述多个第1喷射口排列在从与被上述基板保持部保持的基板的中央部相对的位置到与基板的周缘部相对的位置之间；液体供给机构，其用于将处理液供给到上述第1喷射口中； 上述第1喷射口以从该第1喷射口朝向基板的下表面喷射的处理液的喷射方向向利用上述旋转驱动部旋转的基板的旋转方向倾斜的方式形成。采用本专利技术的第2技术方案，提供一种液处理方法，其包括以下工序将基板保持为水平姿态；将具有多个第1喷射口的第1喷嘴以上述多个第1喷射口排列在从与上述基板的中央部相对的位置到与上述基板的周缘部相对的位置之间的方式设在上述基板的下方；使基板旋转；以从第1喷射口朝向基板的下表面喷射的处理液的喷射方向具有上述基板的旋转方向的成分的方式从上述第1喷射口朝向上述基板的下表面喷射处理液。采用本专利技术，利用排列在从与基板的中央部相对的位置到与上述基板的周缘部相对的位置的多个第1喷射口，能够以高均勻性使处理液喷射到基板的下表面。另外，从第 1喷射口朝向基板的下表面喷射的处理液的喷射方向具有上述基板的旋转方向的成分，因此，在处理液与基板的下表面碰撞时能够抑制液体飞溅，从而能够有效地进行液处理。附图说明图1是从上方观察包括本专利技术的实施方式的基板清洗装置的液处理系统的上方俯视图。图2A是表示本专利技术的实施方式的基板清洗装置的结构的纵剖视图，是表示升降销板及清洗液供给管处于下方位置时的状态的图。图2B是表示本专利技术的实施方式的基板清洗装置的结构的纵剖视图，是表示升降销板及清洗液供给管处于上方位置时的状态的图。图2C是从上方观察如图2A所示那样的、表示晶圆被基板支承部及固定保持部保持的状态的、图2A中的基板清洗装置的俯视图。图3是表示图2A及图2B所示的基板清洗装置的升降销板的结构的立体图。图4是表示图2A及图2B所示的基板清洗装置的保持板的结构的立体图。图5是表示图2A及图2B所示的基板清洗装置的、用于对从升降销板向下方延伸的连接构件及从保持板向下方延伸的连接构件进行收容的中空的收容构件的详细结构的放大纵剖视图。图6是表示被设于图2A及图2B所示的基板清洗装置的保持板的基板支承部的结构的放大纵剖视图。图7是表示升降销板从图6所示的状态向下方移动时的状态的放大纵剖视图。图8是表示升降销板从图7所示的状态进一步向下方移动时的状态的放大纵剖视图。图9是表示图2A及图2B所示的基板清洗装置的处理流体供给管、棒状喷嘴以及用于使该处理流体供给管、棒状喷嘴升降的升降机构的结构的立体图。图10的(a) 图10的(c)是用于说明处理流体供给管及棒状喷嘴的结构的图， 图10的(a)是俯视图，图10的(b)是)(b-Xb的剖视图，图10的(C)是H的剖视图。图11的(a) 图11的(c)是表示从棒状喷嘴仅喷射液体的状态的图，图11的 (a)是表示液体在到达晶圆下表面的瞬间所润湿的区域的图，图11的(b)是表示液体从棒状喷嘴的棒状部分的喷射口被喷射的状态的侧视图，图11的(c)是表示液体从棒状喷嘴的中央部分的喷射口喷射的状态的侧视图。图12是对从棒状喷嘴的喷射口喷射的药液在晶圆上形成的点进行说明的图。图13的(a)及图13的(b)是表示双流体从棒状喷嘴喷射的状态的图，图13的 (a)是表示双流体从棒状喷嘴的棒状部分的喷射口喷射的状态的侧视图，图13的(b)是表示双流体从棒状喷嘴的中央部分的喷射口喷射的状态的侧视图。图14的(a)及图14的(b)是对棒状喷嘴的棒状部分的喷射口附近的液体喷射路径与气体喷射路径的合流的状态进行说明的图。图15是用于说明液处理装置的变形例的简要结构图。图16的(a) 图16的(c)是表示棒状喷嘴的喷射口配置的变形例的简要俯视图。 具体实施例方式以下，参照附图说明本专利技术的实施方式。首先，利用图1对包括本专利技术的液处理装置的实施方式的基板清洗装置的处理系统进行说明。如图1所示，处理系统包括载置台101，其用于载置从外部收容有作为被处理基板的半导体晶圆w(以下，简称为“晶圆W”)的承载件(carrier)；输送臂102，其用于将被收容于承载件的晶圆W取出；架单元103，其用于载置被输送臂102取出的晶圆W;输送臂 104，其用于接收被载置于架单元103的晶圆W、并且将该晶圆W输送到基板清洗装置10内。 如图1所示，液处理系统组装有多个(在图1所示的方式中为12个)基板清洗装置10。接着，利用图2A及图2B对基板清洗装置10的简要的结构进行说明。基板清洗装置10包括保持板30，其用于保持晶圆W;升降销板(lift pin plate) 20，其设于保持板30 的上方，用于从晶圆W的下方支承晶圆W ；旋转驱动部39，其具有用于使保持板30旋转的电动马达等；处理流体供给管40，其被设为在形成于保持板30的中心部分的贯通孔30a及形成于升降销板20的中心部分的贯通孔20a中穿过；棒状喷嘴60，其用于将经由处理流体供给管40供给的处理流体朝向晶圆W的下表面喷射。升降销板20与保持板30连动地本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：东岛治郎，绪方信博，金子聪，长峰秀一，甲斐义广，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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