太阳能制冷制热自动控温真空玻璃制造技术

一种太阳能制冷制热自动控温真空玻璃，该太阳能制冷制热自动控温真空玻璃由自身的薄膜太阳能电池供电，不需要外部电源，因此可长期的自动的调整室内温度，可大幅降低建筑物用于温度调整的用电量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能应用技术，特别是一种利用太阳能驱动半导体制冷制热的太阳能制冷制热自动控温真空玻璃，它可利用太阳能制冷制热实现对室内温度的自动调节。
技术介绍
太阳能是一种清洁能源，如今，太阳能手机、太阳能充电器、太阳能遥控器、太阳能热水器、太阳能电站等等，各种太阳能产品正不断的被开发出来，太阳能技术已经从高科技领域进入到人们的日常生活。近些年，在国内和国外太阳能接收元件的接收效率成为人们关注的焦点，国外在一些大型太阳能电站的光伏矩阵中实现了太阳能聚光接收，国内也有类似的试验装置，但太阳能技术在建筑材料领域的应用还很少，利用太阳能对建筑物内进行温度控制这一课题还没有人取得较好的研究成果。
技术实现思路
为了实现利用太阳能对建筑物内进行温度控制，本专利技术提出了一种利用薄膜太阳能电池接收太阳能驱动半导体制冷制热的建筑用自动控温真空玻璃，它可利用太阳能制冷制热，可实现对室内温度的自动调节。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是在一个长方形自动控温真空玻璃的内层玻璃和外层玻璃之间安装了多个半导体制冷制热组件和一个控制电路板，各半导体制冷制热组件整齐排列在长方形自动控温真空玻璃的四边上，两张长方形薄膜太阳能电池紧密粘合在长方形自动控温真空玻璃的内层玻璃和外层玻璃上，在长方形自动控温真空玻璃的内层玻璃和外层玻璃之间安装有密封条，在长方形自动控温真空玻璃的内层玻璃和外层玻璃之间抽真空，半导体制冷制热组件分为多组，各半导体制冷制热组件都由一块N型半导体、一块P型半导体、一块大金属连接片和两块小金属连接片构成，大金属连接片的下表面紧密粘合在N型半导体和P型半导体的上表面上，大金属连接片的上表面紧密粘合在长方形自动控温真空玻璃的外层玻璃上，两块小金属连接片的上表面分别紧密粘合在N型半导体和P型半导体的下表面上，两块小金属连接片的下表面紧密粘合在长方形自动控温真空玻璃的内层玻璃上，同一组的半导体制冷制热组件通过金属导线串联相接在一起，各组半导体制冷制热组件的两端通过金属导线与控制电路板电连接，控制电路板的电源正负极与薄膜太阳能电池的正负极电连接，当制冷时在控制电路板的控制下薄膜太阳能电池产生的电流由各半导体制冷制热组件的P型半导体流入从各半导体制冷制热组件的N型半导体流出，各半导体制冷制热组件的两块小金属连接片为冷端，大金属连接片为热端，两块小金属连接片吸热并使小金属连接片附近的温度降低，当制热时在控制电路板的控制下薄膜太阳能电池产生的电流由各半导体制冷制热组件的N型半导体流入从各半导体制冷制热组件的P型半导体流出，各半导体制冷制热组件的两块小金属连接片为热端，大金属连接片为冷端，两块小金属连接片放热并使小金属连接片附近的温度升高。为了保温在内层玻璃和外层玻璃之间抽真空。本专利技术的有益效果是该长方形自动控温真空玻璃由自身的薄膜太阳能电池供电，不需要外部电源，因此可长期的自动的调整室内温度，可大幅降低建筑物用于温度调整的用电量。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1是本专利技术的整体结构图。图2是本专利技术的整体结构图的A-A剖视图。图3是本专利技术半导体制冷制热组件的放大图。具体实施例方式在图1和图2中，在一个长方形自动控温真空玻璃的内层玻璃1-2和外层玻璃1-1 之间安装了多个半导体制冷制热组件和一个控制电路板8，各半导体制冷制热组件整齐排列在长方形自动控温真空玻璃的四边上，长方形薄膜太阳能电池2-2紧密粘合在长方形自动控温真空玻璃的内层玻璃1-2上，长方形薄膜太阳能电池2-1紧密粘合在长方形自动控温真空玻璃的外层玻璃1-1上，在长方形自动控温真空玻璃的内层玻璃1-2和外层玻璃1-1 之间安装有密封条7，在长方形自动控温真空玻璃的内层玻璃1-2和外层玻璃1-1之间抽真空，半导体制冷制热组件分为多组，图1和图2中给出了第一组半导体制冷制热组件的结构，在第一组中由P型半导体5-1、N型半导体5-2、大金属连接片3-1、小金属连接片4-1和小金属连接片4_2构成第一半导体制冷制热组件，由P型半导体5-3、N型半导体5-4、大金属连接片3-2、小金属连接片4-3和小金属连接片4-4构成第二半导体制冷制热组件，由P型半导体5-5、N型半导体 5-6、大金属连接片3-3、小金属连接片4-5和小金属连接片4-6构成第三半导体制冷制热组件，由P型半导体5-7、N型半导体5-8、大金属连接片3-4、小金属连接片4_7和小金属连接片4-8构成第四半导体制冷制热组件，由P型半导体5-9、N型半导体5-10、大金属连接片3-5、小金属连接片4-9和小金属连接片4-10构成第五半导体制冷制热组件，由P型半导体5-11、N型半导体5-12、大金属连接片3-6、小金属连接片4_11和小金属连接片4_12构成第六半导体制冷制热组件，由P型半导体5-13、N型半导体5-14、大金属连接片3-7、小金属连接片4-13和小金属连接片4-14构成第七半导体制冷制热组件，由P型半导体5-15、 N型半导体5-16、大金属连接片3-8、小金属连接片4-15和小金属连接片4_16构成第八半导体制冷制热组件，由P型半导体5-17、N型半导体5-18、大金属连接片3-9、小金属连接片4-17和小金属连接片4-18构成第九半导体制冷制热组件，由P型半导体5-19、N型半导体5-20、大金属连接片3-10、小金属连接片4-19和小金属连接片4-20构成第十半导体制冷制热组件，由P型半导体5-21、N型半导体5-22、大金属连接片3_11、小金属连接片4_21和小金属连接片4-22构成第十一半导体制冷制热组件，大金属连接片31的下表面紧密粘合在P型半导体5-1和N型半导体5-2的上表面上，小金属连接片4-1的上表面紧密粘合在P型半导体5-1的下表面上，小金属连接片4-2 的上表面紧密粘合在N型半导体5-2的下表面上，大金属连接片3-2的下表面紧密粘合在P 型半导体5-3和N型半导体5-4的上表面上，小金属连接片4-3的上表面紧密粘合在P型半导体5-3的下表面上，小金属连接片4-4的上表面紧密粘合在N型半导体5-4的下表面上，大金属连接片3-3的下表面紧密粘合在P型半导体5-5和N型半导体5-6的上表面上， 小金属连接片4-5的上表面紧密粘合在P型半导体5-5的下表面上，小金属连接片4-6的上表面紧密粘合在N型半导体5-6的下表面上，大金属连接片3-4的下表面紧密粘合在P 型半导体5-7和N型半导体5-8的上表面上，小金属连接片4-7的上表面紧密粘合在P型半导体5-7的下表面上，小金属连接片4-8的上表面紧密粘合在N型半导体5-8的下表面上，大金属连接片3-5的下表面紧密粘合在P型半导体5-9和N型半导体5-10的上表面上， 小金属连接片4-9的上表面紧密粘合在P型半导体5-9的下表面上，小金属连接片4-10的上表面紧密粘合在N型半导体5-10的下表面上，大金属连接片3-6的下表面紧密粘合在P 型半导体5-11和N型半导体5-12的上表面上，小金属连接片4-11的上表面紧密粘合在P 型半导体5-11的下表面上，小金属连接片4-12的上表面紧密粘合在N型半导体5-12的下表面上，大金属连接片3-7的下表面紧密粘合在P型半导体5-13和N型半导体5-14的上表面上，小金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张立君，
申请(专利权)人：北京印刷学院，
类型：发明
国别省市：