一种钨化学机械抛光后的清洗方法技术

一种钨化学机械抛光后的清洗方法，主要应用于半导体制造过程中钨化学机械抛光后残留物的清洗。此法包括在化学机械抛光后引入光阻清洗液清洗，并且干燥。通过此清洗方法有效地解决了高端集成电路技术钨化学机械抛光后高密度钨插栓区残留的清洗难题，保证了高端集成电路制造技术的发展。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种钨化学机械抛光后残留的清洗方法。
技术介绍
在半导体制造过程中，钨插栓被广泛使用。钨插栓制造工艺为首先在电介质上进行光刻以及蚀刻工艺形成所需要的通孔，该通孔停留在下层导线、栅极或源漏级上；然后依次沉积上阻挡层钛，氮化钛以及钨；接着进行钨化学机械抛光工艺。钨化学机械抛光要求具有高平整度、低蝶形缺陷、无表面残留等。W09923688A1在钨化学机械抛光工艺后引入含表面活性剂的5 37wt%的盐酸溶液进行清洗，然后用去离子水漂洗并甩干。该工艺对去除钨化学机械抛光后金属离子的残留具有较好的效果，但不能有效去除含有机的残留物。US6099662A在化学机械抛光工艺后引入氨水容易进行浸泡，然后依次喷淋氨水与双氧水以及去离子水混合物、氢氟酸与水混和物，最后用去离子水漂洗并干燥。该方法可以同时去除化学机械抛光后残留颗粒以及金属离子，但对有机残留物的去除不够有效。CN1967788A在钨化学机械抛光后首先引入氨水进行清洗，然后引入小于5wt%的氢氟酸溶液进行清洗，最后用去离子水漂洗并甩干。此清洗方法对关键尺寸为0. 13微米以上的钨化学机械抛光后残留的清洗比较有效，但随着关键尺寸的降低，尤其在65纳米以下时具有局限性。钨化学机械抛光后的一般使用氨水、草酸以及氢氟酸等溶液对抛光后晶圆进行， 其优点为成本低廉、简单易操作。但随着半导体制造技术的不断发展，半导体关键尺寸变得越来越小，已经从微米级达到了 65纳米、45纳米甚至22纳米。随着关键尺寸的变小，对残留物的清洗要求越来越高；在钨化学机械抛光工艺中，随着钨插栓密度的增加，在高密度钨插栓区残留的清洗变得越来越困难，传统的清洗方法已经逐渐达不到要求。
技术实现思路
本专利技术解决了现有技术中存在的高端集成电路技术钨化学机械抛光后高密度钨插栓区残留的清洗难题。本专利技术提供的技术方案如下本专利技术的钨化学机械抛光后的清洗方法包括如下步骤a.化学机械抛光，b.干燥，在化学机械抛光之后，还包括光阻清洗液清洗。在本专利技术中，在干燥之前还可包括湿法清洗。在本专利技术中，光阻清洗液清洗在湿法清洗前进行，也可选择在湿法清洗后进行，或者在干燥后进行，并且在光阻清洗液清洗后再进行一次干燥。在本专利技术中，光阻清洗液为羟胺基光阻清洗液、含氟类光阻清洗液或胺基光阻清洗液。在本专利技术中，羟胺基光阻清洗液包括EK(^65、EKC270、EKC270T、ACT930、ACT935、 ACT940 和 / 或 N311 ；含氟类光阻清洗液包括 IDEALClean 815、IDEAL Clean 960、SSTA2、 EKC640和/或ACTNE系列；胺基光阻清洗液包括ALEG310和/或ALEG380。其光阻清洗液包括但不局限以上光阻清洗液。在本专利技术中，光阻清洗液清洗后，还包括去离子水漂洗。在本专利技术中，晶圆表面直接喷淋光阻清洗液或者其稀释液进行清洗，然后经过异丙醇(IPA)，N-甲基吡咯烷酮(NMP)等漂洗液再用水漂洗并干燥，或者直接用水漂洗并干O本专利技术所用试剂、原料以及产品均市售可得。本专利技术的积极进步效果在于1)有效地解决了高端集成电路技术钨化学机械抛光后高密度钨插栓区残留的清洗难题，保证了高端集成电路制造技术的发展；2)具有优异的化学机械抛光后残留物清洗能力，从而达到了 65纳米及其以下工艺的要求；3)不需要改变现有设备的设计，仅仅是在钨化学机械抛光后增加一步光阻清洗工艺，简单易行。附图说明图1为对比例1的清洗效果图；图2为本专利技术清洗方法的清洗效果图。具体实施例方式下面通过实施例的方式进一步说明本专利技术，但并不因此将本专利技术限制在所述的实施例范围之中。实施例1 8表1给出了本专利技术的清洗方法实施例1 8及对比例1 2，具体清洗工艺如下。对比1钨化学机械抛光稀氨水清洗稀氢氟酸清洗去离子水洁洗干燥对比2钨化学机械抛光稀氨水清洗稀草酸清洗去离子水洁洗干燥1钨化学机械抛光稀氨水清洗稀氢氟酸清洗去离子水清洗干燥含氟类光阻清洗液清洗去离子水漂洗干燥2钨化学机械抛光稀氨水清洗稀氢氟酸淸洗去离子水清洗干燥羟胺基光阻清洗液清洗IPA漂洗以及去离子水漂洗干燥3钨化学机械抛光水漂洗含氟类光阻清洗液清洗去离子水漂洗干燥权利要求1.，包括下列步骤a.化学机械抛光，b.干燥，其特征在于在所述化学机械抛光之后，还包括光阻清洗液清洗。2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于所述清洗方法在干燥之前还包括湿法清洗。3.如权利要求2所述的清洗方法，其特征在于所述光阻清洗液清洗在湿法清洗前进行。4.如权利要求2所述的清洗方法，其特征在于所述光阻清洗液清洗在湿法清洗后进行。5.如权利要求4所述的清洗方法，其特征在于所述光阻清洗液清洗在干燥后进行。6.如权利要求5所述的清洗方法，其特征在于所述光阻清洗液清洗后还包括干燥步马聚ο7.如权利要求1-6任一项所述的清洗方法，其特征在于所述光阻清洗液为羟胺基光阻清洗液、含氟类光阻清洗液或胺基光阻清洗液。8.如权利要求7所述的清洗方法，其特征在于所述氟类光阻清洗液为IDEALClean 815，IDEAL Clean 960，SSTA2, EKC640 和 / 或 ACTNE ；所述羟胺基光阻清洗液为 EK(^65， EKC270, EKC270T, ACT930, ACT935, ACT940 和 / 或 N311 ；所述胺基光阻清洗液为 ALEG310 和 / 或 ALEG380。9.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于在所述光阻清洗液清洗后，还包括去离子水，异丙醇和/或N-甲基吡咯烷酮漂洗。全文摘要，主要应用于半导体制造过程中钨化学机械抛光后残留物的清洗。此法包括在化学机械抛光后引入光阻清洗液清洗，并且干燥。通过此清洗方法有效地解决了高端集成电路技术钨化学机械抛光后高密度钨插栓区残留的清洗难题，保证了高端集成电路制造技术的发展。文档编号C11D7/26GK102569022SQ20101061998公开日2012年7月11日 申请日期2010年12月30日 优先权日2010年12月30日专利技术者刘兵, 孙广胜, 彭洪修 申请人:安集微电子(上海)有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭洪修，刘兵，孙广胜，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：