形成纳米结构的方法技术

本发明专利技术在此揭露一种形成纳米结构的方法，其包含以下步骤：(a)形成无机光阻层于基材上；(b)形成有机光阻层于无机光阻层上；(c)以激光照射有机光阻层以及无机光阻层，以形成无机光阻层的第一曝光区以及有机光阻层的第二曝光区；(d)移除无机光阻层的第一曝光区以及有机光阻层的第二曝光区，以形成图案化无机光阻层以及图案化有机光阻层；以及(e)自图案化无机光阻层上移除图案化有机光阻层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种结合无机光阻层与有机光阻层的。
技术介绍
随着3C产品及技术的快速发展，半导体以及数据储存媒体需要更细微的结构来增进运作的速度及/或提高储存的密度。以光盘储存为例，早期一般的可记录式和可复写式⑶(⑶-R/RW)的沟轨宽度(Groove width)为0. 7 μ m，轨距为1. 6 μ m，但随着记录密度需求的提升，具有沟轨宽度为0. 7 μ m，轨距为1. 6 μ m的记录式和可复写式DVD (DVD-R/RW)和具有沟轨宽度为0. 17 μ m,轨距为0. 32 μ m的记录式和复写式蓝光光盘(BD-R/RE)相继被开发出来。再者，可记录式和复写式蓝光光盘(BD-R/RE)不只轨距为0.32 μ m，而且沟轨的深度仅为20nm。虽然记录密度需求的提升可藉由缩小记录点与记录轨距的方式来达成。但是在提升记录密度的过程中也同时增加制作光储存媒体的困难度。一般光储存媒体的制作流程包含了刻版流程、射出成形、记录材质的沉积和盘片胶和流程等。其中刻版流程主要在制作生产光储存媒体所需的基板模版(Stamper)。而后使用该基板模版于射出成形技术中产出光储存媒体用的基板。但由于光学绕射极限的关系使得现有生产CD-R/RW与DVD-R/RW 刻版模版的制作技术不适用于制造BD-R/RE刻版模版。目前各种针对结构微细化的研究技术相继被提出来应用在制作BD-R/RE基板模版上。其中一种方式是使用波长为的短波长激光来达成。但不幸的是，短波长激光的曝光设备极度昂贵，因为其中所有的光学组件必须使用特殊的材料来制造，因此使上述方式变得不经济。为实现高度细致的图案，使用无机相变化材料(或称无机光阻， inorganicphotoresist)是另一种方式。然而，无机相变化材料存在一个问题，那就是无机相变化材料必须要有一定厚度才能具有光微影性能。有鉴于此，目前亟需一种可以改善上述问题的崭新方法。
技术实现思路
本专利技术提供一种，包括以下步骤。形成一无机光阻层于一基材上，此无机光阻层被激光照射时，能发生相变化。形成一有机光阻层于无机光阻层上，且有机光阻层接触无机光阻层。然后，以激光照射有机光阻层以及无机光阻层，而形成无机光阻层的一第一曝光区以及有机光阻层的一第二曝光区。无机光阻层的第一曝光区发生相变化。移除无机光阻层的第一曝光区以及有机光阻层的第二曝光区，以形成一图案化无机光阻层以及一图案化有机光阻层。然后，自该图案化无机光阻层上移除该图案化有机光阻层。根据本专利技术一实施方式，无机光阻层的一厚度小于约75nm。根据本专利技术一实施方式，基材包含一光吸收层配置其上，无机光阻层形成在光吸收层上，且接触光吸收层。在一实施例中，光吸收层包含至少一材料，是选自由Si、Ge、GaAs、Bi、Ga、In、Sn、Sb、Te、BiTe、Biln、GaSb> GaP> InP、InSb、InTe、C、SiC、V2O5> Cr2O3> Mn3O4> Fe2O3> Co3O4, CuO, A1N、GaN, GeSbTe, InSbTe, BiSbTe, GaSbTe 以及 AgInSbiTe 所组成的群组。 在一实施例中，光吸收层的厚度为约IOnm至约50nm。根据本专利技术一实施方式，无机光阻层包含一无机相变化材料，当该无机光阻抗材料被激光照射时，由非晶相转变成结晶相。根据本专利技术一实施方式，该无机光阻层包含一相变化材料的不完全氧化物，此不完全氧化物的一般化学式为A(1_X)0X，其中A表示相变化材料，以及χ为约0. 05至约0. 65的数值。在一实施例中，相变化材料为Ge-Sb-1Te合金、Ge-Sb-Sn合金或M-Gelb-I1e合金。 例如，无机光阻层可包含化学式为GexSbySnz0a_x_y_z)的材料，其中χ为约0. 1至约0. 3的一数值，y为约0. 2至约0. 5的一数值，以及ζ为约0. 2至约0. 6的一数值，其中(Ι-χ-y-z)大于 0. 05。根据本专利技术一实施方式，该无机光阻层包含一过渡金属合金的不完全氧化物，其氧含量低于该过渡金属合金的完全氧化物的化学计量含氧量，其中该过渡金属是选自由 Ti、V、Cr、Mn、Fe、Nb、Cu、Ni、Co、Mo、Ta、W、Zr、Ru、以及 Ag 所组成的群组。根据本专利技术一实施方式，无机光阻层可包含化学式为TeOx的碲氧化物，其中χ为约0.3至约1.7的数值。根据本专利技术一实施方式，无机光阻层可包含一金属的不完全氧化物，其中金属为 14族或15族的元素，且金属的不完全氧化物的含氧量为金属的完全氧化物的化学计量含氧量的75%至95%。根据本专利技术一实施方式，基材可包含一玻璃基材、硅基材、单晶三氧化二铝(Al2O3) 基材、石英基材或金属基材。根据本专利技术一实施方式，有机光阻层包含一酚醛树脂型光阻或化学增幅型光阻。 在一实施例中，有机光阻层的厚度为约20nm至约60nm。根据本专利技术一实施方式，激光的波长为约250nm至约500nm。根据本专利技术一实施方式，移除无机光阻层的第一曝光区以及有机光阻层的第二曝光区包含应用一碱溶液。附图说明为让本专利技术的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的说明如下图1为本专利技术一实施方式的100的流程图；图2A至图2E绘示图1的各制程步骤的剖面示意图。主要组件符号说明100 方法110、120、130、140、150 步骤210 基材212光吸收层220无机光阻层221第一曝光区5224图案化无机光阻层230有机光阻层232第二曝光区234图案化有机光阻层240 激光具体实施例方式为了使本专利技术的叙述更加详尽与完备，下文针对了本专利技术的实施方式与具体实施例提出了说明性的描述；但这并非实施或运用本专利技术具体实施例的唯一形式。以下所揭露的各实施例，在有益的情形下可相互组合或取代，也可在一实施例中附加其它的实施例，而无须进一步的记载或说明。在以下描述中，将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。 然而，可在无此等特定细节的情况下实践本专利技术的实施例。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构与装置仅示意性地绘示于图中。本专利技术揭露一种，用以在一基材上形成纳米结构。此方法包含以下步骤(a)形成一无机光阻层于一基材，其中当该无机光阻层被一激光照射时，能发生一相变化；(b)形成一有机光阻层于该无机光阻层上，且该有机光阻层接触该无机光阻层；(c)以该激光照射该有机光阻层以及该无机光阻层，以形成该无机光阻层的一第一曝光区以及该有机光阻层的一第二曝光区，其中该无机光阻层的该第一曝光区发生该相变化，且该第一曝光区重叠该第二曝光区；(d)移除该无机光阻层的该第一曝光区以及该有机光阻层的该第二曝光区，以形成一图案化无机光阻层以及一图案化有机光阻层，其中该图案化无机光阻层以及该图案化有机光阻层具有纳米特征结构；以及(e)自该图案化无机光阻层上移除该图案化有机光阻层。图1为本专利技术一实施方式的100的流程图。图2A至图2E绘示图1的各制程步骤的剖面示意图。在步骤110，形成无机光阻层220于基材210上，如图2A所示。当无机光阻层220 被一激光照射或被加热时，无机光阻层会发生相变化。举例而言，无机光阻层220包含无机相变化材料，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张俊诚，
申请(专利权)人：铼德科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：