本发明专利技术公开了一种额定电流得到提高的真空断路器，包括真空断路器灭弧室，在真空断路器灭弧室外设置有与其并联的辅助开关，辅助开关的动作特性为“后合先分”，即相对于真空断路器合闸动作滞后一定时间，分闸动作提前一定时间；本发明专利技术采用真空断路器并联辅助开关技术，使真空断路器灭弧室通过辅助开关的分流作用有效减小流过真空断路器灭弧室电流，进而提高其额定电流水平。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种真空断路器，具体涉及一种额定电流得到提高的真空断路器。
技术介绍
随着真空开关理论研究与制造技术水平的显著提高，近些年国内外电器生产厂家及科研机构竞相开始开展高电压、大电流真空断路器的研发，但真空断路器的额定电流参数不容易提高。
技术实现思路
为了克服上述现有技术存在的缺点，本专利技术的目的在于提供一种额定电流得到提高的真空断路器，本专利技术采用真空断路器并联辅助开关技术，使真空断路器灭弧室通过辅助开关的分流作用有效减小流过真空断路器灭弧室电流，进而提高其额定电流水平。为达到上述目的，本专利技术采用以下技术方案一种额定电流得到提高的真空断路器，包括真空断路器灭弧室1，其特征在于在真空断路器灭弧室1外设置有与其并联的辅助开关2。所述辅助开关2的动作特性为“后合先分”，即相对于真空断路器合闸动作滞后预设时间，分闸动作提前预设时间。所述辅助开关2为密封式开关或触头置于空气中的开关。所述辅助开关2的触头可采用插接式触头结构或对接式触头结构。所述辅助开关2若采用密封式开关，其内部可采用真空介质或填充气体、液体等易于散热的材料。所述辅助开关2若采用密封式开关，则密封式开关与真空断路器灭弧室1置于同一密闭装置中，或置于真空断路器灭弧室1密闭装置之外。本专利技术和现有技术相比具有如下优点1、在真空断路器灭弧室1外并联辅助开关2，当真空断路器处于合闸状态时，通过辅助开关2的分流作用，可有效减小流过真空断路器灭弧室电流，因此，提高了真空断路器的额定电流水平。2、辅助开关2采用“后合先分”动作特性设计，回路电流靠真空断路器灭弧室1来关合接通或开断，可有效避免合闸过程中预击穿发生于辅助开关2，或分闸过程中电弧在辅助开关2上燃烧现象，造成其熔焊或烧损。附图说明图1为本专利技术额定电流得到提高的真空断路器电路示意图。图2为本专利技术真空断路器灭弧室与辅助开关分——合闸过程动作示意图。其中， 图加为关合过程，图中(3)、(4)、(5)为合闸过程真空断路器灭弧室与辅助开关的三种动作状态；图2b为分断过程，图中(6)、(7)、(8)为分闸过程真空断路器灭弧室与辅助开关的三种动作状态。图3为真空断路器灭弧室与辅助开关分合闸动作时序图。图中9为真空断路器灭弧室合操作；10为辅助开关合操作；11为真空断路器灭弧室分操作；12为辅助开关分操作。具体实施例方式下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作更详细说明。如图1所示，本专利技术一种额定电流得到提高的真空断路器，包括真空断路器灭弧室ι和与其并联的辅助开关2，当真空断路器处于合闸状态时，通过辅助开关分流作用降低流过真空灭弧室的电流。辅助开关2可采用密封式开关或触头置于空气中的开关。如图2和图3所示，本专利技术与真空断路器灭弧室1并联的辅助开关2的动作特性为 “后合先分”，合闸时，真空断路器灭弧室1内触头先合，承受预击穿电流的冲击，辅助开关2 触头闭合相对滞后At的时间；分闸时，辅助开关2触头先分开，电流全部通过真空断路器灭弧室1触头At后，真空断路器灭弧室1触头分开，灭弧室动、静触头分断回路电流。权利要求1.一种额定电流得到提高的真空断路器，包括真空断路器灭弧室(1)，其特征在于在真空断路器灭弧室(1)外设置有与其并联的辅助开关O)。2.根据权利要求1所述的真空断路器，其特征在于所述辅助开关O)的动作特性为 “后合先分”，即相对于真空断路器合闸动作滞后预设时间，分闸动作提前预设时间。3.根据权利要求1所述的真空断路器，其特征在于所述辅助开关(2)为密封式开关或触头置于空气中的开关。4.根据权利要求2或3所述的真空断路器，其特征在于所述辅助开关O)的触头可采用插接式触头结构或对接式触头结构。5.根据权利要求2或3所述的真空断路器，其特征在于所述辅助开关(2)若采用密封式开关，其内部采用真空介质或填充气体、液体等易于散热的材料。6.根据权利要求2或3所述的真空断路器，其特征在于所述辅助开关(2)采用密封式开关，密封式开关与真空断路器灭弧室(1)置于同一密闭装置中，或置于真空断路器灭弧室⑴密闭装置之外。全文摘要本专利技术公开了一种额定电流得到提高的真空断路器，包括真空断路器灭弧室，在真空断路器灭弧室外设置有与其并联的辅助开关，辅助开关的动作特性为“后合先分”，即相对于真空断路器合闸动作滞后一定时间，分闸动作提前一定时间；本专利技术采用真空断路器并联辅助开关技术，使真空断路器灭弧室通过辅助开关的分流作用有效减小流过真空断路器灭弧室电流，进而提高其额定电流水平。文档编号H01H33/66GK102568913SQ20111045468公开日2012年7月11日 申请日期2011年12月21日 优先权日2011年12月21日专利技术者万昕, 刘志远, 姚晓飞, 王建华, 耿英三, 闫静 申请人:西安交通大学本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王建华，耿英三，刘志远，姚晓飞，闫静，万昕，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：
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