【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及抗蚀剂组合物、使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案的形成方法、用作该抗蚀剂组合物用产酸剂的新型化合物、用作该化合物的前体的化合物以及该产酸剂。本专利技术要求2007年11月19日在日本提出的特愿2007-299527号、2008年3年21 日在日本提出的特愿2008-74466号以及2008年9月25日在日本提出的特愿2008-246643 号的优先权,在此引用其内容。
技术介绍
在光刻技术中进行如下工序例如在基板上形成由抗蚀剂材料形成的抗蚀剂膜, 利用形成了规定图案的掩模,用光、电子射线等放射线对该抗蚀剂膜进行选择性曝光,实施显影处理,从而在上述抗蚀剂膜上形成规定形状的抗蚀剂图案。将曝光后的部分向在显影液中溶解的特性转变的抗蚀剂材料称为正型,将曝光后的部分向不溶于显影液的特性转变的抗蚀剂材料称为负型。近年来,在半导体元件和液晶显示元件的制造中,随着光刻技术的进步,图案的微细化发展迅速。作为微细化的方法,通常是使曝光光源的波长变短。具体而言,以往采用以g线、i 线为代表的紫外线,但现在已开始采用KrF准分子激光或ArF准分子激光来进行半导体元件的批量生产。另外,正在对波长比上述准分子激光短的F2准分子激光、电子射线、EUV(超紫外线)和X射线等进行研究。对于抗蚀剂材料,要求具有针对上述曝光光源的灵敏度、能再现微细尺寸的图案的清晰度等光刻特性。作为满足此要求的抗蚀剂材料,采用含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材树脂和通过曝光而产生酸的产酸剂的化学增幅型抗蚀剂。例如,正型化学增幅型抗蚀剂含有作为基材树脂的在酸的作用下对碱显影液的溶解性增加 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
2007.11.19 JP 2007-299527;2008.03.21 JP 2008-074461.一种抗蚀剂组合物,其是含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性发生改变的基材成分(A)和通过曝光来产生酸的产酸剂成分(B)的抗蚀剂组合物,其特征在于,所述产酸剂成分(B)含有由下述通式(bl-Ι)表示的化合物形成的产酸剂(Bi), X-Q1-Y1-SOa A+ …(bl —υ式中,Q1是含有酯键或醚键的2价连接基团;Y1是可具有取代基的亚烷基或可具有取代基的氟代亚烷基;X为可具有取代基的从双环烷、三环烷、四环烷除去1个氢原子后的基团, 该环结构中具有-O-SO2-键;A+是有机阳离子。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂组合物,其中,所述通式(bl-Ι)中的X为可具有取代基的从金刚烷、降冰片烷、异冰片烷、三环癸烷、四环癸烷除去1个以上氢原子后的基团,该环结构中具有-O-SO2-键。3.根据权利要求1所述的抗蚀剂组合物,其中,所述通式(bl-Ι)中的X为下式(X-4) 所示的环式基,R2是碳原子数为1 6的烷基、碳原子数为1 6的烷氧基、碳原子数为1 6的卤代烧基、卤原子、羟基、-C00R”、-OC ( = 0)R”、羟烷基或氰基;a是O 2的整数;A’是碳原子数为1 5的亚烷基、-0-、-S-、-O-R3-或-S-R4-,R”为氢原子或碳原子数为1 15的直链状、支链状或环状的烷基,R3和R4分别独立地为碳原子数为1 5的亚烷基。4.根据权利要求1所述的抗蚀剂组合物,其中,所述基材成分(A)是在酸的作用下对碱显影液的溶解性增加的基材成分。5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:濑下武广,内海义之,川上晃也,羽田英夫,清水宏明,中村刚,
申请(专利权)人:东京应化工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
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