防止静电击穿的方法、阵列基板的制造方法和显示背板技术

本发明专利技术公开了一种防止静电击穿的方法、阵列基板的制造方法和显示背板。一种防止静电击穿的方法，包括：在形成基板的导电图案时，将形成所述导电图案的金属线与位于基板外围的封闭导电环相连；当所述金属线上产生静电时，将所述静电引导至所述封闭导电环。通过在形成基板的导电图案时，将形成导电图案的金属线与位于基板外围区域的封闭导电环相连，以使得阵列基板的制造过程中，如果金属线上产生静电，就可以直接引导至封闭导电环上，解决了阵列基板制造过程中的静电击穿高发的问题，实现了阵列基板的安全生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示技术，尤其涉及一种防止静电击穿的方法、阵列基板的制造方法和显示背板。
技术介绍
液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。静电击穿是电子行业中非常常见的一种破坏模式，它是由大量静电集中到器件的某一部位静电放电产生的现象。静电击穿会对TFT-LCD器件产生非常严重的损害，在 TFT-IXD器件的制造过程中需要尽量避免其发生。目前在TFT-IXD行业内经常采用的防止静电击穿的方法为制备静电环。静电环是利用了静电趋向于分布在导体的外边缘的特性， 在单个液晶屏阵列基板的外围设置一圈环路，通过源极或漏极与栅极相连的TFT结构，将栅线、公共电极线、数据线全部连接到静电环上。这样，当栅线、公共电极线、数据线中任意引线上的静电过多时，均能通过自行打开此条引线上与静电环相连接的TFT器件，将静电引导至静电环上，起到保护液晶屏的作用。但是，静电环上连通栅线、公共电极线、数据线的TFT结构必须要等到整个阵列基板制备完成后才能够发挥其功效，因此在阵列基板的制造过程中产生的静电，静电环是没有能力起到防止静电击穿的作用的。然而，整个阵列基板的制造过程中，化学气相沉积与干刻工艺是静电高发的工序，很容易产生静电击穿的问题，影响产品的良品率。
技术实现思路
本专利技术提供一种防止静电击穿的方法、阵列基板的制造方法和显示背板，以实现阵列基板的制造过程中静电击穿的有效预防。本专利技术提供一种防止静电击穿的方法，其中，包括在形成基板的导电图案时，将形成所述导电图案的金属线与位于基板外围区域的封闭导电环相连；当所述金属线上产生静电时，将所述静电引导至所述封闭导电环。本专利技术还提供一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤，其中，形成所述导电图案的步骤至少包括在所述衬底基板的外围区域形成与栅线同层的第一封闭导电环，并将所述栅线与所述第一封闭导电环相连；禾口/ 或，在所述衬底基板的外围区域形成与数据线同层的第二封闭导电环，并将所述数据线与所述第二封闭导电环相连。本专利技术又提供一种显示背板，包括衬底基板；所述衬底基板上形成有导电图案和绝缘层，所述导电图案包括栅线和数据线；所述衬底基板的外围区域还形成有第一封闭导电环和/或第二封闭导电环，所述第一封闭导电环与所述栅线同层设置，所述第二封闭导电环与所述数据线同层设置；所述栅线与所述第一封闭导电环电性相连，所述数据线与所述第二封闭导电环电性相连。本专利技术提供的防止静电击穿的方法、阵列基板的制造方法和显示背板，通过在形成基板的导电图案时，将形成导电图案的金属线与位于基板外围区域的封闭导电环相连， 以使得阵列基板的制造过程中，如果金属线上产生静电，就可以直接引导至封闭导电环上， 解决了阵列基板制造过程中的静电击穿高发的问题，实现了阵列基板的安全制造生产。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的防止静电击穿方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的基板的导电图案的分布示意图；图3为本专利技术实施例提供的栅线、公共电极线以及第一封闭导电环制备完成后的结构俯视图；图4为图3基础上数据线以及第二封闭导电环制备完成后的结构俯视图；图fe至图5d为断开栅线与第一封闭导电环之间连接工艺时基板的侧视剖切结构示意图；图6a至图6d为断开数据线与第二封闭导电环之间连接工艺时基板的侧视剖切结构示意图；图7为本专利技术实施例四提供的液晶显示面板的制造方法流程图。附图标记I-衬底基板； 2-栅线； 4-栅绝缘层；5-数据线；6-有源层；12-公共电极线；13-透明导电层；14-光刻胶；50-第一封闭导电环；60-第二封闭导电环。具体实施例方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的防止静电击穿方法的流程图，如图1所示，该方法包括101 在形成基板的导电图案时，将形成导电图案的金属线与位于基板外围区域的封闭导电环相连；102 当金属线上产生静电时，将静电引导至封闭导电环。本专利技术实施例根据静电趋向于分布在导体的外边缘的特性，在其基础上提出了一种在形成基板的导电图案时，将形成导电图案的金属线与位于基板外围的封闭导电环相连，使得在制造基板的过程中，如果金属线上产生静电，就可以将静电引导至封闭导电环， 从而有效地防止了基板制造过程中可能出现的静电击穿问题。本实施例提供的基板的导电图案的分布示意图可以如图2所示，形成基板的导电图案可以但不限于包括在衬底基板1上形成横向设置的栅线2和公共电极线12，以及纵向设置的数据线5中的一种或多种。其中，公共电极线12可以与栅线2在同一层制备，也可以与数据线5在同一层制备。栅线层与数据线层之间设置有栅绝缘层和有源层。本专利技术实施例提供的栅线、公共电极线以及第一封闭导电环制备完成后的结构俯视图可以如图3所示，在形成栅线层时，可以在基板的外围区域(如接口区域)设置第一封闭导电环50，并将全部或部分栅线2与第一封闭导电环50相连。当公共电极线12与栅线 2同一层制备时，优选的，还可以将全部或部分公共电极线12与第一封闭导电环50相连。 在栅线层制备完成上述结构之后，如果在栅绝缘层至钝化层的沉积、光刻、刻蚀过程中产生了静电，都可以导通至第一封闭导电环50，从而有效地避免了液晶屏内部发生静电击穿。在图3基础上数据线以及第二封闭导电环制备完成后的结构俯视图可以如图4所示，在形成数据线层时，可以在基板的外围区域(如接口区域)设置第二封闭导电环60，并将全部或者部分数据线5与第二封闭导电环60相连。当公共电极线12与数据线5同一层制备时，优选的，还可以将全部或部分公共电极线12与第二封闭导电环60相连。在数据线层制备完成上述结构之后，如果在栅绝缘层、有源层的干刻、以及钝化层的沉积、光刻、刻蚀过程中产生的静电都会导通至第二封闭导电环60，从而有效地避免了液晶屏内部发生静电击穿。对于第一封闭导电环50和第二封闭导电环60需要说明的是，第一封闭导电环50 和第二封闭导电环60可以为增设在衬底基板1上的线路，也可以复用衬底基板1上现有的封闭金属线，例如，衬底基板1上现有的玻璃检测信号线等。其中，玻璃检测信号线为环绕衬底基板1最外缘的一圈不封闭环路，用来检测玻璃是否破损。可以将玻璃检测信号线断路处(信号引脚处)采用本专利技术的方法相连后，将整个玻璃检测信号线作为本专利技术的封闭导电环。实施例二本专利技术实施例提供了一种阵列基板的制造方法，该方法可以包括在衬底基板上形成导电图案和绝缘层的步骤。其中，对于导电图案和绝缘层的说明如下数据线、栅线、TFT开关的栅电极、源电极、漏电极和有源层，以及像素电极可以统称为导电图案。为保持各导电图案的绝缘，可将同层设置的导电图案间隔设置，或通过绝缘层间隔异层设置的导电图案，例如，栅线和栅电极上覆盖栅极绝缘层，与TFT开关和数据线保持绝缘；TFT开关和数据线上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周伟峰，郭建，明星，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：