一种降低光刻机镜头过热的方法技术

本发明专利技术公开了一种降低光刻机镜头过热的方法，包括如下步骤，在距有效器件距离大于或者等于D的条件下，计算透光区域面积占整个曝光单元面积的比例A，并依据所述A的比例关系在距有效器件的距离大于或者等于D的空旷区域添加冗余图形。本发明专利技术的有益效果在于：减少了光刻机镜头吸收的能量，降低了连续曝光后镜头升高的温度，从而实现了对因光刻机镜头过热而导致曝光图形在硅片上的位置偏移的控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种调节光刻机镜头温度的方法，尤其涉及一种基于减少掩模板上透光区域的比重而实现降低光刻机镜头过热的方法。
技术介绍
在集成电路制造工艺中，通常通过用特定波长的激光曝光的方式将掩模板上的图形转移到硅片上。对于一些在掩模板上透光区域比重特别大的层次，透过光刻机镜头的光的能量也较大。同时，由于光刻机镜头也会吸收掉一部分透过的光的能量，经过长时间连续曝光，光刻机镜头的温度会明显的升高，从而导致光刻机的镜头发生轻微的形变，最终导致其曝在硅片上图形的位置发生了偏移，严重的情况将导致其后的套刻精度检查超标。
技术实现思路
针对上述存在的问题，本专利技术的目的是提供，以利于降低连续曝光后光刻机镜头升高的温度，利于控制光刻机镜头因发热所导致的变形， 利于控制因光刻机镜头过热而导致的曝光图形在硅片上的位置偏移。本专利技术的目的是通过下述技术方案实现的，其中，包括如下步骤，先计算透光区域面积占整个曝光单元面积的比例A，然后依据所述A的比例关系在距有效器件的距离大于或者等于D的空旷区域添加冗余图形。上述的，其中，所述透光区域面积占整个曝光单元面积的比例A的范围为0. 3至1。上述的，其中，所述距有效器件距离D为大于或等于0. 5um。述的，其特征在于，当所述透光区域面积占整个曝光单元面积的比例A大于或等于0. 5时，在距离有效器件大于或等于2um之外的区域插入所述冗余图形。与已有技术相比，本专利技术的有益效果在于减少了光刻机镜头吸收的能量，降低了连续曝光后镜头升高的温度，从而实现了对因光刻机镜头过热而导致曝光图形在硅片上的位置偏移的控制。附图说明图1是本专利技术空旷区域示意图。图加是本专利技术未加入冗余图形的版图示意图。图2b是本专利技术加入冗余图形后版图示意图。图中1-空旷区；2-器件区；3-冗余图形；4-原始版图。具体实施例方式下面结合原理图和具体操作实施例对本专利技术作进一步说明。如图1、图加和图2b所示，本专利技术一种降低光刻机连续曝光后镜头过热的方法，是通过降低掩模板4上图形整体的透光率，减少光刻机镜头吸收的能量，即减少了连续曝光后镜头升高的温度，最终达到减少因光刻机镜头过热而导致的曝光图形在硅片上的位置偏移。具体地讲，对于掩模板4透光区域较大的光刻层次，在芯片数据处理时，在图形空旷区1域添加冗余图形，以达到降低掩模板4上图形整体的透光率，减少光刻机镜头吸收的能量的目的。所述的掩模板透光区域较大的光刻层次是指透光区域面积占整个曝光单元面积的比例大于给定的值A。图形空旷区域1是指距有效器件2的距离大于给定的值D。当 A值小于0. 3时，是不需要添加冗余图形的。当A的范围处于0. 3至1之间时，需要在空旷区域1添加冗余图形以达到降低掩模板上图形整体的透光率，减少光刻机镜头吸收的能量的目的，通常所述距离D大于0. 5um。对于透光区域面积占整个曝光单元面积的比例A大于 0. 5的层次，在距离有效器件2um之外的区域插入冗余图形3。在空旷区域1添加冗余图形 3的措施可以显著降低掩模板的透光率在未添加冗余图形3之前，掩模板4的透光率甚至高达90%，但是利用本专利技术的方法措施之后，掩模板透光率降到60%。以上对本专利技术的具体实施例进行了详细描述，但本专利技术并不限制于以上描述的具体实施例，其只是作为范例。对于本领域技术人员而言，任何对该进行的等同修改和替代也都在本专利技术的范畴之中。因此，在不脱离本专利技术的精神和范围下所作出的均等变换和修改， 都应涵盖在本专利技术的范围内。权利要求1.，其特征在于，包括如下步骤，先计算透光区域面积占整个曝光单元面积的比例A，然后依据所述A的比例关系在距有效器件的距离大于或者等于D的空旷区域添加冗余图形。2.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述透光区域面积占整个曝光单元面积的比例A的范围为0. 3至1。3.根据权利要求1所述的，其特征在于，所述冗余图形距有效器件距离D为大于或等于0. 5um。4.根据权利要求1所述的，其特征在于，当所述透光区域面积占整个曝光单元面积的比例A大于或等于0. 5时，在距离有效器件大于或等于2um 之外的区域插入所述冗余图形。全文摘要本专利技术公开了，包括如下步骤，在距有效器件距离大于或者等于D的条件下，计算透光区域面积占整个曝光单元面积的比例A，并依据所述A的比例关系在距有效器件的距离大于或者等于D的空旷区域添加冗余图形。本专利技术的有益效果在于减少了光刻机镜头吸收的能量，降低了连续曝光后镜头升高的温度，从而实现了对因光刻机镜头过热而导致曝光图形在硅片上的位置偏移的控制。文档编号G03F1/70GK102540763SQ201210014810公开日2012年7月4日 申请日期2012年1月18日 优先权日2012年1月18日专利技术者阚欢, 魏芳 申请人:上海华力微电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏芳，阚欢，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：