本发明专利技术公开了一种镀膜产品，尤其涉及到一种可进行高温热处理的汽车镀膜玻璃。该镀膜产品的膜层结构中用银、钇、镁、硼四种元素组成的合金材料代替原有的金属纯银作为低辐射功能层的材料，沉积膜层后，功能层材料表达式为Ag1-a-b-cYaMgbBc，其中0＜a+b+c≤9.5wt％，由于合金银的使用使得其不易受到环境的影响，另一方面降低了工业大规模生产的材料成本。本发明专利技术中的合金材料的使用，使得膜层中的功能膜层的抗氧化、抗硫化变色、抗机械性能和抗化学攻击性能得到很好的改善。本发明专利技术的镀膜产品主要应用于汽车挡风玻璃。
【技术实现步骤摘要】
一种镀膜产品
本专利技术涉及一种镀膜产品，尤其涉及到一种可进行高温热处理的汽车镀膜玻璃。
技术介绍
随着人们节能意识的增强，越来越多的建筑物或汽车都将使用低辐射镀膜玻璃或热反射镀膜玻璃，这些镀膜玻璃可以起到很好的隔热效果，使建筑物内部或车内的舒适度增加。现在生产离线低辐射镀膜玻璃，大都是使用纯银作为反射红外线的功能膜层，由于纯金属银在空气中很容易与硫化物气体反应使银的性能退化，在高温热处理过程中银容易被氧化而丧失低辐射功能，因此，目前的低辐射镀膜玻璃的制作都是使用多层介质层来保护银层，即便这样当膜层暴露在大气中时，银功能层也多少会受到大气有害气体的腐蚀作用。中国专利CN201010177547.0公开了一种高稳定性汽车镀膜玻璃膜系，该膜系与常用的汽车镀膜玻璃膜系的核心总差异是将金属纯银材料改变为银、铜、锌、铬四种金属的合金材料Agl_x_y_zCuxZnyCrz，其中0彡x+y+z彡10%, Zn能够阻止银与邻近的氧化物层的相互作用，防止膜系性能退化，Cr和Cu能够提高Ag层的化学稳定性，不易受环境的影响。但是在银中掺杂铜会使膜系在后续加工处理过程中银膜层易出现红斑缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决以上低辐射膜的不足，使用银、钇、镁、硼四种元素组成的合金材料代替纯银材料作为低辐射膜的功能层材料。这种四元合金材料中的掺杂元素Y 能够使银层具有良好的抗硫化变色特性；掺杂元素Mg能够使银层具有抗硫化特性和阻止银与氧的相互作用；掺杂元素B能够阻止氧与银的相互作用，提高膜系在高温热处理的稳定性；这几个元素共同作用可提高低辐射膜功能层的化学稳定性和改善其机械性能。本专利技术的低辐射功能膜层Agl_a_b_。YaMgbB。中的Mg元素可以被Ca、&元素替代或者共用，B元素可以被Al、Ga、Sn、Zn、Ti替换或共用，Y元素也可以被其它的稀土元素所替代。本专利技术针对现有低辐射镀膜产品中银膜层的不稳定性，用金属银掺杂为四元合金替代高纯的银材料作为低辐射膜的功能膜层材料，使得低辐射镀膜产品具有低的辐射率和面电阻，同时使膜层在后续的加工处理过程中不会出现红斑缺陷。本专利技术的一种低辐射镀膜产品的制备按如下步骤进行1)在玻璃基板上生长底层电介质膜层，底层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜层厚度为 20 50nmo2)在底层电介质膜层上生长第一牺牲层，第一牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，其膜层厚度为1 5nm。；3)在第一牺牲层上生长掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层，其中0 < a+b+c彡9. 5wt %，优选的为0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更优选的为0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜层厚度为6 25nm。4)在掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层上生长第二牺牲层，第二牺牲层可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜层厚度为1 5nm。5)在第二牺牲层上生长顶层电介质膜层，顶层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiOx,其膜层厚度为 10 35nm。6)在顶层电介质膜层上生长保护层，保护层选用以下的一种或多种材料组合 Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜层厚度为 5 25nm。7)最后将低辐射镀膜玻璃做成中空或夹层玻璃。本专利技术的另一种低辐射镀膜产品的制备按如下步骤进行1)在玻璃基板上生长底层电介质膜层，底层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜层厚度为 20 50nmo2)在底层电介质膜层上生长第一牺牲层，第一牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，其膜层厚度为1 5nm。幻在第一牺牲层上生长掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层，其中 0 < a+b+c彡9. 5wt %，优选的为0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更优选的为0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜层厚度为6 25nm。4)在掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层上生长第二牺牲层，第二牺牲层可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜层厚度为1 5nm。5)在第二牺牲层上生长第二电介质膜层，第二电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x，其膜层厚度为 40 95nm。6)在第二电介质膜层上生长第三牺牲层，第三牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，其膜层厚度为1 5nm。7)在第三牺牲层上生长掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层，其中 0 < a+b+c彡9. 5wt %，优选的为0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更优选的为0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜层厚度为6 25nm。8)在掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层上生长第四牺牲层，第四牺牲层可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜层厚度为1 5nm。9)在第四牺牲层上沉积顶层电介质膜层，顶层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn、ZrOx、NbOx、SiOx,其膜层厚度为 10 35nm。10)在顶层电介质膜层上生长保护层，保护层选用以下的一种或多种材料组合 Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、ZnxSny0n、ZnxTiy0n、Zr0x、Nb0x、SiN0x，其膜层厚度为 5 25nm。11)最后将低辐射镀膜玻璃做成中空或夹层玻璃。本专利技术的第三种低辐射镀膜产品的制备按如下步骤进行1)在玻璃基板上生长底层电介质膜层，底层电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、TiOx, ZnOx, SiNx, ZnxSnyOn, ZnxTiyOn, ZrOx, NbOx，其膜层厚度为 20 50nmo 2)在底层电介质膜层上生长第一牺牲层，第一牺牲层可以是NiCr、Ti、Nb、 NiCr0x、Sb，其膜层厚度为1 5nm。 幻在第一牺牲层上生长掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层，其中 0 < a+b+c彡9. 5wt %，优选的为0. Iwt %彡a+b+c彡7wt %，更优选的为0. 6wt % 彡a+b+c彡5wt% ；其膜层厚度为6 25nm。4)在掺杂钇、镁和硼的Agl-a-b-cYaMgbBc膜层上生长第二牺牲层，第二牺牲层可以是附0、11、恥、附0(^、513，其膜层厚度为1 5nm。5)在第二牺牲层上生长第二电介质膜层，第二电介质膜层可以是以下的一种或多种材料组合Sn0x、Ti0x、Zn0x、SiNx、Znx本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李艺明，尚贵才，
申请(专利权)人：福耀玻璃工业集团股份有限公司，福建省万达汽车玻璃工业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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