本发明专利技术涉及一种电子倍增器打拿极曲面镀膜基盘架，属于表面工程领域。所述基盘架为圆盘，在圆盘上等间隔开有一个或多个工字型孔；在工字型孔两端分别设有孔的上部突台和下部突台，在工字型孔中部的两边下方分别设有两个对称的侧板，两个侧板与基盘架垂直并融合；侧板为三角形，在两个侧板上开有平行滑道；滑道深度小于侧板厚度，侧板厚度大于打拿极护耳宽度。滑道的倾斜度与A’C’线倾斜度相同。所述的基盘架能解决打拿极曲面镀膜中成膜均匀性、稳定性等问题，同时可以快速、准确安装打拿极特殊曲面基片。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子倍增器打拿极曲面镀膜基盘架，属于表面工程领域。技术背景真空镀膜设备中具有一个或多个基片安装架，便于固定需要镀膜的基片。在镀制薄膜的过程中，需要根据基片的形状尺寸进行基盘架的设计以满足镀膜要求，但是在实际的薄膜的研制和生产过程中，常用平面基片，其基盘架的设计可以针对不同用户对最终薄膜基底的形状、厚度等尺寸的要求设计和加工不同的基盘架，但是对于曲面基片的镀膜要求基盘架的设计较麻烦。电子倍增器打拿极特殊的镀膜，其基片为非平面，针对这种特殊的曲面基片，普通的平面基片架不能满足镀制薄膜的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种电子倍增器打拿极曲面镀膜基盘架，可以快速、准确安装打拿极曲面基片，有效解决打拿极曲面镀膜中成膜均勻性、稳定性等问题。为解决上述问题，本专利技术的技术方案如下一种电子倍增器打拿极曲面镀膜基盘架，所述基盘架为圆盘，在圆盘上等间隔开有一个或多个工字型孔；所有工字型孔的中心到圆盘圆心的距离相等；沿χ轴方向，工字型孔的孔长为20 22mm;沿y轴方向，在工字型孔两端分别设有孔的上部突台和下部突台，上部外侧突台长14 15mm，宽3 5mm，下部外侧突台长14 15mm，宽2 3mm ；上部突台和下部突台之间为工字型孔的中部，工字型孔的中部宽8mm ；沿ζ轴方向，在工字型孔中部的两边下方分别设有两个对称的侧板，两个侧板与基盘架垂直并融合；侧板为三角形，有a、b、c三个面，其中c面与基盘架垂直，a、b面交汇于A线，a面与工字型孔的上部突台的底面沿B线汇合，b、c面在C线相交，D线位于工字型孔的下部突台底面的下端，c面延伸到D线；A线与a面交于A’点，C线与c面交于C’点， B线与c面交于B’点；在c面上开有与A’ C’线平行的滑道EF，滑道EF —端与A’ B’线相交于F点，另一端延伸到基盘架表面的E点，E点与C’点位于基盘架的两侧；在对称的另一侧板上也开有与滑道EF平行的对称滑道；滑道深度小于侧板厚度，侧板厚度大于打拿极护耳宽度e。侧板壁厚为1 3mm， 滑道长7 9mm，宽0. 2 0. 3mm，深0. 55 0. 6mm，滑道的倾斜度与A，C，线倾斜度相同， 均为60° 80°。基片架的材料为金属或绝缘材料，优选铜、铝、不锈钢或聚四氟乙烯。所述电子倍增器打拿极曲面镀膜基盘架的使用过程如下步骤一、用酒精或丙酮超声清洗基盘架及电子倍增器打拿极表面；步骤二、将基盘架背面朝上安装在真空室内，保证基盘架水平放置；步骤三、用镊子夹住清洗后的打拿极外壳，按照基盘架设计的滑道平行插入，待打拿极基片滑到台阶的末端后，松开镊子，完成打拿极的安装。在基盘架同一半径处加工多个设有安装滑道的工字型孔，能够同时安装多个打拿极基片，达到批量生产的效果。打拿极基片的安装总数决定于安装盘的大小。有益效果本专利技术所述的基盘架能够满足电子倍增器打拿极在真空镀膜设备中曲面基片的镀膜安装要求，有效解决打拿极曲面镀膜中成膜均勻性、稳定性等问题，同时利用本专利技术设计的基盘架可以快速、准确安装打拿极特殊曲面基片。附图说明图1为本专利技术所述的电子倍增器打拿极曲面镀膜基盘架正视图2为图1圆圈处的局部放大图3为侧板的正视图4为带有突起和滑道的工字型孔的三视图5为所述打拿极三视其中，I-基盘架、2-侧板、3-滑道。具体实施方式实施例一种电子倍增器打拿极曲面镀膜基盘架，所述基盘架1为圆盘，在圆盘上等间隔开有一个或多个工字型孔；所有工字型孔的中心到圆盘圆心的距离相等；沿χ轴方向，工字型孔的孔长为20mm;沿y轴方向，在工字型孔两端分别设有孔的上部外侧突台和下部外侧突台，上部外侧突台长15mm，宽15mm，下部外侧突台长15mm，宽9mm ；工字型孔的中部宽8mm ；沿ζ轴方向，在工字型孔中部的两边下方分别设有两个对称的侧板2，两个侧板2 与基盘架1垂直并融合；侧板2为三角形，有a、b、c三个面，其中c面与基盘架1垂直，a、 b面交汇于A线，a面与工字型孔的上部突台的底面沿B线汇合，b、c面在C线相交，D线位于工字型孔的下部突台底面的下端，c面延伸到D线；A线与a面交于A’点，C线与c面交于C’点，B线与c面交于B’点；在c面上开有与A’ C’线平行的滑道EF，滑道EF —端与A’ B’线相交于F点，另一端延伸到基盘架1表面的E点，E点与C’点位于基盘架1的两侧；在对称的另一侧板2上也开有与滑道EF平行的对称滑道3 ；滑道3深度小于侧板2厚度，滑道3的倾斜度与A’ C’线倾斜度相同，侧板2厚度大于打拿极护耳宽度e。其中，滑道3长7mm，宽0. 2mm，深0. 55mm，打拿极护耳宽度e为0. 5mm。滑道3滑道的倾斜度与A’ C’线倾斜度均为52°，与打拿极曲面斜度一致。基片架1的材料为铜、铝、不锈钢或聚四氟乙烯。所述电子倍增器打拿极曲面镀膜基盘架的使用过程如下步骤一、用酒精或丙酮超声清洗基盘架1及电子倍增器打拿极表面；步骤二、将基盘架1背面朝上安装在真空室内，保证基盘架1水平放置；步骤三、用镊子夹住清洗后的打拿极外壳，按照基盘架1设计的滑道2平行插入， 待打拿极基片滑到滑道2的末端后，松开镊子，完成打拿极的安装。在基盘架1同一半径处可加工4、6、8、10或12个设有安装滑道3的工字型孔，能够同时安装多个打拿极基片，达到批量生产的效果。打拿极基片的安装总数决定于安装盘 1的大小。综上所述，以上仅为本专利技术的较佳实施例而已，并非用于限定本专利技术的保护范围。 凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种电子倍增器打拿极曲面镀膜基盘架，其特征在于所述基盘架为圆盘，在圆盘上等间隔开有一个或多个工字型孔；所有工字型孔的中心到圆盘圆心的距离相等；沿X轴方向，工字型孔的孔长为20 22mm ；沿y轴方向，在工字型孔两端分别设有孔的上部突台和下部突台，上部外侧突台长 14 15mm，宽3 5mm，下部外侧突台长14 15mm，宽2 3mm ；上部突台和下部突台之间为工字型孔的中部，工字型孔的中部宽8mm ；沿ζ轴方向，在工字型孔中部的两边下方分别设有两个对称的侧板，两个侧板与基盘架垂直并融合；侧板为三角形，有a、b、c三个面，其中c面与基盘架垂直，a、b面交汇于A 线，a面与工字型孔的上部突台的底面沿B线汇合，b、c面在C线相交，D线位于工字型孔的下部突台底面的下端，c面延伸到D线；A线与a面交于A’点，C线与c面交于C’点，B线与c面交于B’点；在c面上开有与A’ C’线平行的滑道EF，滑道EF —端与A’ B’线相交于F点，另一端延伸到基盘架表面的E点，E点与C’点位于基盘架的两侧；在对称的另一侧板上也开有与滑道EF平行的对称滑道；滑道深度小于侧板厚度，滑道的倾斜度与A’ C’线倾斜度相同，侧板厚度大于打拿极护耳宽度e。2.根据权利要求1所述的一种电子倍增器打拿极曲面镀膜基盘架，其特征在于侧板壁厚为1 3mm，滑道长7 9mm，宽0. 2 0. 3mm,深0. 55 0. 6mm。3.根据权利要求1所述的一种电子倍增器打拿极曲面镀膜基盘架，其特征在于滑道的倾斜度与A’ C’线倾斜度相同，均为60° 80°。4.根据权利要求1所述的一种电子倍增器打拿极曲面镀膜基盘架，其特征在于基片架本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李晨，王多书，熊玉卿，陈焘，王济洲，张玲，董茂进，
申请(专利权)人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所，
类型：发明
国别省市：
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